|
|
|
结果: 找到相关主题 5492 个
-
150n04参数,150A 40V参数代换,KNX2804A场效应管保护板-KIA MOS管
KNX2804A场效应管采用专有新型沟槽技术，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，极低的导通电阻RDS，以及低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，实现高效的电路控制；KNX2804A可以替代150n04型号应用在锂电池保护板、DC/DC转换器、...www.kiaic.com/article/detail/5209.html 2024-09-13
-
集成电路常用封装,常见封装形式-KIA MOS管
集成电路封装是一种通过将半导体元件封装在陶瓷或塑料制成的封装材料中，可以使半导体元件免受物理冲击和腐蚀的影响。集成电路的常用封装形式包括双列直插式封装（DIP）、球栅阵列封装（BGA）、四面扁平封装（QFP）、塑料无引脚封装（DFN）、芯片尺寸封装（CSP...www.kiaic.com/article/detail/5208.html 2024-09-13
-
电路图开关符号大全,电路图开关符号图-KIA MOS管
电路图符号是绘制电路图的基础，分为传输路径、集成电路组件、限定符号、开关和继电器符号等类别。常见电气字母符号1、L：火线（红色导线）2、N：零线（蓝色导线）3、PE：地线（黄绿双色导线）www.kiaic.com/article/detail/5207.html 2024-09-13
-
80n04场效应管参数,KND3404C代换,参数引脚图-KIA MOS管
KND3404C场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，可以替代80n04型号应用在锂电池保护板、同步降压转换器中；漏源击穿电压40V，漏极电流80A，低导通电阻RDS（ON）=5.0mΩ@VGS=10V，出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；还具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和...www.kiaic.com/article/detail/5206.html 2024-09-12
-
无线充电电路图,充电器电路图分享-KIA MOS管
无线手机充电器采用电感耦合原理。两个LC调谐电路以相同的调谐频率进行通信，即发射机的调谐频率必须等于接收器的调谐频率。在这里，使用LC调谐来产生和传输另一个LC调谐电路接收的磁场。www.kiaic.com/article/detail/5205.html 2024-09-12
-
电流反馈和电压反馈的判断,电路反馈类型-KIA MOS管
同时满足两个条件：反馈直接连到Uo输出端；输出电压为零，或者负载电阻RL两端电压为0时，反馈信号不存在了，那就是电压反馈。其他全都是电流反馈。www.kiaic.com/article/detail/5204.html 2024-09-12
-
irl8726参数,8726参数,100n03场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA100N03场效应管采用先进平面条纹DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通态电阻，提高效率，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲；增强的dv/dt能力、快速切换，绿色设备可用。KIA100N03可以替代irl8726型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5203.html 2024-09-11
-
带通滤波器原理,带通滤波器电路图-KIA MOS管
带通滤波器的工作原理结合了低通滤波器和高通滤波器的特点。它通常由低通滤波器和高通滤波器组合而成，或者通过其他方式实现特定频率范围的滤波效果。当信号通过带通滤波器时，只有位于滤波器通带内的信号分量能够较好地通过；而通带外的信号分量则会被削弱或抑...www.kiaic.com/article/detail/5202.html 2024-09-11
-
mos管的封装类型有哪些？-KIA MOS管
插入式是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。表面贴装是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK...www.kiaic.com/article/detail/5201.html 2024-09-11
-
nce3050k参数,KIA50N03A场效应管,30V 50A原厂现货-KIA MOS管
KIA50N03A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，可以替代nce3050k型号应用在锂电池保护板、LED中，漏源击穿电压30V、漏极电流50A，RDS(ON)=6.5mΩ,VGS@10V,Ids@30A，RDS(ON)=9.5mΩ,VGS@4.5V,Ids@30A；超低导通电阻的高密度电池设计，完全表征雪崩电压和电流，有效...www.kiaic.com/article/detail/5200.html 2024-09-10
-
51单片机是什么,stm32和51单片机的区别-KIA MOS管
单片微型计算器，简称为单片机。单片机就是在一块硅片上集成了微处理器、存储器以及各种输入/输出（I/O，I指的是input，O指的是output）口的芯片。单片机是一块集成芯片，这块集成芯片具有一些特殊的功能，通过编程我们可以用这块单片机的I/O口的高低电平变化来...www.kiaic.com/article/detail/5199.html 2024-09-10
-
逻辑电平是什么,逻辑电平有哪些？-KIA MOS管
逻辑电平是用来表示数字信号状态的电压水平，通常由信号与地线之间的电位差来体现。逻辑电平的浮动范围由?逻辑家族中不同器件的特性所决定。在数字电子系统中，常用的逻辑电平有高电平（通常表示为“1”）和低电平（通常表示为“0”）。www.kiaic.com/article/detail/5198.html 2024-09-10
-
3n80场效应管,KIA3N80H参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，在开启状态下静态电阻RDS为4.8Ω，具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保快速的响应速度；具有高坚固性，在各种情况下可靠工作；改进的dv/dt能力，有效降低开关时的干扰。KIA3N80H可以替代3n80型号应...www.kiaic.com/article/detail/5197.html 2024-09-09
-
0805电阻功率,0805贴片电阻功率多少-KIA MOS管
0805贴片电阻的功率是1/8W。??0805是贴片电阻的一种封装型号，电阻的功率是根据电阻封装大小、材质等因素来决定的，通常电阻的厂家会提供销售的电阻的功率参数。0805贴片电阻中0805代表封装外形尺寸，与焊盘尺寸关系不大。0805的功率各个地方、厂家的规定都不...www.kiaic.com/article/detail/5196.html 2024-09-09