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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5196 个

  • 【收藏】几种简单的音调电路图分享-KIA MOS管

    本次的音调控制电路,其中Ai为缓冲放大级,用以降低前级输出的负担。该电路的低频转折频率为30Hz,高频转折频率为1kHz,控制范围为±20dB.使用运算放大器不仅能设计出具有高低音控制功能的音调电路,而且也能设计出具有高中低音控制功能的音调控制电路,实...

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    www.kiaic.com/article/detail/3560.html         2022-05-31

  • 【电路设计】过热保护电路图分享-KIA MOS管

    以电机过热保护为例,由PTC热敏电阻和施密特电路构成的控制电路。图中,RT1、RT2、RT3为三只特性一致的阶跃型PTC热敏电阻器,它们分别埋设在电机定子的绕组里。正常情况下,PTC热敏电阻器处于常温状态,它们的总电阻值小于1KΩ。

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    www.kiaic.com/article/detail/3559.html         2022-05-31

  • 【电路分析】MOSFET的门源极并联电容-KIA MOS管

    1.该电路用于高边开关,当MOS_ON 网络拉低到地时,开关Q1导通;2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右,以保护Q1;

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    www.kiaic.com/article/detail/3558.html         2022-05-30

  • 【MOS管选型】MOSFET应用方案分析-KIA MOS管

    DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能(下图),这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量开释给负载。

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    www.kiaic.com/article/detail/3557.html         2022-05-30

  • 米勒效应对MOSFET开关过程有什么影响?-KIA MOS管

    下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控制电路中,上管导通时,VDD通过Q1、Q4对电机进行励磁;上管关断时,电机通过Q4、Q3进行去磁。

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    www.kiaic.com/article/detail/3556.html         2022-05-30

  • MOSFET di/dt和dv/dt分开控制方法-KIA MOS管

    功率 MOSFET 的开通过程中可以分为 4 个阶段,关断过程的基本原理和开通过程相类似,以前的文章对其进行过非常详细的叙述,N 沟道功率 MOSFET 放在低端直接驱动的波形如图 1 所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/3555.html         2022-05-27

  • 【分享】dV/dt对MOSFET动态性能的影响-KIA MOS管

    MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极-源极电压的变化率。如果dv/dt太大,可能发生振铃,进而可能导致MOSFET损坏。

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    www.kiaic.com/article/detail/3554.html         2022-05-27

  • 【MOSFET失效模式】什么是dv/dt失效?-KIA MOS管

    dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB,导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差vBE,使寄生双极晶体管导通,引起短路并造成失效的现象。

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    www.kiaic.com/article/detail/3553.html         2022-05-27

  • 双脉冲测试电路原理及波形示意图-KIA MOS管

    功率器件的很多动态参数可以从器件的数据手册中获取,但是器件手册只给出特定测试条件下的动态参数。当功率回路电压和电流、驱动回路的电压、电阻和外部电容等参数变化时,器件的开关时间也将产生变化,因此在设计时有必要对器件的特定工况进行双脉冲测试,获取...

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    www.kiaic.com/article/detail/3552.html         2022-05-26

  • 【MOSFET测试】什么是双脉冲测试?-KIA MOS管

    双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性,还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复二极管(FRD)等的反向恢复特性。

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    www.kiaic.com/article/detail/3551.html         2022-05-26

  • 【电路分享】利用MOS管降低供电电压-KIA MOS管

    下面电路就是利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压,核心板启动之后,输出低电压:

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    www.kiaic.com/article/detail/3550.html         2022-05-26

  • 【分享】共源级MOS管饱和区小信号增益理解-KIAMOS管

    作为放大器,其最重要的功能就是在大信号的支持下且保证一定精度时强调对小信号的增益。本文介绍一个公式(未必完全通用,但一定满足本文介绍的四种放大器)并加以验证来加深对于小信号增益的理解。

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    www.kiaic.com/article/detail/3549.html         2022-05-25

  • N沟道MOS管饱和区、逻辑门电路-KIA MOS管

    导电沟道机理:如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型。如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。

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    www.kiaic.com/article/detail/3548.html         2022-05-25

  • 【电路设计】过流保护自恢复电路图-KIA MOS管

    具有自恢复功能的过流保护电路这款无电流取样的过流保护电路具有短路点撤除后能自动恢复输出的特点,保护时较工作时电流要小得多,即使长时间短路,也不会损坏电源,电路如附图。

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    www.kiaic.com/article/detail/3547.html         2022-05-25

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