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mos管是什么？mos管是什么器件？-KIA MOS管
MOS管，全称金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，MOSFET。MOS管是一种半导体器件，工作原理是基于其内部的绝缘栅结构，通过电压控制电流的流动。具有高输入阻抗、低噪声增益和快速切换速度等特点，主要用作电子...www.kiaic.com/article/detail/4880.html 2024-04-08
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速度饱和效应详解,什么是速度饱和效应-KIA MOS管
速度饱和效应：在强电场环境下，载流子的漂移速度随电场强度的增加而增加的幅度逐渐降低，并最终趋于饱和状态的现象。www.kiaic.com/article/detail/4879.html 2024-04-08
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2804场效应管参数,引脚图,150A 40V参数,KNX2804C-KIA MOS管
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流150A，采用先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通），能够实现高效的电路控制；2804场效应管RDS（ON）为3.0mΩ，在10V的VGS条件下表现出优异的性能，在电机控制、驱动系统、电池管理以及不间断电源等领域有...www.kiaic.com/article/detail/4878.html 2024-04-07
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pc817引脚图,pc817引脚图及功能,参数-KIA MOS管
PC817光耦合器，由一个红外发射二极管（IRLED）和一个与其光耦合的光电晶体管组成，具有隔离、放大和变换信号等功能，在电子电路中应用广泛。PC817利用光耦合效应，在输入端产生光信号，经过传输和放大后在输出端转变成电信号。这实现了输入和输出的隔离和变换...www.kiaic.com/article/detail/4877.html 2024-04-07
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肖特基势垒详解，肖特基势垒二极管-KIA MOS管
肖特基势垒（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性，是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。www.kiaic.com/article/detail/4876.html 2024-04-07
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3407场效应管参数规格书,80A 70V,KIA3407A中文资料-KIA MOS管
KIA3407A场效应管采用了先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V时）；封装形式：TO-220、TO-263。www.kiaic.com/article/detail/4875.html 2024-04-03
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741芯片引脚图功能图,lm741芯片参数特点-KIA MOS管
LM741是一款通用运算放大器芯片，它具有通过两个引脚进行零偏移调整的能力；被认为是电压跟随器电路的最合适选择，因为没有闩锁；LM741的共模输入电压范围也非常高，无需使用外部组件来实现稳定性。www.kiaic.com/article/detail/4874.html 2024-04-03
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mos管散热片要绝缘吗,mos管散热片要接地吗？-KIA MOS管
MOS管是功率元器件，发热量比较大，需要额外辅助散热，可以保障MOS管不被烧坏，维护电子设备的稳定。mos散热片是一种给电器中的易发热电子元件散热的装置，多由铝合金，黄铜或青铜做成板状，片状，多片状等。www.kiaic.com/article/detail/4873.html 2024-04-03
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NMOS开关电路，NMOS开关电路设计-KIA MOS管
这是一个常用的NMOS低侧开关，平时G极被电阻拉至GND电平，处于关闭状态。当驱动电压高于GND时，MOS打开。www.kiaic.com/article/detail/4872.html 2024-04-02
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p沟道场效应管工作原理,导通条件-KIA MOS管
p沟道场效应管是由沟道、栅极和源、漏极组成。在工作时，栅极和漏极间存在反向电压，形成了横向电场，使沟道中的载流子移动方式发生变化，进而控制漏极与源极之间的电流大小。www.kiaic.com/article/detail/4871.html 2024-04-02
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1n65场效应管,1n65参数引脚图,1A 650V,KIA1N65H-KIA MOS管
1n65场效应管漏极电流1A，漏源电压高达650V，RDS（开）为9.3? @VGS=10V、低栅极电荷仅为5.0nC，提供高坚固性和快速切换能力、还具备指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，保证了在各种应用场景下的稳定性和可靠性。封装形式有TO-252、TO-251和TO-92，满足不同设计...www.kiaic.com/article/detail/4870.html 2024-04-02
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1n60场效应管参数,1n60参数引脚图,1n60中文资料-KIA MOS管
1n60具有1A的电流承受能力和高达600V的耐压能力，且在VGS=10伏时的开态电阻仅为9.3?，确保稳定可靠的性能、低栅极电荷仅为5.0nC，在控制电荷时更加高效、还具备高坚固性、快速切换能力、指定雪崩能量和改进的dv/dt能力，能够保证设备在高负荷下运行时仍保持稳...www.kiaic.com/article/detail/4867.html 2024-04-01
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低压mos管型号,选型,低压mos管用在什么产品-KIA MOS管
KIA50N06B，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：12.5，N沟道，封装TO-220/252，应用领域：电源适配器,开关电源,UPS电源,车载功放,电动工具,HID安定器www.kiaic.com/article/detail/4869.html 2024-04-01
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mos管属于晶体管吗？MOS管和晶体管-KIA MOS管
MOS管属于晶体管。晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。www.kiaic.com/article/detail/4868.html 2024-04-01