|
|
|
结果: 找到相关主题 5184 个
-
MOS管各种泄漏电流的原因分析-KIA MOS管
MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，泄漏电流变得很大，并有助于功耗。www.kiaic.com/article/detail/4172.html 2023-04-10
-
【图文分享】MOSFET的截止频率计算-KIA MOS管
在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)截止频率www.kiaic.com/article/detail/4171.html 2023-04-07
-
电机PWM驱动--MOSFET寄生二极管功耗-KIA MOS管
当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，其功耗应该是寄生二极管的正向电压×电机电流。然而实际上，有时功耗可能会大于这个计算值。www.kiaic.com/article/detail/4170.html 2023-04-07
-
图文详解MOSFET的开关及其温度特性-KIA MOS管
栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。www.kiaic.com/article/detail/4169.html 2023-04-07
-
MOSFET的寄生电容 静电容量分析-KIA MOS管
在构造上，功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘，在DS(漏极、源极)间形成PN接合，成为内置二极管构造。其中，Cgs、Cgd的容量根据氧化膜的静电容量决定，Cds根据内置二极管的接合容量决定。www.kiaic.com/article/detail/4168.html 2023-04-06
-
电路设计：MOSFET内部二极管应用逆变器-KIA MOS管
MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。www.kiaic.com/article/detail/4167.html 2023-04-06
-
MOSFET驱动器的功率损耗三个公式-KIA MOS管
对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压的上升和下降）。因此，MOSFET驱动器的电流驱动能力并不影响由MOSFET栅极的容性负载产生的驱动器功耗。www.kiaic.com/article/detail/4166.html 2023-04-06
-
MOSFET驱动器电路配置图文分享-KIA MOS管
使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候，由于高的峰值电流、驱动电压快的上升 / 下降时间以及电路板上长走线引起的电感，需要考虑额外的钳位电路。www.kiaic.com/article/detail/4165.html 2023-04-04
-
SiC MOSFET短路保护理解分析-KIA MOS管
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。www.kiaic.com/article/detail/4164.html 2023-04-04
-
KND3203B 30V100A锂电保护板 无刷电机热销型号-KIA MOS管
锂电池主要由两大块构成，电芯和保护板PCM（动力电池一般称为电池管理系统BMS），电芯相当于锂电池的心脏，管理系统相当于锂电池的大脑。电芯主要由正极材料、负极材料、电解液、隔膜和外壳构成，而保护板主要由保护芯片（或管理芯片）、MOS管、电阻、电容和PC...www.kiaic.com/article/detail/4163.html 2023-04-04
-
SiC MOSFET RC吸收电路设计、参数计算-KIA MOS管
首先根据波形的振荡频率来计算电路中总的寄生电容值 ( C)和寄生电感值 ( L) ，然后再计算出 RC吸收电路的电阻值 ( RSN) 和电容值 ( CSN) ，RC吸收电路原理如图www.kiaic.com/article/detail/4162.html 2023-04-03
-
SiC MOSFET输出短路保护电路设计-KIA MOS管
SiC MOSFET具有输入阻抗高、高频性能好、单个驱动功率小和无需并联均流控制等显著优势。随着 SiC MOSFET 的发展和成熟，变流产品向着高频、高功率密度、高可靠性的方向快速发展。www.kiaic.com/article/detail/4161.html 2023-04-03
-
SiC MOSFET驱动电路设计基础及原理-KIA MOS管
SiC MOSFET对驱动电路的基本要求主要有:①驱动电流要足够大，以缩短米勒平台的持续时间使驱动脉冲前后沿足够陡峭，尤其在多管并联的工况下;www.kiaic.com/article/detail/4160.html 2023-04-03
-
MOSFET驱动电阻Rg的计算、选取详解-KIA MOS管
对于电机驱动来说，MOSFET是实现电流输出的关键器件，MOS驱动电路作为控制电路和功率电路的接口，其作用至关重要，它决定了这个电机驱动板卡的性能。www.kiaic.com/article/detail/4159.html 2023-03-31