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自举电路-自举电路的应用与自举电路是如何做到把电压逐一升高的-KIA MOS管
自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。自举电路只是在实践中定的名称，在理论上没有这个概念。自举电路主要是在甲乙类单电源互补对称电...www.kiaic.com/article/detail/1656.html 2019-05-23
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知名韩国mos管代表企业公司概况-韩国mos管场效应管品牌-KIA MOS管
韩国mos管的代表企业有：KEC、AUK、美格纳、森名浩、威士顿、信安等MOS管的生产企业很多，大致说来，主要有欧美系、日系、韩系、台系、国产几大系列。欧美系代表企业：IR、ST、仙童、安森美、TI、PI、英飞凌等；日系代表企业：东芝、瑞萨、新电元等；台系代表企...www.kiaic.com/article/detail/1660.html 2019-05-23
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mos管寄生电容-mos管寄生电容测试、特性与问题解析-KIA MOS管
mos管寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，MOSFET的栅极电荷也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中的定义，以及它们的定义条件。寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电...www.kiaic.com/article/detail/1659.html 2019-05-23
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KNX6450A 13A/500V原厂供应-MOS管PDF文件/免费送样-KIA MOS管
MOS管 6450 13A/500V主要参数：产品型号：KNX6450A工作方式：13A/500V漏源电压：500V栅源电压：±30V漏电流连续：13A脉冲漏极电流：52A雪崩能量：900mJ耗散功率：195W热电阻：62℃/W漏源击穿电压：500V栅极阈值电压：2.0V输入电容：2149PF输出电容：211PF上...www.kiaic.com/article/detail/1655.html 2019-05-21
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晶圆尺寸的概念-晶圆制造流程及工艺-KIA MOS管
晶圆尺寸的概念，晶圆是原材料加工上的称呼，PCB主板上插接件如cpu、二极管等都是由晶圆加工而来的。目前市面上出现的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，晶圆切割成好多小Die后，形状不一的正方形、长方形等都有的。www.kiaic.com/article/detail/1654.html 2019-05-21
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HY1906 60V/70A规格书下载查看-HY1906参数、封装等详情-KIA MOS管
MOS管 HY1906 60V/70A参数：型号：HY1906参数：60V/70A漏源电压：60V栅源电压:±25V源电流连续:70A脉冲漏电流:260A连续漏电流 Tc=25℃:70A连续漏电流 Tc=100℃:49.5A单脉冲雪崩能量286.6MJ漏源击穿电压：60V输入电容：4620PF输出电容：410PF反向传输电容:3...www.kiaic.com/article/detail/1652.html 2019-05-20
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MOS管 NCE3008规格书详情-NCE3008替代/封装/参数/MOS管原厂-KIA MOS管
MOS管NCE3008产品参数：型号：NCE3008漏源电压：30V栅源电压：±20V漏电流连续：8A脉冲漏电流:30A最大功耗:3.5W输入电容：564PF输出电容：75PF反向转移电容:66PFwww.kiaic.com/article/detail/1651.html 2019-05-20
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电源基础知识概述及在电源电路中MOS管该如何选择详解-KIA MOS管
电源，如何在电源电路中正确的选择MOS管呢，这篇文章将会列出8大原则供你参考。下面我们先来介绍一下电源的基础知识。电源是将其它形式的能转换成电能的装置。电源自“磁生电”原理，由水力、风力、海潮、水坝水压差、太阳能等可再生能源，及烧煤炭、油渣等产生...www.kiaic.com/article/detail/1650.html 2019-05-20
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河北 互联网体育体育排名-KIA MOS管
河北 互联网体育，而微鲸其实也参与到了视频版权的竞争中，只是最终乐视体育以27亿元从华人文化旗下的体奥动力手中购得2016、2017赛季中超联赛独家新媒体版权。在浙江杭州黄龙体育中心，该省首个大型体育场馆智慧系统受到市民的追捧。通过手机微信简单操作，几...www.kiaic.com/article/detail/1649.html 2019-05-17
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NCE3080K供应-NCE3080K PDF文件参数 NCE3080K中文资料-KIA MOS管
NCE3080K产品概述：VDS=30V,ID=80ARDS(ON)<6.5m? @VGS=10VRDS(ON)<10m? @VGS=5V超低RDSON高密度电池设计完全特征雪崩电压和电流良好的散热包装高静电放电性能的特殊工艺技术www.kiaic.com/article/detail/1648.html 2019-05-17
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智能水果杯MOS管 KIA50N03A 50A/30V规格书-原厂供货 免费送样-KIA MOS管
智能水果杯 KIA50N03A 50A/30V参数：产品型号：KIA50N03工作方式：50A/30V漏源电压：30V栅源电压：±20A漏电流连续：50A脉冲漏极电流：200A耗散功率：60W热电阻：50℃/W漏源击穿电压：30V栅极阈值电压：1V输入电容：1300PF输出电容：270PF上升时间：6ns封装...www.kiaic.com/article/detail/1647.html 2019-05-17
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（细说）工程师电路设计时应该注意哪些问题-12个电路设计问题解析-KIA MOS管
电路设计应该注意的问题：模拟电路构建了电子行业的基础，至今为止，电子技术已经发展到如此高的水平。但如果我们观察各种电子电路的发展会发现：几乎所有的电子技术都离不开放大技术。即使是数字芯片内部，其基本单元都是互补型源极接地放大电路。下文将模拟电...www.kiaic.com/article/detail/1646.html 2019-05-17
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KNX4540A 6A/400V参数 封装 MOS管场效应管原厂品牌推荐-KIA MOS管
MOS管 KNX4540A 6A/400V主要参数：产品型号：KNX4540A工作方式：6A/400V漏至源电压:400V门到源电压:±30V单脉冲雪崩能:200MJ操作和储存温度范围：-55℃至+150℃www.kiaic.com/article/detail/1645.html 2019-05-16
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MOS管驱动电路要点解析-MOS管寄生参数带来的影响有哪些-KIA MOS管
MOS管寄生参数的影响与驱动电路解析，在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就 是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地...www.kiaic.com/article/detail/1644.html 2019-05-16