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电流的本质及电流信号在控制回路中的作用-KIA MOS管
电流的本质就是带有非零净电荷的粒子的定向运动。这里的「带有非零静电荷的粒子J既可以是电子也可以是其他带电粒子(比如离子甚至空穴等等) ; 强调[定向运动]则是为了将其区分于带电粒子的热运动等不形成电流的运动方式。www.kiaic.com/article/detail/2616.html 2021-01-28
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二极管，肖特基二极管,快恢复二极管知识详解-KIA MOS管
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。www.kiaic.com/article/detail/2615.html 2021-01-28
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MOS管厂家介绍，场效应管工作用途-KIA MOS管
KIA半导体专业生产MOS管场效应管厂家（国家高新技术企业）成立于2005年，公司成立初期就明确立足本市场，研发为先导，了解客户需求，运用创新的集成电路设计方案和国际同步研发技术，结合中国市场的特点，向市场推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等电源相关产品，产品...www.kiaic.com/article/detail/2614.html 2021-01-28
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KND3403A规格参数中文资料|免费送样原厂直销-KIA MOS管
KND3403A中文资料，30V85AMOS管-特性：RDS(on)=4.5mΩ@ VGS=10V，可提供无铅绿色装置，低Rds-on，减少导电损耗，高雪崩电流。负荷开关，SMPSwww.kiaic.com/article/detail/2613.html 2021-01-27
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MOS管门极驱动电路及MOSFET驱动简便计算-KIA MOS管
MOS管门极驱动电路：（1)直接驱动，电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。www.kiaic.com/article/detail/2612.html 2021-01-27
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MOS管与射频MOS管有哪些区别？工程师必看-KIA MOS管
MOS管与射频MOS管：MOS管中文名为场效应管，功能类似开关三级管，是一种压控元器件，有栅极（G），漏极（D），源极（S）三个极（管脚），通过控制栅极的电压来导通和关闭漏极和源极，由于有高输入阻抗和低导通电阻的特性，常用于各类需要大电流和高电压控制的产...www.kiaic.com/article/detail/2611.html 2021-01-27
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功率半导体器件分析及功率MOS管主要参数-KIA MOS管
功率半导体器件：电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。www.kiaic.com/article/detail/2610.html 2021-01-26
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电容分析-电容器的作用详解-KIA MOS管
电容器的作用：电容的基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。www.kiaic.com/article/detail/2609.html 2021-01-26
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肖特基二极管与场效应管的区别在哪里（工作原理、特性、基本概述等）-KIA MOS管
肖特基二极管与场效应管的区别是什么，先介绍一下肖特基二极管和场效应管的一些基本知识。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。场效应管是由多数载流子参与导电，也称为单极型晶...www.kiaic.com/article/detail/2068.html 2021-01-26
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详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用-KIA MOS管
详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用，肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频...www.kiaic.com/article/detail/1947.html 2021-01-26
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干货解析|开关电源和线性电源的区别-KIA MOS管
开关电源和线性电源的区别：可能大多数朋友都对开关电源和线性电源的区别很模糊，今天就来给大家分析一下它们之间的区别。开关电源的主要工作原理就是上桥和下桥的MOS管轮流导通，首先电流通过上桥MOS管流入，利用线圈的存储功能，将电能集聚在线圈中，最后关闭...www.kiaic.com/article/detail/2608.html 2021-01-26
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直流电机H桥驱动感性负载-KIA MOS管
H桥驱动感性负载：什么是H桥？H桥是一个比较简单的电路，通常它会包含四个独立控制的开关元器件（例如MOS-FET）,它们通常用于驱动电流较大的负载，比如电机，至于为什么要叫H桥（H-Bridge），因为长得比较像字母H，具体如下图所示www.kiaic.com/article/detail/2607.html 2021-01-25
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MOS管的工作机制及半导体结构-KIA MOS管
MOS管的工作机制：由上图结构我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结。三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。www.kiaic.com/article/detail/2606.html 2021-01-25
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MOS集成电路电过应力损伤解析-KIA MOS管
MOS集成电路电过应力损伤：电过应力(EOS)是MOS集成电路失效分析过程中常见失效原因，电过应力损伤对MOS集成电路可靠性危害很大，轻者导致电路电性能下降，留下隐患，影响电路的长期可靠性，重者则可使MOS电路烧毁。www.kiaic.com/article/detail/2605.html 2021-01-25