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影响MOSFET性能的一些因素-这些知识务必要了解-KIA MOS管
影响MOSFET性能有哪些因素？在追求不断提高能效的过程中，MOSFET的芯片和封装也在不断改进。除了器件结构和加工工艺，MOSFET的性能还受其他几个周围相关因素的影响。影响MOSFET性能，这些因素包括封装阻抗、印刷电路板(PCB)布局、互连线寄生效应和开关速度。事...www.kiaic.com/article/detail/2381.html 2020-10-13
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MOS管的重要特性及结构，四种类型-KIA MOS管
MOS管的重要特性，MOS管的类型及结构 MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之...www.kiaic.com/article/detail/2378.html 2020-10-13
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什么是场效应管的夹断电压-夹断电压的作用及测试-KIA MOS管
什么是场效应管的夹断电压和开启电压?概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。www.kiaic.com/article/detail/2377.html 2020-10-13
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MOS管热阻参数解读及热阻测试原理-KIA MOS管
MOS管热阻参数解读（热阻、输入输出电容及开关时间）定义：热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。www.kiaic.com/article/detail/2376.html 2020-10-12
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MOS管知识-mosfet体效应(衬偏效应)详解-KIA MOS管
关于MOSFET的体效应（body-effect,衬底调制效应／衬偏效应），主要是来源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对MOSFET阈值电压vth的影响：以NMOS为例，当晶体管的（Source)电势高于体端（Bulk)电势时，栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底，使耗尽层...www.kiaic.com/article/detail/2373.html 2020-10-12
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场效应管如何精准控制电路中电流的大小-KIA MOS管
场效应管如何控制电路电流-场效应管控制电路电流，场效应管即可用于放大电流，又可以作为可变电阻，还能用作电子开关，现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中，场效应管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。www.kiaic.com/article/detail/2379.html 2020-10-12
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MOS管工作原理详解：各种mos管的转移特性曲线分析-KIA MOS管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变...www.kiaic.com/article/detail/2374.html 2020-10-10
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MOS管30V95A参数 KCX3303 高效高品质 原厂直销-KIA MOS管
MOS管30V95A参数 KCX3303 高效高品质 原厂直销-KIA MOS管 MOS管30V95A参数中文 1.特点 RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先进的沟槽技术 低栅电荷 高电流能力 符合RoHS和无卤素标准www.kiaic.com/article/detail/2369.html 2020-10-10
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1500V3A 变频器 KNX42150A 1500V3A参数附件-KIA MOS管
1500V?3A 变频器 KNX42150A 1500V?3A参数附件-KIA MOS管 1500V?3A参数 变频器? 1.产品特点 高速开关 RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V 全隔离塑料包装 2.应用 交换应用www.kiaic.com/article/detail/2364.html 2020-10-10
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KNX3302A参数详情 20V85A 内阻低 免费送样-KIA MOS管
KNX3302A参数详情 20V85A? 内阻低 免费送样-KIA MOS管 1.KNX3302A参数详情 产品说明 KIA3302A采用先进的沟道技术，以提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至2.5V。该器件适用于各种应用场合。www.kiaic.com/article/detail/2367.html 2020-10-10
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MOS过压保护电路及电池MOS管保护电路-KIA MOS管
MOS过压保护电路，当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于Vgsth门限电压，MOS管导通。当电源接反时，体二极管不通，并且Vgs的电压也不会符合要求，所有NMOS...www.kiaic.com/article/detail/2361.html 2020-10-09
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MOS管驱动设计与电路布线设计—KIA MOS管
MOS管驱动设计细节。MOS管驱动设计，一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。MOS管驱动设计，如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关...www.kiaic.com/article/detail/2357.html 2020-10-09
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MOSFET雪崩击穿问题解析- KIA MOS管
功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。在正向偏置工作时，由于功率MOSFET是多数载流子导电，通常被看成是不存在二次击穿的器件。www.kiaic.com/article/detail/2372.html 2020-10-09
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场效应管静态工作点解析及设置静态工作点的要求-KIA MOS管
场效应管静态工作点解析及设置静态工作点的要求-KIA MOS管 MOS管的静态工作点的计算 场效应管静态工作点，据场效应管的特点，利用双极型三极管与场效应管的电极对应关系，即b→G，e→S，c→D，即可在单管共射放大电路的基础上，组成共源极放大电路。www.kiaic.com/article/detail/2368.html 2020-09-30