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首先考虑当开关打开时,初级绕组将进行充电并且在初级绕组内有电流流动,这样我们就可以根据KVL方程得到如下的关系式:Vin – VL – Vs = 0;
www.kiaic.com/article/detail/3961.html 2022-12-09
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DCM和CCM的判断,并非只是单纯按照初级电流是否连续来进行判断,而是要根据初,次级的电流合成来判断的。只要初,次级电流不是同时为零,那就是CCM模式。二如果存在初,次级电流同时为零的状态,那就是DCM模式。如果是介于两者之间的,就是BCM模式。
www.kiaic.com/article/detail/3960.html 2022-12-09
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微变等效电路法:在小信号条件下,把非线性的晶体管用线性模型来代替,用线性电路的分析方法来计算基本放大电路。
www.kiaic.com/article/detail/3959.html 2022-12-08
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举个例子,比如输入的栅源信号是Vgs+VGS,分析小信号时,只看Vgs,这样在电路中其作用产生的Ids为IDS关于VGS(直流信号)求偏导后乘以Vgs,这里的IDS关于VGS求偏导就定义为跨导gm。对于一个mos,常见的跨导有三类:gm、gds、gmb。
www.kiaic.com/article/detail/3958.html 2022-12-08
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在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数,即为一个压控电流源,电流值为,且由于栅源之间的低频阻抗很高,因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型,如图所示。
www.kiaic.com/article/detail/3957.html 2022-12-08
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放大器是电子产品的组成部分,用于放大低幅度信号。放大器在增强信号方面起着非常重要的作用,特别是在音频和电力电子方面。
www.kiaic.com/article/detail/3956.html 2022-12-07
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场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)是两种封装形式各异的晶体管,虽然MOSFET和BJT都是晶体管,但它们的工作方式不同,表现出不同的行为,因此它们的使用方式不同。
www.kiaic.com/article/detail/3955.html 2022-12-07
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MOSFET放大器简单电路图如下图所示,在该电路中,漏极电压 (VD)、漏极电流 (ID)、栅源电压 (VGS) 以及栅极、源极和漏极的位置通过字母“G”、“S”和“ D”。
www.kiaic.com/article/detail/3954.html 2022-12-07
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共源放大器可以定义为当 i/p信号在栅极 (G) 和源 (S) 的两端给出时,o/p电压可以通过漏极内负载处的电阻器放大和获得。在此配置中,源端子充当i/p和o/p之间的公共端子。
www.kiaic.com/article/detail/3952.html 2022-12-06
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因为放大器有输入和输出两个端口,会占用MOSFET其中两个极,剩下那个极接地或电源,作为参考电极。
www.kiaic.com/article/detail/3951.html 2022-12-06
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共栅级的栅极电压为 V b ,是固定电位。在源级输入电压发生变化时,直接改变了共栅管的过驱动电压,产生了对应的漏电流,可以看到共栅级的放大能力是源于共栅管的跨导。
www.kiaic.com/article/detail/3950.html 2022-12-06
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两个开关都拨到上面的时候称为CASE1,都拨到下面的时候称为CASE2。这也就是我们平时所说的同相放大电路和反向放大电路。
www.kiaic.com/article/detail/3949.html 2022-12-05
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以Idvd曲线为例,对于MOS管来说,大信号所体现的特性是直流的静态工作点。那么其直流阻抗就是V/I=b/a。
www.kiaic.com/article/detail/3948.html 2022-12-05
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这一步主要是确定板子和管子的基本状态是否正常,首先利用万用表测量一下功放栅极对地、漏极对地的电阻是否正常,确定管子是否损坏;再检查一下电路板的状态,有无虚焊,短路,装配功放管时接地是否做到最好等等。
www.kiaic.com/article/detail/3947.html 2022-12-05