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结果: 找到相关主题 4973 个
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NOS工作基本知识
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、...www.kiaic.com/article/detail/171.html 2018-03-29
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设计与制造的主要流程
半导体器件物理基础：包括PN结的物理机制、双极管、MOS管的工作原理等 器件 小规模电路 大规模电路 超大规模电路 甚大规模电路 电路的制备工艺：光刻、刻蚀、氧化、离子注入、扩散、化学气相淀积、金属蒸发或溅射、封装等工序 集成电路设计：另一重要环节，最能...www.kiaic.com/article/detail/172.html 2018-03-29
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集成电路中的单片电阻器
MOS管为三端器件，适当连接这三个端，MOS管就变成两真个有源电阻。实际上所节省的面积远不止此，由于多晶硅条的电阻率很难达到100 Ω/□。这样可以使W/L接近于1且使用较小的直流电流。显然这是不可能的。多晶硅电阻在集成电路的设计中，电阻器不是主要的器件，...www.kiaic.com/article/detail/175.html 2018-03-29
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开关电路及原理详解
开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。 IC根据输出电压和电流时刻调整着⑥脚锯形波占空比的大小，从而不乱了整机的输出电流和电压。从R3测得的电流峰值信号介入当前工作周波的...www.kiaic.com/article/detail/178.html 2018-03-29
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基准电压的电源
因为NMOS耗尽管的阈值电压为负值，并且具有负温度系数，因此由式(1)可知，耗尽管电流随温度上升而变大。同时将该输出接到基准电源第二级电路中M2管的栅极，减弱了该点随电源电压的变化，从而有效地进步了基准输出真个电源按捺特性。 (1)温度系数。该电流就是通...www.kiaic.com/article/detail/179.html 2018-03-29
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关于LED开关损耗与功率MOS 管
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为12...www.kiaic.com/article/detail/181.html 2018-03-29
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常用电感-解析电感的基础知识介绍-KIA MOS管
(1)通过调节线圈巾磁芯或铜芯的相对位置改变线电感量；(2)通过滑动在线圈触点~f位置来改变线圈匝数，从而改变电感量；(3)将两个串联线圈的相位置进行均匀改变以实现互感量的改变，从使线圈的总电}值随着变化。www.kiaic.com/article/detail/183.html 2018-03-29
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设计电源双极型晶体管
在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的反动，而且大大地促进了电子工业的展开。由于MOSFET管具有更快的开关速度，电源开关频率可以做得更高，可以从50kHz进步到200kHz以致400kHz。同时也使得开关电源的体积变得更小，由此产生了大量运用小型电源的...www.kiaic.com/article/detail/190.html 2018-03-29
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MOS场效晶体管-功率场效晶体管结构与工作原理-KIA MOS管
功率场效应晶体管（P-MOSFET）简称功率MOSFET，是使用大都载流子导电的半导体器材，且导通时只要一种极性的载流子参加导电，是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较，功率 MOSFET 只靠单一载流子导电 ，不存在存储效应 ，因而其关断进程十...www.kiaic.com/article/detail/206.html 2018-03-29
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晶体管的驱动 MOSFET 管
如上所述 ，栅极驱动电路必须能输出电流 ，即成为 “ 源”。同时，为了提供栅极反向电 压，驱动电路必须能从栅极抽取电流 ，即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驱动电路，不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “...www.kiaic.com/article/detail/211.html 2018-03-29
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单片开关电源的基本原理
单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单、所用元件少，输出与输人间有电气隔离，能方便地实现多路输出，开关管驱动简单，所以该电源便采用了单端反激式拓扑结构。由图1-13可知，高频变压器初级绕组NP的极性与次级绕组反馈...www.kiaic.com/article/detail/220.html 2018-03-29
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驱动双极型晶体管的电路
它们大多应用于低功 率场合 ，这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 ：①用最少的元器件获得反向基极电压和反向基极电流，或者在关断和导通的过相巾将基极和发射极短路：②在主电路电流最大的时候，正向基极电流足够驱动卢值小的晶体管 ，同时不会在主电路电...www.kiaic.com/article/detail/212.html 2018-03-29
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线性电源的稳压电源
线性电源的动态响应非常快，稳压性能好，只可惜其功率转换效率太低。要想提高效率，就必须使图 1-2中的功率调整器件（即调整管）处于开关上作状态，再对图1-2所示电路相应地稍加改变即成为开关型稳压电源。转变后的降压型开关电源原理图如图1-8所示。调整管作为...www.kiaic.com/article/detail/219.html 2018-03-29
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MOS管半导体的函数差-半导体的函数是如何定义的-KIA MOS管
MOS二极管的能带图，我们由夹在独立金属与独立半导体间的氧化层夹心结构开始[图6.9(a)]．在此独立的状态下，所有的能带均保持水平，此为平带状况．在热平衡状态下，费米能级必为定值，且真空能级必为连续，为调节功函数差，半导体能带需向下弯曲，如图6.9(b)所...www.kiaic.com/article/detail/224.html 2018-03-29