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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5624 个

  • 设计电源双极型晶体管

    在过去的十几年中,大功率场效应管引发了电源工业的反动,而且大大地促进了电子工业的展开。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz进步到200kHz以致400kHz。同时也使得开关电源的体积变得更小,由此产生了大量运用小型电源的...

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    www.kiaic.com/article/detail/190.html         2018-03-29

  • MOS场效晶体管-功率场效晶体管结构与工作原理-KIA MOS管

    功率场效应晶体管(P-MOSFET)简称功率MOSFET,是使用大都载流子导电的半导体器材,且导通时只要一种极性的载流子参加导电,是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较,功率 MOSFET 只靠单一载流子导电 ,不存在存储效应 ,因而其关断进程十...

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    www.kiaic.com/article/detail/206.html         2018-03-29

  • 晶体管的驱动 MOSFET 管

    如上所述 ,栅极驱动电路必须能输出电流 ,即成为 “ 源”。同时,为了提供栅极反向电 压,驱动电路必须能从栅极抽取电流 ,即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 ( SG1524 系列) 的驱动电路,不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “...

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    www.kiaic.com/article/detail/211.html         2018-03-29

  • ​单片开关电源的基本原理

    单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单、所用元件少,输出与输人间有电气隔离,能方便地实现多路输出,开关管驱动简单,所以该电源便采用了单端反激式拓扑结构。由图1-13可知,高频变压器初级绕组NP的极性与次级绕组反馈...

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    www.kiaic.com/article/detail/220.html         2018-03-29

  • 驱动双极型晶体管的电路

    它们大多应用于低功 率场合 ,这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 :①用最少的元器件获得反向基极电压和反向基极电流,或者在关断和导通的过相巾将基极和发射极短路:②在主电路电流最大的时候,正向基极电流足够驱动卢值小的晶体管 ,同时不会在主电路电...

    www.kiaic.com/article/detail/212.html         2018-03-29

  • 线性电源的稳压电源

    线性电源的动态响应非常快,稳压性能好,只可惜其功率转换效率太低。要想提高效率,就必须使图 1-2中的功率调整器件(即调整管)处于开关上作状态,再对图1-2所示电路相应地稍加改变即成为开关型稳压电源。转变后的降压型开关电源原理图如图1-8所示。调整管作为...

    www.kiaic.com/article/detail/219.html         2018-03-29

  • MOS管半导体的函数差-半导体的函数是如何定义的-KIA MOS管

    MOS二极管的能带图,我们由夹在独立金属与独立半导体间的氧化层夹心结构开始[图6.9(a)].在此独立的状态下,所有的能带均保持水平,此为平带状况.在热平衡状态下,费米能级必为定值,且真空能级必为连续,为调节功函数差,半导体能带需向下弯曲,如图6.9(b)所...

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    www.kiaic.com/article/detail/224.html         2018-03-29

  • MOS管 MOS管电容器 MOSFET导通

    半导体存储器可区分为挥发性与非挥发件性存储器两类.挥发性存储器,如动态随机存储器和静态随机存储器,若其电源供应关闭,将会丧失所储存的信息,相比之下,非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息,目前,DRAM与SRAM被广泛地使用于个人电脑以及...

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    www.kiaic.com/article/detail/231.html         2018-03-29

  • mos管源漏极 mosfet管栅极电压 P型mosfet管的分析

    大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V)。假定超越这个限制,器件就容易被损坏。当MOSFET管工作时运用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中关断 ,就会呈现栅极电压超限的问题 。以一个工作于直流线电压为 160V ( 最大可为 186V) 电路...

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    www.kiaic.com/article/detail/232.html         2018-03-29

  • MOS晶体管种类 mos管种类名称详解!

    N沟MOS晶体管:衬底为P型,源漏为重掺杂的N+,沟道中载流子为电子。P沟MOS晶体管:衬底为N型,源漏为重掺杂的P+,沟道中载流子为空穴。在正常青况下,只需一种类型的载流子在工作,因此也称其为单极晶体管。按工作方式分增强型晶体管:若在零栅压下不存在漏源...

    www.kiaic.com/article/detail/233.html         2018-03-29

  • mos管工作用途是什么 开关是什么 通断注意方法

    MOS管的开关条件”前而处置了MOS管的按法问题,接下来谈谈MOS管’ 的 开关条件·控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管导通 (饱和导通) 控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管截止这个问题触及到MOS管原理只记结果:不论N沟道还是Pr句道MOS管,G极电压都是与S极做比较...

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    www.kiaic.com/article/detail/234.html         2018-03-29

  • mos管是什么 三极管和mos管有时什么区别

    mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的,他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下,这个两个区是一样的,即便两端对调也不会影响器件的...

    www.kiaic.com/article/detail/235.html         2018-03-29

  • mos管作用是什么? 功率原理是什么?

    MOSFET的中文称号是金属氧化物半导体场效应晶体管,也叫绝缘栅场效应晶体管,缩写为MOSFET,简称MOS管。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管,它是继MOSFET之后新展开起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108?)、驱动...

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    www.kiaic.com/article/detail/239.html         2018-03-29

  • MOS的6大失效原因 ,以及解决方案答案

    MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的,他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下,这个两个区是一样的,即便两端对调也不会影响器件...

    979 次查看 mos管失效原因

    www.kiaic.com/article/detail/241.html         2018-03-29

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