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结果: 找到相关主题 5194 个
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mos管栅极电流,MOS管栅极驱动电流计算-KIA MOS管
MOS管栅极电流是在MOS管中，从栅极输入端进入的电流。MOS栅极电流包括漏极电流（drain+current）和栅极漏极电流（gate-drain current）。www.kiaic.com/article/detail/4689.html 2023-12-27
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MOS管驱动直流电机电路设计图文分享-KIA MOS管
参与普通的逻辑控制，和三极管一样作为开关管使用，电流可达数安培，如图1为MOS管驱动直流电机电路。R6下拉电阻是必须的（取值一般10--20k），原理和NPN三极管下拉电阻一样。www.kiaic.com/article/detail/4688.html 2023-12-27
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irfp260场效应管参数,irfp260代换,逆变器MOS管-KIA MOS管
KNX9120A是一款性能出色的场效应管，能够替代irfp260型号使用，KNX9120A采用专有的新平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（开）典型值=50mΩ@VGS=10V；具有低门电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性。www.kiaic.com/article/detail/4687.html 2023-12-26
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ams1117-5.0参数,ams1117-5.0原理图-KIA MOS管
AMS1117-5.0是一种线性稳压器，其工作原理是将输入电压稳定在5V输出。因此，将12V的输入电压通过AMS1117-5.0可以得到稳定的5V输出电压。www.kiaic.com/article/detail/4686.html 2023-12-26
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mos管漏电原因分析图文详解-KIA MOS管
1、反偏结泄漏电流，junction leakage（/junction）结漏泄漏电流为：当晶体管关断时，通过反偏二极管从源极或漏极到衬底或者阱到衬底；这种反偏结泄露电流主要由两部分组成：（1）由耗尽区边缘的扩散和漂移电流产生；（2）由耗尽区中的产生的电子-空穴对形成；...www.kiaic.com/article/detail/4685.html 2023-12-26
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低压MOS管KNX8606B,35A 60V,超低内阻场效应管-KIA MOS管
KNX8606B场效应管漏源击穿电压高达60V，漏极电流35A，RDS（开）典型值=15mΩ@VGS=10V；具有低栅极电荷（典型33nC）、高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，高效率低损耗。www.kiaic.com/article/detail/4684.html 2023-12-25
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mos管漏电流产生的原因及如何解决-KIA MOS管
MOS晶体管中的漏极/源极和基板结在晶体管工作期间反向偏置。这会导致器件中出现反向偏置漏电流。这种漏电流可能是由于反向偏置区域中少数载流子的漂移/扩散以及雪崩效应引起的电子-空穴对的产生。pn结反向偏置漏电流取决于掺杂浓度和结面积。www.kiaic.com/article/detail/4683.html 2023-12-25
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数模转换电路图,数模转换电路原理-KIA MOS管
数模转换器，即D/A转换器，简称DAC,是将数字数据转换为模拟信号的设备。数模转换就是将离散的数字量转换为连接变化的模拟量，实现该功能的电路或器件称为数模转换电路，通常称为D/A转换器或DAC。www.kiaic.com/article/detail/4682.html 2023-12-25
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irf730场效应管参数,irf730参数及代换,PDF中文资料-KIA MOS管
irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N沟道增强型硅栅极功率MOSFET替代，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关电源、逆变器、螺线管、电机驱动器、开关转换器。www.kiaic.com/article/detail/4681.html 2023-12-22
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充电器原理图(电动车充电器,手机充电器原理图-KIA MOS管
其基本原理是充电器将输入的220V市电电压经整流滤波后转变为直流300V左右的电压,通过开关管的接通和关断,使300V直流电压变成受控制的交流电压,交流电压通过开关变压器耦合后在其二次侧产生低压交流电,低压交流电再通过二极管整流后输出直流充电电压。www.kiaic.com/article/detail/4680.html 2023-12-22
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ttl与cmos的区别,ttl与cmos的优缺点-KIA MOS管
TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。www.kiaic.com/article/detail/4679.html 2023-12-22
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irf740场效应管参数代换,irf740引脚图,KNX6140A-KIA MOS管
KNX6140A场效应管采用专有平面新技术，漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换irf740型号使用，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗。www.kiaic.com/article/detail/4678.html 2023-12-21
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单向可控硅详解,符号,工作原理,作用-KIA MOS管
单向可控硅?由四层半导体材料组成，四层材料由P型半导体和N型半导体交替组成，它们的接触面构成了三个PN结。故单向可控硅也被称为四层器件。www.kiaic.com/article/detail/4677.html 2023-12-21
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几款直流稳压电路图分享【简单好用】-KIA MOS管
对于低直流输出电压（高达 50V），可以单独使用齐纳二极管，也可以使用齐纳二极管和晶体管。这种电源称为晶体管电源。晶体管电源只能提供较低的稳定电压，因为 VCE 的安全值约为 50 V，如果将其增加到该值以上，则可能会发生结击穿。www.kiaic.com/article/detail/4676.html 2023-12-21