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通过实测两款芯片SLM2184S和IR2184S的性能来说明驱动电流建立时间对驱动速度的影响。表格1对比了SLM2184S和IR2184S的各项测试。虽然SLM2184S的峰值源电流[IO+]和峰值灌电流[IO-]比IR2184S的测试值偏小,但是SLM2184S的电流建立时间远比IR2184S的建立时间更短。...
www.kiaic.com/article/detail/3342.html 2022-02-14
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功率器件如MOSFET、IGBT需要驱动电路的配合从而得以正常地工作。图1显示了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1开通,M2关掉的时候,电源VCC通过M1和Rg给Cgs,Cgd充电,从而使MOSFET开通,其充电简化电路见图2。
www.kiaic.com/article/detail/3341.html 2022-02-14
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MOSFET和三极管都有ON状态,那么在处于ON状态时,这两者有什么区别呢?MOSFET和三极管,在ON状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?
www.kiaic.com/article/detail/3340.html 2022-02-14
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在负载点(POL)降压转换器领域,同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比,此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高,因为与采用无源二极管的情况相比,低...
www.kiaic.com/article/detail/3338.html 2022-02-11
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电压反馈放大器可根据器件中的晶体管类型进行分类:双极互补金属氧化物半导体(CMOS)或是结型场效应晶体管(JFET)。一些放大器同时使用这两种晶体管,在放大器各阶段中获得对应的益处。
www.kiaic.com/article/detail/3337.html 2022-02-11
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KIA78L05是单片固定稳压器集成电路。它适合于应用程序需要100mA的供电电流。1、输出电流达100mA2、不需要外部零件3、热过载关机保护4、短路电流限制5、SOT89封装
www.kiaic.com/article/detail/3336.html 2022-02-10
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综合上述分析可知,影响效率的因素主要有Rds(on),开关频率,有效值电流。
www.kiaic.com/article/detail/3335.html 2022-02-10
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电源系统中,MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号,以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻,所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。
www.kiaic.com/article/detail/3334.html 2022-02-10
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KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
www.kiaic.com/article/detail/3333.html 2022-02-09
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LED需要一种有效的驱动电路。这类驱动器IC必须提供准确的直流电流源,而且无论输入电源的变化范围有多宽,都要提供严格控制的LED电压调节。汽车电池总线中见到的极端电压范围为冷发动/启停情况下的4.7V至负载突降情况下的60V。但更常见的是,电池总线电压在通常...
www.kiaic.com/article/detail/3332.html 2022-02-09
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电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场,特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此,我们将专注于讨论如何选择正确的FET来驱动有刷、无刷和步进电机。尽管很少有硬性规定,且可能有无数种方法,但希望本文能让您基于终端应用了解从...
www.kiaic.com/article/detail/3331.html 2022-02-09
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KNX3320A参数 MOS管200V90A特性专用的新平面技术RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V低栅电荷使开关损耗最小化
www.kiaic.com/article/detail/3330.html 2022-01-26
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MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压,平衡电路的功耗,并可以根据温度、时间和环境变化而自动调节。在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中,超级电容器(supercapacitor)引起了设计团队的关注。这些超级电容器电池具有高效存储能力,可根据...
www.kiaic.com/article/detail/3329.html 2022-01-26
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当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动,受下述等效电路图中所示的事件(I)影响,在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电,因此在LS会将VG...
www.kiaic.com/article/detail/3328.html 2022-01-26