|
|
|
结果: 找到相关主题 5300 个
-
100v150a场效应管,控制器 保护板专用,KNB2810A参数引脚图-KIA MOS管
KNB2810A可以代换3210场效应管应用于电池保护板、电动车控制器、逆变器中，漏源击穿电压100V，漏极电流150A，RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V ，低导通电阻RDS（On）能够减少导通损耗，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，超高密度电池设计，100%雪崩测试，...www.kiaic.com/article/detail/5221.html 2024-09-25
-
nce6080k参数,nce6080k代换,KND3306B场效应管,中文资料-KIA MOS管
KND3306B场效应管可以替代nce6080型号在无刷电机、锂电池保护板、逆变器领域应用，漏源击穿电压68V，漏极电流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电阻、高雪崩电流，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；开关速度快、耐冲击特性好、提供无铅绿色设备，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5212.html 2024-09-14
-
肖特基二极管作用、原理、特点-KIA MOS管
肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，SBD是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。www.kiaic.com/article/detail/5211.html 2024-09-14
-
二极管整流原理,二极管整流电路图-KIA MOS管
二极管整流原理是指利用二极管的单向导电性质，将交流电信号转化为直流电信号的一种电路。二极管整流电路一般分为半波整流和全波整流两种。半波整流电路只利用了交流信号的正半周或负半周，通过一个二极管将其转化为单向的直流信号。当输入信号的正半周时，二极...www.kiaic.com/article/detail/5210.html 2024-09-14
-
150n04参数,150A 40V参数代换,KNX2804A场效应管保护板-KIA MOS管
KNX2804A场效应管采用专有新型沟槽技术，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，极低的导通电阻RDS，以及低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，实现高效的电路控制；KNX2804A可以替代150n04型号应用在锂电池保护板、DC/DC转换器、...www.kiaic.com/article/detail/5209.html 2024-09-13
-
集成电路常用封装,常见封装形式-KIA MOS管
集成电路封装是一种通过将半导体元件封装在陶瓷或塑料制成的封装材料中，可以使半导体元件免受物理冲击和腐蚀的影响。集成电路的常用封装形式包括双列直插式封装（DIP）、球栅阵列封装（BGA）、四面扁平封装（QFP）、塑料无引脚封装（DFN）、芯片尺寸封装（CSP...www.kiaic.com/article/detail/5208.html 2024-09-13
-
电路图开关符号大全,电路图开关符号图-KIA MOS管
电路图符号是绘制电路图的基础，分为传输路径、集成电路组件、限定符号、开关和继电器符号等类别。常见电气字母符号1、L：火线（红色导线）2、N：零线（蓝色导线）3、PE：地线（黄绿双色导线）www.kiaic.com/article/detail/5207.html 2024-09-13
-
80n04场效应管参数,KND3404C代换,参数引脚图-KIA MOS管
KND3404C场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，可以替代80n04型号应用在锂电池保护板、同步降压转换器中；漏源击穿电压40V，漏极电流80A，低导通电阻RDS（ON）=5.0mΩ@VGS=10V，出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；还具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和...www.kiaic.com/article/detail/5206.html 2024-09-12
-
无线充电电路图,充电器电路图分享-KIA MOS管
无线手机充电器采用电感耦合原理。两个LC调谐电路以相同的调谐频率进行通信，即发射机的调谐频率必须等于接收器的调谐频率。在这里，使用LC调谐来产生和传输另一个LC调谐电路接收的磁场。www.kiaic.com/article/detail/5205.html 2024-09-12
-
电流反馈和电压反馈的判断,电路反馈类型-KIA MOS管
同时满足两个条件：反馈直接连到Uo输出端；输出电压为零，或者负载电阻RL两端电压为0时，反馈信号不存在了，那就是电压反馈。其他全都是电流反馈。www.kiaic.com/article/detail/5204.html 2024-09-12
-
irl8726参数,8726参数,100n03场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA100N03场效应管采用先进平面条纹DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通态电阻，提高效率，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲；增强的dv/dt能力、快速切换，绿色设备可用。KIA100N03可以替代irl8726型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5203.html 2024-09-11
-
带通滤波器原理,带通滤波器电路图-KIA MOS管
带通滤波器的工作原理结合了低通滤波器和高通滤波器的特点。它通常由低通滤波器和高通滤波器组合而成，或者通过其他方式实现特定频率范围的滤波效果。当信号通过带通滤波器时，只有位于滤波器通带内的信号分量能够较好地通过；而通带外的信号分量则会被削弱或抑...www.kiaic.com/article/detail/5202.html 2024-09-11
-
mos管的封装类型有哪些？-KIA MOS管
插入式是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。表面贴装是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK...www.kiaic.com/article/detail/5201.html 2024-09-11
-
nce3050k参数,KIA50N03A场效应管,30V 50A原厂现货-KIA MOS管
KIA50N03A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，可以替代nce3050k型号应用在锂电池保护板、LED中，漏源击穿电压30V、漏极电流50A，RDS(ON)=6.5mΩ,VGS@10V,Ids@30A，RDS(ON)=9.5mΩ,VGS@4.5V,Ids@30A；超低导通电阻的高密度电池设计，完全表征雪崩电压和电流，有效...www.kiaic.com/article/detail/5200.html 2024-09-10