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车载逆变器专用场效应管KNX2404N采用专有的新型沟槽技术,具有出色的参数特性,漏源击穿电压40V,漏极电流190A,RDS(ON),典型=4mΩ(典型值)@VGS=10V,低栅极电荷最小化开关损耗,以及快速恢复体二极管,确保DC-DC转换器、车载逆变器、电源应用的性能稳定可...
www.kiaic.com/article/detail/5015.html 2024-06-12
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当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应,它们归因于在沟道区出现二维的电势分布以及高电场。
www.kiaic.com/article/detail/5014.html 2024-06-12
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当漏源电压(Vds)增大,导致实际的反型层沟道长度逐渐减小,这一现象被称为沟道长度调制效应。具体来说,当MOS晶体管中的栅下沟道预夹断后,若继续增大Vds,夹断点会略向源极方向移动,导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小,有效沟道电阻也就略有减小。这...
www.kiaic.com/article/detail/5013.html 2024-06-12
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KND3203B场效应管具有100A、30V的额定参数,采用了CRM(CQ)先进的沟槽MOS技术,具有极低的导通电阻RDS(接通)和优秀的QgxRDS(on)产品性能;RDS(开)为3.1m?@VGS=10V,表现出优异的特性,符合JEDEC标准,广泛应用于电机控制和驱动、小功率LED、锂电池保护...
www.kiaic.com/article/detail/5012.html 2024-06-11
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利用TL494组成的400W大功率稳压逆变器电路。它激式变换部分采用TL494,VT1、VT2、VD3、VD4构成灌电流驱动电路,驱动两路各两只60V/30A的MOSFET开关管。如需提高输出功率,每路可采用3~4只开关管并联应用,电路不变。
www.kiaic.com/article/detail/5011.html 2024-06-11
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控制电路控制整个系统的运行,逆变电路完成由直流电转换为交流电的功能,滤波电路用于滤除不需要的信号。其中逆变电路的工作还可以细化为:振荡电路将直流电转换为交流电;线圈升压将不规则交流电变为方波交流电;整流使得交流电经由方波变为正弦波交流电。
www.kiaic.com/article/detail/5010.html 2024-06-11
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KIA2910A场效应管是一款具有高性能的电子元件,漏源击穿电压100V,漏极电流130A,RDS(开启)为6.0m?@VGS=10V,具有超低导通电阻,适用于超高密度电池设计,100%雪崩测试,保证稳定可靠,产品符合RoHS标准,提供无铅和环保服务。
www.kiaic.com/article/detail/5009.html 2024-06-07
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下图是一个24V电动自行车用无刷控制器电路。图中三只接在VCC和VB之间的二极管为隔离二极管,接在VB和VS之间的电容为自举电容。
www.kiaic.com/article/detail/5008.html 2024-06-07
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图中电路正常工作时,ZD1的负端的电位因D2的导通而使ZD1不足以导通Q1截止;D1的负端为高电平所以Q3也截止。C1未充电,两端的电位为0。IGBTQ3短路后退出饱和状态,集电极电位迅速上升,D2由导通转向截止。
www.kiaic.com/article/detail/5007.html 2024-06-07
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KIA23P10A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术,具有出色的特性,漏源击穿电压为-100V,漏极电流为-23A,表现稳定可靠,RDS(ON)值为78mΩ(在VGS=10V时为典型值),其低导通电阻能够有效降低功耗,100%EAS保证确保设备在高负载情况下可靠运行,超低栅极电荷...
www.kiaic.com/article/detail/5006.html 2024-06-06
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在T1时间,图4所示:L2上端为“正”,Q2的激励电路给Q2提供一个控制Q2导通的高电平,Q2导通输出为“正”对电容C充电,并输出对负载供电。在T2时间,图5所示:L2上端为“负”,Q2的激励电路给Q2提供一个控制Q2截止的低电平,Q2截止输出为“零”,这时由电容C在T...
www.kiaic.com/article/detail/5005.html 2024-06-06
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当开关管导通时,VIN给变压器初级电感充电,初级测电感电压上高下低,次级电感电压上低下高,次级回路被二极管截止;当开关管关断时,由于电感电流不能突变为0,把电感看成一个源,为使电感电流维持,电感会在下端产生一个很高的电动势。
www.kiaic.com/article/detail/5004.html 2024-06-06
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9926mos管,9926场效应管参数漏源电压:20V漏极电流:6A漏源通态电阻(RDS(on)):0.030Ω总功耗:2.0W
www.kiaic.com/article/detail/4955.html 2024-06-06
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KIA3508A是一款具有高可靠性和坚固性的场效应管,漏源击穿电压80V,漏极电流70A,RDS(开)为11mΩ(在VGS=10V时的典型值),在100%雪崩测试下表现出色,展现出稳定可靠的特性;为电动车控制器、锂电池保护板以及逆变器系统的电源管理提供了强大支持。
www.kiaic.com/article/detail/5003.html 2024-06-05