|
|
|
结果: 找到相关主题 135 个
-
MOS管栅极-MOS管栅极驱动电阻如何设计与栅极检测-KIA MOS管
MOS管栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极...www.kiaic.com/article/detail/1318.html 2018-12-06
-
电感与电阻-解析电感与电阻的共性与区别及电阻在电路中的作用-KIA MOS管
电感同属于被动元件，只有电流通过时，才工作，它的作用是将交流转换为直流，然后滤除一部分杂讯波，让平稳的波通过，电感的制作目前重要是以手工为主，屏蔽电感的组装要依靠治具，否则会让公差加大。检测主要是通过LCR数字电桥或其他阻抗分析仪，分为物理测试...www.kiaic.com/article/detail/1018.html 2018-07-27
-
电阻-电阻的作用和工作原理等介绍-KIA MOS管
电阻是描述导体导电性能的物理量，用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的电流I的比值来定义，即R=U/I。所以，当导体两端的电压一定时，电阻愈大，通过的电流就愈小; 反之，电阻愈小，通过的电流就愈大。因此，电阻的大小可以用来衡量导体对电流阻碍作用的...www.kiaic.com/article/detail/989.html 2018-07-13
-
MOS管GS击穿及电阻作用分析-MOS管被击穿原因及解决方案-KIA MOS管
mos管击穿原因、mos管被击穿、mos管击穿电压一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。MOS管GS击穿?JFET管和MOS管一样，有很高的输入...www.kiaic.com/article/detail/979.html 2018-07-12
-
mos管栅极电阻-mos管优化栅极驱动设计及驱动效果详解-KIA MOS管
mos管栅极电阻，mosfer栅极电阻，对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容：一是最优...www.kiaic.com/article/detail/895.html 2018-06-15
-
选用电阻通用型和标准的方面
(l)选用电阻时，电阻的首要参数分类（包括标称阻值、额定功率和容许过错）有必要满足实验和设汁的需要。格外是电阻的额定功率·般恳求大干实习T作值的l~2倍。(2)在高频电路中，应选用分布参数小的电阻二这儿所指的分布参数是指电阻的分布电感和分布电容。一...
www.kiaic.com/article/detail/186.html 2018-03-29
-
电阻具体能起到什么作用
(1)可以快速恢复，以满足越来越高的速度需求。以开战电源为例，采用双极型晶体管n寸-速度能够到达几十千赫兹；运用MOSFET和ICBT时，速度能够到达几百千赫兹；而采用了谐振技术函亓关电源，速度则能够到达兆赫兹以上。(2)通态压降（1E向压降）降低，这能够减少器...www.kiaic.com/article/detail/240.html 2018-03-29
-
无源器件有包括哪几种类型,以及详解电阻器件的作用
无源器件1．电阻没有硅化物阻挡层掩模的工艺中，按方块电阻值R□增大的顺序可分为：金属、硅化的多品硅、源/漏P、或N+材料、N阱等。金属层可以为电路提供阻值很小的电阻。在CMOS工艺中，—般用铝线作为电阻，但是在用www.kiaic.com/article/detail/470.html 2018-03-23
-
无源器件主要包括电阻,电容等,以及制作的方法介绍详解
在金属栅与硅栅技术的NMOS和CMOS工艺中，可以制作此类电阻，它是与MOS管的源/漏区同时制成的，其剖面结构如图1.21所示。该类电阻的方块电阻值为R□=20～100Ω（最大为lMΩ)，在需要较大电阻时，需要很多方块（如1MΩ时，需10000方块），占用很大面积，所以一般...www.kiaic.com/article/detail/469.html 2018-03-23