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1200v 3a高压mos管,电源应用,42120A引脚图参数-KIA MOS管
KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1200V，漏极电流最大值为3A；RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-252；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4455.html 2023-08-30
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快速区分钽电容正负极,判断方法,标示图-KIA MOS管
钽电解电容，又叫钽电容，属于电解电容中的一类，是一种有“极性”的电容。钽电容是一种以钽为主成分的电子元件，它具有体积小、容量大的诸多特点，被广泛应用在家电、数码产品的电路板上。www.kiaic.com/article/detail/4454.html 2023-08-30
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大功率开关电源电路、原理图文-KIA MOS管
大功率开关电源原理是通过电路控制开关使用高速导通和截止。开关电源电路将直流电转换成高频交流电，然后将其提供给变压器以进行电压变换，以产生所需的一组电压或电压组。www.kiaic.com/article/detail/4453.html 2023-08-30
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静态功耗和动态功耗介绍、计算公式-KIA MOS管
CMOS电路功耗是由静态功耗和动态功耗组成的，动态功耗远大于静态功耗。静态功耗是指漏电流功耗，是电路状态稳定时的功耗，其数量级很小。www.kiaic.com/article/detail/4452.html 2023-08-29
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隔离驱动详解,和非隔离驱动的区别-KIA MOS管
隔离驱动（isolated power）是指在输入端和负载端之间通过隔离变压器进行电气隔离，使输出端无法直接接触高压。因此触摸负载就没有触电的危险，隔离驱动的优点是安全。www.kiaic.com/article/detail/4451.html 2023-08-29
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场效应管1000v 13a 64100A引脚图 mos管参数-KIA MOS管
KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于DC-DC转换，电机控制等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4450.html 2023-08-28
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sop8封装尺寸图,sop8封装详解-KIA MOS管
SOP8是一种封装形式，SOP8封装通常用于集成电路 (IC) 的制造，其中SOP代表“Small Outline Package”，意味着该封装比传统的DIP封装更小，节省空间并提高线路密度。www.kiaic.com/article/detail/4449.html 2023-08-28
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n沟道mos管和p沟道mos管-KIA MOS管
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。www.kiaic.com/article/detail/4448.html 2023-08-28
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1000V 10A电源应用 61100A场效应管 mos管参数-KIA MOS管
KNX61100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为10A；RDS (on) = 1.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于备用电源，充电桩等应用。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4447.html 2023-08-25
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无线发射电路原理及电路图详解-KIA MOS管
于不同场合的遥控设备，发射电路的组成是不同的，如在近距离对家用电器或玩具进行遥控，发射电路输出的功率只要10～20mW就够了，没有必要有中间放大级及高频功率放大器，调制电路直接对高频振荡电路进行调制发射即可。www.kiaic.com/article/detail/4446.html 2023-08-25
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三极管自锁电路,自锁电路图分享-KIA MOS管
三极管自锁电路是利用三极管放大倍数以及正反馈效应构成的一种电路。在某些需要稳定化输出的场合，可以采用三极管自锁电路来保证输出的恒定。www.kiaic.com/article/detail/4445.html 2023-08-25
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1000V 6A场效应管KNX45100A 参数引脚规格书-KIA MOS管
KNX45100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为6A；RDS (on) = 2.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于备用电源，充电桩等应用。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-252；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4444.html 2023-08-24
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闩锁效应,闩锁效应解决方法-KIA MOS管
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。www.kiaic.com/article/detail/4443.html 2023-08-24
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详解电容在电路中的作用-KIA MOS管
电路中C1是输入耦合，C2是输出耦合，耦合电容的大小及谐振频率根据电路的信号频率来选择，如高频0.001-0.1UF，音频1-22UF，当然这只是一参考值，主要根据实际调试效果来选择合适的电容值。www.kiaic.com/article/detail/4442.html 2023-08-24