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TOLL封装布局缩减30% 80V/240A KCT1808A-KIA MOS管
KIA半导体近期推出了几款采用 TOLL 封装的 NMOS 产品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％，节省了宝贵的 PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。www.kiaic.com/article/detail/3946.html 2022-12-02
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MOSFET放大器的等效模型、工作区间、偏置-KIA MOS管
截止区：iDS为0，Vo恒为Vs。饱和区：对应电流源模型，Vo随Vin快速变化。线性区：对应电阻模型，Vo随Vin缓慢变化。www.kiaic.com/article/detail/3945.html 2022-12-02
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开关瞬态阶段SiC MOSFET建模分析-KIA MOS管
图 1 显示了处于开关瞬态阶段的 SiC MOSFET 建模过程，该过程基于电感钳位电路，该电路具有很少的关键寄生参数 Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生参数对 SiC MOSFET 的特性有很大影响，因此在建模时应给予重要考虑。www.kiaic.com/article/detail/3944.html 2022-12-02
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【电源管理】延迟上电设计分享-KIA MOS管
方案1可以设置R1，C1，R2，C2的数值以完成不同的延时，从而可以改变上电顺序，但是有缺点，因为在供电回路中串联了电阻，如果是给功放等大功率的器件供电，会产生很大的损耗。www.kiaic.com/article/detail/3943.html 2022-12-01
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【电路设计】模拟电路实现延时功能-KIA MOS管
稳压二极管有一个特性，比如上面的稳压二极管的稳压就是5.6V，也就是说，当其左端的电压没有达到5.6V的时候，其是不导通的，当电压达到5.6V，这个稳压管才会导通，才会有电流。www.kiaic.com/article/detail/3942.html 2022-12-01
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【负载开关】延时电路图文分析-KIA MOS管
延时电路一般用在对于上电时序有要求的电路以及负载开始（上电时）较大的电路而言。www.kiaic.com/article/detail/3941.html 2022-12-01
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开机延迟电路-MOS管多少V才能开启?-KIA MOS管
当开启电压达到MOS管开启电压后MOS管才能打开，DS之间才能导通D1二极管才能点亮，电路中有一颗关键的元器件C1电容，当按下SW1时电压开始给C1充电，只有当电容充到2V以上的时候Q1才会导通，导通之后按下SW2就会熄灭。www.kiaic.com/article/detail/3940.html 2022-11-30
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分享变频器的四种控制方式-KIA MOS管
变频器也称为变频驱动器或驱动控制器，是可调速驱动系统的一种，是应用变频驱动技术改变交流电动机工作电压的频率和幅度，来平滑控制交流电动机速度及转矩。www.kiaic.com/article/detail/3939.html 2022-11-30
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四种开关电路图：NMOS、PMOS-KIA MOS管
在电路设计过程中，有时需要“独立”控制几个开关的通与断。例如构造某种波形。晶体管开关能够实现一些开关的通与断不会影响其他开关的通与断，即开关之间相互“独立”，相互“无关”。www.kiaic.com/article/detail/3938.html 2022-11-30
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CMOS集成电路概念：沟道宽长比-KIA MOS管
本文介绍的数字后端概念是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个基本概念。沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。是由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。www.kiaic.com/article/detail/3937.html 2022-11-29
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如何降低MOSFET损耗？详细分享-KIA MOS管
导通功率损耗主要来源于功率电流在通态电阻Rds（（on）上产生的热。从公式来看，漏极电流IDS和温度系数K不变的前提下，降低通态损耗的方式/只有降低通态电阻Rds（on）和减小占空比。www.kiaic.com/article/detail/3936.html 2022-11-29
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IGBT失效模式详细分析-KIA MOS管
根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多，如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等，但最终的失效都可归结为电击穿和热击穿两种，其中电击穿失效的本质也是温度过高的热击穿失效。...www.kiaic.com/article/detail/3935.html 2022-11-29
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MOSFET-N沟道 P沟道MOS管的不同点-KIA MOS管
虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。www.kiaic.com/article/detail/3934.html 2022-11-28
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共源级放大电路的小信号图文分析-KIA MOS管
放大电路的小信号分析主要考虑三个参数，放大倍数、输入阻抗和输出阻抗，这三个参数直接影响实际电路中的小信号放大倍数。www.kiaic.com/article/detail/3933.html 2022-11-28