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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5232 个

  • MOSFET图文详解-从器件物理层面看MOSFET的内部结构-KIA MOS管

    从器件物理层面看MOSFET的内部结构 MOSFET的内部结构:MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是集成电路的基础。

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    www.kiaic.com/article/detail/2382.html         2020-10-20

  • MOS管失效原因及预防措施分析总结-KIA MOS管

    下面对MOS失效原因总结以下六点，然后对1，2重点进行分析：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

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    www.kiaic.com/article/detail/2396.html         2020-10-20

  • 场效应管知识-使用场效应管有哪些该注意的事项？干货分享-KIA MOS管

    场效应管注意事项，在焊接时，电烙铁的外壳要接保护性地线，以防止漏电和感应而击穿管子，并做好散热工作，对绝缘栅场效应管，栅极特别容易击穿，这是因为栅极处于高度绝缘状态，栅极与衬底之间相当于一个容量很小的电容器，由于容量小，只要感应少量电荷，电压...

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    www.kiaic.com/article/detail/2395.html         2020-10-20

  • 如何解决MOS管发热-​MOS管发热原因分析及处理方法​-KIA MOS管

    MOS管发热严重的四大因素,在半导体电子应用过程中，MOS管经常会出现发热严重的现象，那么是什么原因才会导致MOS管发热？首先我们需要了解MOS管的构造原理

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    www.kiaic.com/article/detail/2394.html         2020-10-19

  • MOS管知识-MOSFET耗散功率计算图文详细解析-KIA MOS管

    计算MOSFET的耗散功率,为了确定一个MOSFET是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散，它主要包含阻性和开关损耗两部分

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    www.kiaic.com/article/detail/2393.html         2020-10-19

  • MOSFET半桥驱动电路设计要领及工作原理-KIA MOS管

    MOSFET半桥驱动电路设计要领,MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计-一个适合应用的最优驱动电路和参数。

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    www.kiaic.com/article/detail/2392.html         2020-10-19

  • 50n03参数中文 MOS管电路符号说明 30V50A内阻低 当天发货-KIA MOS管

    50n03参数中文 MOS管电路符号说明 30V50A内阻低 当天发货-KIA MOS管 KIA50N03A 30V50A产品介绍 KIA50N03A是性能最高的沟道型N-ch MOSFETs，具有极高的性能单元密度，为大部分同步降压转换器提供优良的RDSON和栅极电荷产品用途：满足罗氏和绿色产品的需求，100%...

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    www.kiaic.com/article/detail/2363.html         2020-10-16

  • MOS管知识-MOS管的导通过程和损耗分析详解-KIA MOS管

    MOS管知识-MOS管的导通过程和损耗分析详解-KIA MOS管 1.MOS管的导通过程和损耗分析： MOS管导通过程 MOS管和三极管的特性曲线分别如图1和图2所示，它们各自区间的命名有所不同，其中MOS管的饱和区也称为恒流区、放大区。其中一个主要的不同点在于MOS管有个可变...

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    www.kiaic.com/article/detail/2391.html         2020-10-16

  • 50n06参数中文 KIA50N06 50A60V 中文资料-KIA MOS管

    50n06参数中文RDS(on) =10.5m?@ VGS =10V、提供无铅绿色设备、低Rds开启，最大限度地减少导电损耗、高雪崩电流

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    www.kiaic.com/article/detail/2360.html         2020-10-16

  • 结型场效应管结构,符号及工作原理知识分享-KIA MOS管

    结型场效应管结构,符号,工作原理：结型场效应管有N沟道和P沟道两种。 N沟道结型场效应管是在N型硅材料的两侧制造两个PN结,把两个P区连接在一起引出一个极为栅极(G)，N型硅材料上下端分别引出的极为漏极(D)和源极(S) ,其结构如图1-4(a)所示,其符号如图1-4(b)所示...

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    www.kiaic.com/article/detail/2390.html         2020-10-16

  • 场效应管PN结的形成和特性详细解析-KIA MOS管

    场效应管PN结的形成和特性,众所周知,导电能力介于导体和绝缘体之间的物体,称之为半导体。它可分为本征半导体和杂质半导体两种。本征半导体就是纯净的半导体,不摻有任何杂质,它的导电能力很微弱。如果在本征半导体中掺人微量的其它物质(元素),半导体的导电性能会...

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    www.kiaic.com/article/detail/2389.html         2020-10-16

  • Mosfet过流保护电路工作原理及技术特征-KIA MOS管

    Mosfet?过流保护常用于电源电路中，用于限制电源的输出电流。“过流”这个词是指负载上的电流超过了电源的供给限度。这是很危险的情况，而且很可能对电源造成损害。所以工程师们常用过流保护电路来将负载与电源的连接断开，从而保护两者。

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    www.kiaic.com/article/detail/2371.html         2020-10-15

  • MOS管(MOSFET)基础知识:结构,特性,驱动电路分析-KIA MOS管

    MOS管(MOSFET)基础知识：结构,特性,驱动电路 下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍，特性，驱动。MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型

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    www.kiaic.com/article/detail/2386.html         2020-10-15

  • MOS管的本征增益gmro-的特征与频率解析-KIA MOS管

    MOS管的本征增益gmro-的特征与频率解析-KIA MOS管 MOS管增益指的是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值。mos管增益由跨导来表示：就是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值，这个电路单元通常指放大器。

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    www.kiaic.com/article/detail/2380.html         2020-10-14

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