原装现货 KIA3103A现货 MOS管 KIA3103A 110A/30V PDF文件下载-KIA

KIA3103A N沟道 MOSFET 100A /30V PDFN5*6封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心，...

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www.kiaic.com/article/detail/714.html         2018-03-13

开关电源电路-单片机开关电源电路图详解-KIA MOS管

一、单键控制单片机电源开关电路二、单片机电源双按键开关机电路三、单按键控制单片机电源开关机电路运用一个轻触开关按键分离单片机软件控制来完成单片机电源的“开”和“关”，在关机状态下电路功耗极低，是一个适用性很强的电路。

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www.kiaic.com/article/detail/715.html         2018-03-13

无极灯与LED灯的区别-LED与无极灯互补性分析-区分优势与缺点-KIA MOS管

年的长期测试和检验，无极灯可达到10万小时的燃点寿命。对于维护困难的场所(如高天棚厂房、高精密设备车间、隧道、桥梁、道路、能源及化工相关产业等)和维护成本极高的欧美国家等，凸显了其价值和品质。2、光、色指标要求极高的场所针对眩光、色温、显色性等指...

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www.kiaic.com/article/detail/716.html         2018-03-13

电动车控制器-电动车无刷控制器工作原理与维修注意事项-KIA MOS管

电动车无刷控制器主要由单片机主控电路、功率管前级驱动电路、电子换向器、霍尔信号检测电路、转把信号电路、欠电检测电路、限流/过流检测电路、刹车信号电路、限速电路、电源电路等部分组成，其原理框图如图1所示，下面介绍主要电路的工作原理。

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www.kiaic.com/article/detail/717.html         2018-03-13

解析cool mos是什么-cool mos定义的优势-KIA MOS管

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对于COOLMOS 结构，由于设置了相对P body 浓度低一些的P region 区域，所以P 区一侧的耗尽区会大大扩展，并且这个区域深入EPI 中，造成了PN 结两侧都能承受大的电压，换句话说，就是把峰值电场Ec 由靠近器件表面，向器件内部深入的区域移动了。

www.kiaic.com/article/detail/718.html         2018-03-13

KIA原厂家mos管 KIA3302A 8A /20AV N沟道 PDF文件下载-KIA MOS管

KIA3302A N沟道 MOSFET 8A /20V TO-251、TO-252封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...

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www.kiaic.com/article/detail/721.html         2018-03-13

KIA原厂家mos管 KIA6035A 11A /350V N沟道 PDF文件下载-KIA MOS管

KIA6035A N沟道 MOSFET 11A /350V TO-252、TO-220封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研...

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www.kiaic.com/article/detail/722.html         2018-03-13

解析三端稳压器-详细介绍三端稳压管应用范围-KIA MOS管

L7805三端稳压器由恒流源、放大电路、调整管三部分组成。L7805三端稳压器当输入电压变动时，输出电压保持不变。L7805三端稳压器的1脚为输入端；2脚为公共端（接地负极端），3脚为输出端（输出VDD+5V直流电压）

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www.kiaic.com/article/detail/695.html         2018-03-01

mos管器件与应用,mos管文章目录大全,与分析详解！

MOS工艺技术的飞速发展，存集成电路制造产业中占有越来越重要的地位，而其中的MOS模拟集成电路也因此得以快速发展。MOS工艺能实现低电源电压、低功耗的系统，迎合了当前模拟电路的发展趋势。

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www.kiaic.com/article/detail/501.html         2017-11-13

mos击穿,mos管击穿的原因及解决方法-分析大全

（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，发生电流较大。另一方面，耗尽层展广大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。（2）穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此刻源端的载流子注...

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www.kiaic.com/article/detail/509.html         2017-10-27

MOS管的三个极,G、S、D分别代表是什么？详解

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发热严重，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，如果G信号驱动能力不够，将严重影响波形跳变的时间.

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www.kiaic.com/article/detail/147.html         2017-10-26

mos管 mos管电压如何正确选择步骤-重点分析

当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型...

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www.kiaic.com/article/detail/504.html         2017-10-23

高压mos管,常用高压mos管型号、电压、参数等！

TO-92Part NumbeID（A)VDSS(V)MaxRDS(ON) @60%ID(Ω)Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)

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www.kiaic.com/article/detail/498.html         2017-10-17

mos管漏极电流电压与什么有关

漏极电流与VGS呈指数关系 至此，所考虑的MOS晶体管的工作，都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时，在栅氧化膜下方构成反型层（沟道），在漏极-源极间有电流活动，这种状态称为强反型状态。 &nbsp

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www.kiaic.com/article/detail/445.html         2017-09-12