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mos管漏极电流电压与什么有关
漏极电流与VGS呈指数关系 至此，所考虑的MOS晶体管的工作，都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时，在栅氧化膜下方构成反型层（沟道），在漏极-源极间有电流活动，这种状态称为强反型状态。  www.kiaic.com/article/detail/445.html 2017-09-12
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mos管模型及三个小信号参数
小信号等效电路 模仿电路解析包括直流解析和交流小信号解析。这里导入小信号解析时所需要的小信号等效电路。小信号等效电路模型是使计算简单化的线性模型。三个小信号参数gm、gmb、go 如前所述，模仿电www.kiaic.com/article/detail/394.html 2017-08-18
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如何正确理解mos管衬底偏置效应
由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位VS比接地的基底的电位VB=0要高，这就意味着VSB>0。其结果，M2发作基底偏置效应，使M2的阈值电压比M1高。www.kiaic.com/article/detail/389.html 2017-08-16