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5A500V用在无刷电机很火的一颗料KIA5N50H/无刷电吹风热销-KIA MOS管
KIA5N50H 5A500V MOS管是一种高压、低内阻、低开关损耗的MOS管，适用于各种高功率应用场合，如无刷电机、安定器等。www.kiaic.com/article/detail/4158.html 2023-03-31
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光耦合MOSFET/固态继电器图文详解-KIA MOS管
光耦MOSFET是一种全固态继电器，由输入侧的发光二极管（LED）和触点的MOSFET组成。因此，通常将其称为SSR（固态继电器）。www.kiaic.com/article/detail/4157.html 2023-03-31
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图文详解MOSFET的SPICE子电路模型-KIA MOS管
上面是Nch MOSFET和二极管组合的子电路模型示例，其中包括电路连接、MOSFET的器件模型、二极管的器件模型。“模型内部的电路连接”的描述，由实例名、连接引脚以及模型名组成。www.kiaic.com/article/detail/4156.html 2023-03-30
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【电源设计】SPICE热模型及实例分享-KIA MOS管
通常，热模型在仿真中较慢，因为除了正常电气和电子行为的计算之外，仿真器还必须处理系统的所有热方程，这涉及大量计算工作。www.kiaic.com/article/detail/4155.html 2023-03-30
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MOSFET电路模型构建图文分享-KIA MOS管
对于MOSFET，电流只有一种情况，就是流经D/S之间的电路，记为IDS，电压有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲线有两种情况：VGS-IDS和VDS-IDS。www.kiaic.com/article/detail/4154.html 2023-03-30
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TTL门和MOS门悬空输入-KIA MOS管
由MOS管的特性可知，MOS管输入阻抗很大。输入阻抗大，对于微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联，输入电阻越大输入的分压越大），所以悬空时很容易受周围信号的干扰。www.kiaic.com/article/detail/4153.html 2023-03-29
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SiC MOSFET SPICE模型的对比图文分享-KIA MOS管
一种是广泛应用的制造商提供SPICE模型，这种模型在制造商的官网可以免费下载。另外一种是基于Simplorer模型新开发的SPICE模型。后一种模型可以成功描述SiC MOSFET寄生电容与极间电压的非线性关系。www.kiaic.com/article/detail/4152.html 2023-03-29
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【电路设计】MOSFET level shift电路分析-KIA MOS管
对于一般的设计或者常规思路，调整电平是最简单的，无非增加一个电平转换芯片，一种通用的电平转换芯片如下，只需要做好reference voltage与input signal voltage的匹配，其他的芯片内部的逻辑电路就可以完成了。www.kiaic.com/article/detail/4151.html 2023-03-29
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MOS管电路经典应用：IIC双向level shift-KIA MOS管
在电路设计中，电平转换电路是不可缺少的部分。在供电方面，除了系统供电以外，其他很多情况都是需要通过电平转换电路，来得到我们所需的电压。www.kiaic.com/article/detail/4150.html 2023-03-28
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运算放大器补偿方法：米勒补偿-KIA MOS管
米勒电容(Miller capacitance)通常用于运算放大器频率补偿的方法中。目前最广泛使用的频率补偿技术称为米勒频率补偿(Miller frequency compensation)，我们将在本文中探讨它。www.kiaic.com/article/detail/4149.html 2023-03-28
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图文：运放相位（频率）补偿电路设计-KIA MOS管
集成运放的内部是一个多级放大器。其对数幅频特性如图1所示中的曲线①(实线)。对数幅频特性曲线在零分贝以上的转折点称为极点。图中，称P1 P2点为极点。极点对应的频率称为转折频率，如fp1,fp2,第一个极点，即频率最低的极点称为主极点。www.kiaic.com/article/detail/4148.html 2023-03-28
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无刷电机、电源-MOS管80A 68V KNX3306B TO252/TO263-KIA MOS管
KNX3306B具有80A 68V的电流、电压， RDS(on) = 7mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =10V，??开关速度快，内阻低，耐冲击特性好。?www.kiaic.com/article/detail/4147.html 2023-03-27
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【运放】相位补偿解决振铃问题分析-KIA MOS管
加入补偿环节：在反馈电阻R2上并联一个电容就可以达到补偿的作用，说明： R2和C1构成了一个低通滤波环节，使相位滞后，儿而我们在R2上并联一个电容C2,C2和R1构成一个高通滤波器，使相位超前，已达到相位补偿的作用。www.kiaic.com/article/detail/4146.html 2023-03-27
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图文分享：运算放大电路的相位补偿-KIA MOS管
下面加入一个补偿环节来对电路进行补偿，这里在R2上并联一个电容，容值为6p,为54p的1/9，也即电阻比值的反比。针对当前的参数，补偿电容为6P时是处于完全补偿状态，小于6P则处于欠补偿状态，大于6P则处于过补偿状态。www.kiaic.com/article/detail/4145.html 2023-03-27