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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5146 个

  • 智能水果杯MOS管 KNX3403A 85A/30V规格书 MOS管免费送样-KIA MOS管

    智能水果杯MOS管 KNX3403A 85A/30V主要参数：型号：KNX3403A电流：85A电压：30V漏至源电压:30V门到源电压:±20V脉冲漏电流测试:340A雪崩电流:25A雪崩能源:156MJ接头和储存温度范围:-55℃至+175℃漏源击穿电压：30V前向传导:74S输入电容：3000pF输出电容：3...

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    www.kiaic.com/article/detail/1626.html         2019-05-08

  • IRF3205规格书详情-IRF3205替代/封装/MOS管原厂专业制造-KIA MOS管

    MOS管KIA2906替代IRF3205，MOS管IRF3205的电流、电压为110A/55V，其可以用可易亚（KIA）MOS管KIA2906替代，KIA2906的电流、电压为130A/60V，文中会具体描述MOS管两个型号的参数、封装及附带规格书，请仔细查阅。

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    www.kiaic.com/article/detail/1625.html         2019-05-08

  • KIA2806A 150A/60V参数及规格书详情-MOS管原厂 免费送样-KIA MOS管

    MOS管KIA2806A 150A/60V参数：型号：KIA2806A工作方式：150A/60V漏源电压：60V栅源电压:±25V二极管连续正向电流:150A脉冲漏极电流:580A单脉冲雪崩能量:1200MJ漏源击穿电压:60V输入电容：4376pF输出电容：857pF反向转移电容：334pF

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    www.kiaic.com/article/detail/1624.html         2019-05-07

  • MOS管安全工作区（SOA）分析-如何确保MOS管工作在安全区-KIA MOS管

    mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。mos管的安全工作区，安全工作区：SOA(Safe operating area)是由一...

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    www.kiaic.com/article/detail/1623.html         2019-05-07

  • MOS管场效应管四个区域详解及如何判断MOS管工作在哪个区-KIA MOS管

    下面讲述MOS管场效应管的四个区域：1）可变电阻区（也称非饱和区） 2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区） 3）夹断区（也称截止区） 4）击穿区位及如何判断MOS管场效应管工作在那个区域。

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    www.kiaic.com/article/detail/1622.html         2019-05-07

  • 仅仅只需六步让你精通开关电源PCB设计知识-KIA MOS管

    PCB，中文名称为印制电路板，又称印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。由于它是采用电子印刷术制作的，故被称为“印刷”电路板。

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    www.kiaic.com/article/detail/1621.html         2019-05-06

  • 如何轻松看懂电路图-整流电路、电源电路等各种电路图识别大全-KIA MOS管

    电路图是指用电路元件符号表示电路连接的图。电路图是人们为研究、工程规划的需要，用物理电学标准化的符号绘制的一种表示各元器件组成及器件关系的原理布局图。电源电路的功能和组成，每个电子设备都有一个供给能量的电源电路。电源电路有整流电源、逆变电源和...

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    www.kiaic.com/article/detail/1620.html         2019-05-06

  • KNX3508A 70A/80V规格书-MOS管封装|MOS管原厂|MOS管价格-KIA MOS管

    MOS管KNX3508A 70A/80V主要参数：产品型号：KIA3508工作方式：70A/80V漏源电压：80V栅源电压：±25V漏电流连续：70A脉冲漏极电流：240A雪崩电流：70A漏源击穿电压：80V栅极阈值电压：2.0V输入电容：2900 PF输出电容：290 PF上升时间：11 ns

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    www.kiaic.com/article/detail/1619.html         2019-05-06

  • 华之美半导体公司概况-场效应管品牌-国产MOS管生产厂家-KIA MOS管

    深圳市华之美半导体有限公司（H&M Semiconductor)是国内电源管理IC和功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种电源管理IC和功率半导体器件的设计、生产和销售。华之美半导体自公司成立以来，飞速发展，产品已涵盖了电源管理IC(锂电充电IC/锂电保护...

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    www.kiaic.com/article/detail/1616.html         2019-04-30

  • MOS管驱动-解析MOS管寄生参数带来的影响与驱动电路要点概述-KIA MOS管

    MOS管驱动电路，跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电...

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    www.kiaic.com/article/detail/1615.html         2019-04-30

  • KNX1906B 230A/60V规格书、封装-MOS管原厂供货 免费送样-KIA MOS管

    MOS管KNX1906B 230A/60V主要参数：型号：KNX1906B工作方式：230A/60V漏源电压：60V栅源电压：±25V最高结温：175oC脉冲漏极电流：880A雪崩电流:40A雪崩能量:800mJ漏源击穿电压:60V输入电容：6110pF输出电容：1020pF反向转移电容:771pF

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    www.kiaic.com/article/detail/1614.html         2019-04-30

  • Cool-MOS原理、结构、制造方法概述及Cool-MOS的优势与问题-KIA MOS管

    Cool-MOS原理与Cool-MOS优势与问题，对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。但是对...

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    www.kiaic.com/article/detail/1613.html         2019-04-29

  • MOS管原厂KIA品牌 KIA50N06B可替代FQP50N06规格书-KIA MOS管

    MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，了解一下KIA半导体公司，?深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，文...

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    www.kiaic.com/article/detail/1611.html         2019-04-29

  • KIA2300可替代SI2300 MOS管规格书下载-MOS管原厂自主研发-KIA MOS管

    MOS管KIA2300可替代SI2300，KIA半导体主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。文中...

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    www.kiaic.com/article/detail/1610.html         2019-04-28

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