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在PWM控制芯片及其它电源控制器的内部,集成了用于驱动功率MOSFET的Totem图腾柱驱动器,最简单的图腾柱驱动器如图1所示,由一个NPN三极管和一个PNP三极管对管组成,有时候也会用一个N沟道MOSFET的一个P沟道MOSFET对管组成,工作原理相同。
www.kiaic.com/article/detail/3616.html 2022-06-28
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可以应用任意数量的常开开关。安装水银开关,以确保在移动转向装置或将自行车抬离其侧支架或将其从中央支架向前推时它们关闭。使用微动开关固定可拆卸面板以及驮包的盖子等。尽管至少再一次-警报将重置。
www.kiaic.com/article/detail/3615.html 2022-06-27
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触点动熔焊指闭合或分断过程中,预击穿和回跳电弧短时间内释放巨大的热量,使接触面局部快速加热、软化、熔化、气化,然后迅速冷却、凝固导致触点材料连接一体,并在分断过程中阻碍触点脱离接触的现象。
www.kiaic.com/article/detail/3614.html 2022-06-27
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1、R1上拉电阻 将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平,维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态。
www.kiaic.com/article/detail/3613.html 2022-06-27
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KNX7606A是性能最高的N沟道mosfet,为大多数同步buck变换器提供优良的RDSON和栅极电荷,KNX7606A符合RoHS和绿色产品要求。
www.kiaic.com/article/detail/3612.html 2022-06-24
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控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+5V_OUT 无输出。电阻R4是为了在 Control 为高阻时,将三极管Q2的基极固定在低电平,不让其浮空。
www.kiaic.com/article/detail/3611.html 2022-06-24
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让MOS管工作在放大区,通过Vgs电压控制lds电流,前端将PWM波转换成可调电压,控制BJT后级压降。( P沟道是箭头向里, N沟道是箭头向外)
www.kiaic.com/article/detail/3610.html 2022-06-24
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一般的单片机供电电压是3.3V或者5V供电,输出的电平也是在3.3V或5V电压,如果要想去控制一个更高电压的外设设备,那么就需要外加其他驱动,来间接控制。
www.kiaic.com/article/detail/3609.html 2022-06-23
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NPN:基极(B)接10K电阻到TTL电平,射极(E)接地,集电极(C)接10K电阻到电源输入(Vin)。PMOS:源极(S)接电源输入(Vin),栅极(G)接NPN的集电极(C),漏极(D)电源输出(Vout)。
www.kiaic.com/article/detail/3608.html 2022-06-23
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CONTROL电平为高,电路开通,双向导通:如CONTROL电平为高,则Q4 NMOS开通,Q2、Q3的G极电位均被拉低到0V。
www.kiaic.com/article/detail/3607.html 2022-06-23
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1. 串联1只二极管。优点是电路简单、可靠。但有0.7V的压降。2. 串联4只二极管的全桥。优点是无论正接、反接,电源都能正常工作。缺点是要损失1.2V ~1.4V的电压。
www.kiaic.com/article/detail/3606.html 2022-06-22
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如上图,通过电路中串联一个二极管,来防止电路电源反接。如果电源供电反向接入,二极管反向截止不导通。从而起到保护电路的作用。
www.kiaic.com/article/detail/3605.html 2022-06-22
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MOS管通过GS之间的电压VGS来控制通断,NMOS和PMOS的控制方式不一样,如下: NMOS的控制方式 NMOS的VGS > Vth时,NMOS导通,用单片机控制NMOS时,单片机输出高电平可以控制NMOS管的导通,单片机输出低电平时NMOS管关断。
www.kiaic.com/article/detail/3604.html 2022-06-22
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KIA7306A高密度沟槽的N沟道MOSFET,提供优良的导通电阻和栅极指控对于大多数的同步降压转换器应用。KIA7306A满足RoHS和绿色产品需求。
www.kiaic.com/article/detail/3603.html 2022-06-21