MOSFET驱动参数：最小门极电阻计算-KIA MOS管
在《IGBT以及MOSFET的驱动参数的计算方法》该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7，并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计算公式。
然而，该应用指南并未讲述如何推导出 Eq.7，故写此文列出推导过程，如下：
由 Eq.6 可知串联 RLC 电路的特征方程为：
特征根为：
奈培频率为：
谐振频率为：
为了保证门极电流 i(t) 不振荡，则电流响应应为过阻尼，既有：
综上所述，可得：
至此，Eq.7 得证。
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