返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5143 个

  • ​MOS管KNX7606A 60V25A​ 现货直销 免费送样-KIA MOS管

    KNX7606A是性能最高的N沟道mosfet,为大多数同步buck变换器提供优良的RDSON和栅极电荷,KNX7606A符合RoHS和绿色产品要求。KIA半导体产品品质优良,KIA半导体执行的全面质量管理体系,是将所有产品质量从芯片设计开始,一直贯彻到客户使用的全过程跟踪和监控。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2961.html         2021-08-02

  • 高频电容简析以及与低频电容区别-KIA MOS管

    高频电容基本上是由无源元件、有源器件和无源网络组成的。高频电路中使用的元器件与低频电路中使用的元器件频率特性是不同的。高频电路中无源线性元件主要是电阻(器)、电容(器)和电感(器)。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2960.html         2021-08-02

  • 电阻电容电感的高频等效电路、特性曲线-KIA MOS管

    低频电子学中最普通的电路元件就是电阻,它的作用是通过将一些电能装化成热能来达到电压降低的目的。电阻的高频等效电路如图所示,其中两个电感L模拟电阻两端的引线的寄生电感,同时还必须根据实际引线的结构考虑电容效应;用电容C模拟电荷分离效应。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2959.html         2021-08-02

  • ​保护板专用MOS管40V100A KNX3204A 国产优质品牌-KIA MOS管

    保护板专用MOS管40V100A KNX3204A产品特点1、RDS(ON),typ=4mΩ@VGS=10V2、专有新沟槽技术3、低门电荷减小开关损耗4、快恢复体二极管

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2958.html         2021-07-30

  • 晶闸管概述及晶闸管的导通条件-KIA MOS管

    晶体闸流管简称为品闸管,也叫做可控硅,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。因为它可以像闸门一样控制电流,所以称之为“晶体闸流管”。晶体闸流管是最常用的功率型半导体控制器件之一,具有广泛的用途。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2957.html         2021-07-30

  • 分析纵向晶体管与横向晶体管原理及区别-KIA MOS管

    晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2956.html         2021-07-30

  • IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A参数 原厂直销-KIA MOS管

    IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征RDS(on)=1.9mΩ(typ.)@ VGS=10V低导通电阻快速切换100%雪崩试验重复雪崩最高允许Tjmax无铅,符合RoHS标准

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2955.html         2021-07-29

  • MOS器件退化:P-NMOS特性退化解析-KIA MOS管

    NMOSFET特性退化饱和区:通常Vg<Vd不利于电子注入存在界面态生成条件

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2954.html         2021-07-29

  • MOS器件退化简介及退化机理介绍-KIA MOS管

    器件退化的含义:也就是随着应力时间的推移,输出电流下降,同时阈值电压增加,至于Vg=Vd/2的含义,简单讲,栅电压时漏电压一半的时候,衬底电流最大,同时漏端因为夹断点推移而出现的空间电荷区的场强最强,从而导致热载流子最严重,所以器件最容易退化。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2953.html         2021-07-29

  • ​MOS管30V40A KNX9103A参数资料 原厂现货直销-KIA MOS管

    MOS管30V40A KNX9103A参数资料-特性RDS(ON)=8.5mΩ(Typ.),VGS=10V先进的沟槽加工技术。超低导通电阻的高密度电池设计完全表征的雪崩电压和电流

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2952.html         2021-07-28

  • 差分放大电路的接法分析|超详细-KIA MOS管

    差分放大电路的接法1、双端输入单端输出电路电路如右图所示,为双端输入、单端输出差分放大电路。由于电路参数不对称,影响了静态工作点和动态参数。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2951.html         2021-07-28

  • 解析:什么是差分放大电路?-KIA MOS管

    差分放大电路利用电路参数的对称性和负反馈作用,有效地稳定静态工作点,以放大差模信号抑制共模信号为显著特征,广泛应用于直接耦合电路和测量电路的输入级。但是差分放大电路结构复杂、分析繁琐,特别是其对差模输入和共模输入信号有不同的分析方法,难以理解...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2950.html         2021-07-28

  • 三极管射极跟随器电路分享-KIA MOS管

    射极跟随器电路共集电极放大电路射极输出器、射极跟随器

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2949.html         2021-07-27

  • 射极跟随器的原理及电路图分析、汇总-KIA MOS管

    射极跟随器指的是:信号从基极输入,从发射极输出的放大器。其特点为输入阻抗高,输出阻抗低,因而从信号源索取的电流小而且带负载能力强,所以常用于多级放大电路的输入级和输出级;也可用它连接两电路,减少电路间直接相连所带来的影响,起缓冲作用。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2948.html         2021-07-27

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号