|
|
|
结果: 找到相关主题 5479 个
-
【图文】MOSFET、MODFET、MESFET区别-KIA MOS管
MOSFET、MODFET、MESFET最大的区别在于栅极的控制；MOSFET是MOS金属-氧化物-半导体（电容）做栅极；www.kiaic.com/article/detail/3990.html 2022-12-22
-
FET、MOSFET、MESFET、MODFET分享-KIA MOS管
FET，有源极（Source）就是电子从源流入FET;栅极（Gate），是个门，阀门，打开FET，电子就流动，关上阀门，电子就不流动。漏极（Drain），电子流出FET；电子是负电荷，所以，是从GND流到Vcc的。www.kiaic.com/article/detail/3989.html 2022-12-22
-
单片机IO引脚直接驱动直流电机-KIA MOS管
IO进行控制：高电平转动，低电平停止。IO口高电平时：三极管集电级和发射级导通，电机能量来源于VCC输入，足以满足电机工作。www.kiaic.com/article/detail/3988.html 2022-12-22
-
电动汽车充电桩电路图分享-KIA MOS管
直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中，MOSFET是开关电源模块中最核心的部分，是实现电能高效率转换，确保充电桩稳定不过热的关键器件。www.kiaic.com/article/detail/3987.html 2022-12-21
-
开关电路：三极管限流电阻如何选择？-KIA MOS管
上图是一个利用三极管D882搭建的电磁阀开关电路，P25是一个24V驱动的电磁阀 ，此电磁阀驱动功率为9W，由此可知当三极管做开关电路时，集电极所需电流Ic=9/24=0.375A，www.kiaic.com/article/detail/3986.html 2022-12-21
-
【电路分享】门控开关电路图-KIA MOS管
门控开关电路中可分为三个部分：一是有电容降压，再进行半波整流滤波的电源部分，输出的直流电压给CD4013和其他器件供电；www.kiaic.com/article/detail/3985.html 2022-12-21
-
驱动IC控制的MOS管开关电路实例分析-KI MOS管
专门的驱动IC为了实现快速开关MOS，一般内部会集成自举电路，从而可以提供高于电源电压的驱动电压来快速开关MOS,以DGD0506为例，虽然该IC的供电电源电压是15V，但是它却能提供高达50V的驱动电压输出。www.kiaic.com/article/detail/3984.html 2022-12-20
-
三极管继电器驱动电路器件参数值计算-KIA MOS管
一般采用三极管作为继电器驱动电路，而NPN三极管是充当低侧开关，这意味着NPN导通时，三极管本身将成为继电器线圈的接地路径，下面是一个继电器驱动电路，我们可以把继电器线圈等效成线圈电感Lcoil和线圈电阻Rcoil的串联电路。www.kiaic.com/article/detail/3982.html 2022-12-20
-
如何提高单片机IO口驱动能力？详解-KIA MOS管
单片机的IO口可以输出三种状态：高电平、低电平、高阻。一般不同封装和颜色的驱动电压和电流都有些许差异，具体要参照使用LED的规格书。www.kiaic.com/article/detail/3981.html 2022-12-20
-
单片机IO口驱动为什么选用三极管？-KIA MOS管
单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。www.kiaic.com/article/detail/3980.html 2022-12-19
-
【图文分析】关于线性MOSFET-KIA MOS管
线性MOSFET是线性模式应用的最合适选择，能够确保可靠运作。然而，用于线性模式应用时，标准MOSFET容易产生电热不稳定性(electro-thermal instability, ETI)，可能导致器件损坏。www.kiaic.com/article/detail/3979.html 2022-12-19
-
MOSFET带负载功率能力图文分享-KIA MOS管
热阻其实可以理解成MOS的散热能力参数，热阻越大，散热越差，对于器件而言，如果没加散热器，一般只考虑结到空气的热阻，如果加了散热器，则需考虑结到外壳，以及外壳到空气的热阻。www.kiaic.com/article/detail/3978.html 2022-12-19
-
MOSFET电动汽车充电桩应用【电路设计】-KIA MOS管
由于主电路与微控制器STM32功率相差过大，MOS管和控制器之间必须隔离，因此每个MOS管都采用独立的驱动电路。www.kiaic.com/article/detail/3977.html 2022-12-16
-
汽车电子核心元件-MOSFET技术-KIA MOS管
沟道型MOSFET已成为当前大部分车载应用的标准应用。传统的平面型MOSFET建立在硅晶圆表面之上，而沟道型MOSFET是在硅片上蚀刻垂直沟道，从而让功率开关得以拥有更高的单元密度和更低的导通阻抗。www.kiaic.com/article/detail/3976.html 2022-12-16