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MOS晶体管种类 mos管种类名称详解!

信息来源:本站 日期:2017-05-31 

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MOS晶体管种类.

按沟道区中载流子类型分
N沟MOS晶体管:衬底为P型,源漏为重掺杂的N+,沟道中载流子为电子
P沟MOS晶体管:衬底为N型,源漏为重掺杂的P+,沟道中载流子为空穴

在正常青况下,只需一种类型的载流子在工作,因此也称其为单极晶体管。


按工作方式分增强型晶体管:若在零栅压下不存在漏源导电沟道,为了构成导电沟道,需求施加一定的栅压,也就是说沟道要经过、"增强"才干导通
耗尽型晶体管:器件本身在漏源之间就存在导电沟道,即使在零栅压下器,件也是导通的e 若要使器件截止,就必需施加栅压使沟道耗尽型。

假定、漏端电压Vds为正,当栅上施加一个小于开启电压的正栅压时,栅氧下面的P型表面区的空穴被耗尽,在硅表面构成一层负电荷,这些电荷被称为耗尽层电荷Qb。这时的漏源电流为透露电流。假定Vgs>Vth,在哩硅表面构成可移动的负电蒲Qi层,即导电沟道。由于表面为N型的导电沟道与哩衬底的导电类型相反,因此该表面导电沟道被称 为反型层。


在Vgs=Vth时,表面的少数载流子浓度(电子)等于休内的多数载流子(空穴)的浓度。栅压越高,表面少数载流子的电荷密度Qi越高。(可动电荷Qi也可称为反型电荷)此时,假定漏源之间存在电势差,由于载流子(NMOS中为电子)的扩散,会构成电流Ids。这时PN结的透露电流仍然存在,但它与 沟道电流相比非常小,普通可以忽略。由于反型电荷Qi猛烈地依赖与栅压,因此可以应用栅压控制沟道电流。

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