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结果: 找到相关主题 4973 个
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测试mos管和场效应管时的注意事项
测试mos管和场效应管时的注意事项
www.kiaic.com/article/detail/277.html 2018-03-28
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电子成材器件以及如何让电阻集成的原因
为了构成集成电路电阻，可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上，然后运用图形曝光技术和刻蚀定出其图样，也可以在生长于硅衬底上的热氧化层上开窗，然后写入（或是涣散）相反导电型杂质到晶片内，图14.3闪现运用后者方法构成的两个电阻的顶视图和截面图，一个是...www.kiaic.com/article/detail/296.html 2018-03-28
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MOS管选型要求？PMOS与NMOS的栅极解决方法
在CMOS中，阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷，如需高温工艺（超越1 050℃）及长扩散时间（超越8h）来到达所需2μm~31'm的深度，在这个工艺中，外表的掺杂浓度是最高的，掺杂浓度随着深度递加，为了...www.kiaic.com/article/detail/297.html 2018-03-28
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功率开关MOS管器件的驱动电路是什么原理？
功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置，它的牢靠工作是整个安装正常运转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子安装的重要局部。它对整个设备的性能有很大的影响，其作用是将控制回路输出的控制脉冲放大到足以驱动...www.kiaic.com/article/detail/298.html 2018-03-28
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mos器件漏极偏压详解原因 n沟道MOSFET
MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向．在集成电路中，较小的器件尺寸可到达较高的器件密度，此外，较短的沟道长度町改善驱动电流（ID~1/L）以及工作时的特性，但是，由于器件尺寸的缩减，沟道边缘（如源极、漏极及绝缘区边缘）的扰动将变...www.kiaic.com/article/detail/300.html 2018-03-28
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MOS管损坏是什么原因 开关耗损详细原因
mos在控制器电路中的工作状态：开经过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开经过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流惹起的，这个忽略不计），还有雪崩能...www.kiaic.com/article/detail/301.html 2018-03-28
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如何选用三极管和MOS管
(1)MOS管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的状况下，应选用MOS管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。(2)电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种...www.kiaic.com/article/detail/304.html 2018-03-28
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场效应管的基础知识，命名方法，参数
场效应管场效应管是应用电场效应来控制电流变化的放大元件。它与晶体管相比，具有输入阻高、噪声低、热稳定性好等优点，因此得到了疾速开展与应用。场效应管与晶体管同为放器件，但工作原理不同：晶体管是电流控制器件，在一定条件下，其集电极电流受基极电控制...
www.kiaic.com/article/detail/305.html 2018-03-28
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绝缘栅双极型晶体管的原理，分类，优势与缺点
绝缘栅双极型晶体管的原理，分类，优势与缺点
www.kiaic.com/article/detail/306.html 2018-03-28
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cmos接口电路-CMOS与放大器的接口电路分析-KIA MOS管?
假如CMOS电路的负载（执行元件）是继电器，则电路必需具有较大的带负载才能。图7-6所示为非门驱动一个分立元件的开关放大器件的接口电路。中三极管的集电极负载为继电器KA线圈。其工作电流为lOOmA。若晶体管的β=25，则需求4mA的基极电流。这对与非门来说是个拉...www.kiaic.com/article/detail/311.html 2018-03-28
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场效应管有什么特点以及工作原理 电子元器件
场效应管的特点足由栅极电压U(;控制其漏极电流ID和普通双极型晶体管相比较，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点。场效应管的基本工作原理如图4-24所示（以结型N沟道管为例）。由于栅极G接有负偏压（-UG），在G附近形成耗尽层...www.kiaic.com/article/detail/313.html 2018-03-28
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使用场效应管时有些哪些注意事项
场效应管较三极管娇弱，使用不当很容易损坏，因此使用时应特别注意以下事项。 ①应根据不同的使用场合选用适当型号的场效应管。常用mos场效应管的主要用途见表3-8。 ②场效应管，尤其是绝缘栅场效应管，输入阻抗非常高，不用时应将各电极短接，以免栅极感...
www.kiaic.com/article/detail/320.html 2018-03-28
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结型场效应管-结型场效应管结构和符号、特性曲线-KIA MOS管
在图2-31(a)中，s表示Source，源极；D表示Drain，漏极；G表示Gate，栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后，N型半导体中的多数载流子（电子）便能够导电了。这种导电沟道是N型的场效应管，称为N沟道结型场效应管。www.kiaic.com/article/detail/321.html 2018-03-28
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n沟道和p沟道增强型mos管的工作原理 场效应mos管
N沟道加强型MOSFET的沟道构成及符号如图2-35所示，其中图2-35 (a)所示是在一块杂质浓度较低的P型半导体衬底上制造两个高浓度的N型区，并分别将它们作为源极s和漏极D，然后在衬底的外表制造一层Si02绝缘层，并在上面引出一个电极作为栅极G。图2-35(b)所示是其在...www.kiaic.com/article/detail/322.html 2018-03-28