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详解电路设计为什么要加上、下拉电阻及作用-KIA MOS管
提高电路稳定性，避免引起误动作。图1中的按键如果不通过电阻上拉到高电平，那么在上电瞬间可能就发生误动作，因为在上电瞬间单片机的引脚电平是不确定的，上拉电阻R12的存在保证了其引脚处于高电平状态，而不会发生误动作。www.kiaic.com/article/detail/3795.html 2022-09-20
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无刷直流电机矢量控制技术：单电阻采样-KIA MOS管
单电阻采样原理如图1中所示。在DC-AC变流器的地线上串联分流电阻，电阻电压信号用运算放大器放大之后输入到MCU的AD引脚，实现电流信号采样。www.kiaic.com/article/detail/3787.html 2022-09-16
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MOS管栅极串联电阻作用分享-KIA MOS管
MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速升高。www.kiaic.com/article/detail/3723.html 2022-08-16
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MOS管DS并联电阻构成的RCD缓冲电路分享-KIA MOS管
功率管开关管箝位电路原理如图1所示，当开关管Q开通时,电容Cs两端压降为晶体管饱和压降,接近于零。开关管关断时,二极管将电阻Rs短路为电感电流iL提供放电通道，电容Cs迅速充电,开关管D、S两端电压被电容电压钳位,开关管减少的电流就是电容充电增加的电流iL。www.kiaic.com/article/detail/3629.html 2022-07-04
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MOS管栅极电阻的功耗计算详解-KIA MOS管
驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管寄生电容为1nF，栅极串联电阻为20Ω，这个电阻消耗的功率是多大？www.kiaic.com/article/detail/3585.html 2022-06-13
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IIC上拉电阻的阻值计算及选取原则-KIA MOS管
IIC 通信总线是电子设计中常见的总线之一，由于 IIC 的硬件结构所限，IIC 总线上拉电阻的选取受多个因素的影响，因此就结合 IIC 开发文档分析一下上拉电阻的选取原则，以及如何计算 IIC 总线的上拉电阻阻值。www.kiaic.com/article/detail/3469.html 2022-04-15
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【图文】如何正确选择同步降压MOSFET电阻比？-KIA MOS管
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/3411.html 2022-03-18
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【技术笔记】用于测量极低电阻的简单比率技术-KIA MOS管
也许极低阻值的电阻器（即mΩ级及以下）最常见的应用是电流控制电路，因为其低阻值可降低功率损耗。对于这类应用，大约10%-20%的容差就足够了。但即使在这样的容差下，精确测量非常低的电阻值也相当困难，尤其是在涉及大电流时。www.kiaic.com/article/detail/3381.html 2022-03-04
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电阻最大电压如何计算？两种计算方法分享-KIA MOS管
导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻（Resistor，通常用“R”表示）是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种性质。导体的电阻通常用字...www.kiaic.com/article/detail/3353.html 2022-02-18
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详解电路设计中零欧姆电阻的作用-KIA MOS管
零欧电阻，即电阻标值为0欧姆的电阻称为零欧电阻。是一种理想电阻，多用于PCB设计等方面。对于初学者可能会有一个疑问：既然阻止是零，那么和一根导线有什么区别？为什么不直接连起来？www.kiaic.com/article/detail/3351.html 2022-02-17
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简化的MOSFET等效电路--Rds和Rg电阻损耗-KIA MOS管
综合上述分析可知，影响效率的因素主要有Rds（on），开关频率，有效值电流。www.kiaic.com/article/detail/3335.html 2022-02-10
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正确比较了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化-KIA MOS管
在不低于几百伏的较高电压下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一个位置的有力竞争产品，它们的数据资料中通常标明特定额定电压、结温和栅极驱动电压下的RDS(ON)值。www.kiaic.com/article/detail/3325.html 2022-01-25
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MOSFET导通状态漏源电阻图文解析-KIA MOS管
MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。www.kiaic.com/article/detail/3270.html 2021-12-28
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电子电路中电容并联电阻环节的作用分析-KIA MOS管
电容并联电阻不管在强电电路中还是在弱电电路中都能够见到这种连接方式。下面分析一下在电子电路中常见的电容并联电阻环节的作用。我们经常会看到在以三极管组成的放大电路中，在三极管发射极回路中都要串接一只阻值不是很大的电阻，常常会在这只电阻的旁边并联...www.kiaic.com/article/detail/3218.html 2021-12-03