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详细分析两个PMOS背靠背用法|图文-KIA MOS管
电路描述： Q3是三极管，Q1和Q2是PMOS管，左右两边的+12V是输入，VIN是输出，用来给模块供电，PHONE_POWER是控制信号。www.kiaic.com/article/detail/3292.html 2022-01-10
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MOS管详解-NMOS和PMOS导通电流流向-KIA MOS管
一般常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。www.kiaic.com/article/detail/3291.html 2022-01-07
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直流电机正反转控制电路详细图文-KIA MOS管
电路图分为三部分，整流电路主电路和控制电路。整流电路我们要根据电机选择合适的整流变压器，直接单相电输入直流电输出。www.kiaic.com/article/detail/3290.html 2022-01-07
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【详解】晶体管与MOS管的并联理论-KIA MOS管
晶体管与MOS管并联理论：(1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。www.kiaic.com/article/detail/3289.html 2022-01-07
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MOS管版图-多级CMOS版图分析【收藏】-KIA MOS管
多级CMOS版图中，必有漏极（前级输出）和栅极（后级输入）相连，所以要先找到两级间相连的部分。然后从已知的栅极开始，逐级分析。每一级的PUN和PDN一般靠的较近，如下图，很容易区分。www.kiaic.com/article/detail/3288.html 2022-01-06
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【图文】单级CMOS版图分析-KIA MOS管
绘制NMOS管的步骤与PMOS管基本相同(新建一个名为NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型衬底上,要有一个N型注入层,这一层要覆盖整个有源区。www.kiaic.com/article/detail/3287.html 2022-01-06
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MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管
P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）；www.kiaic.com/article/detail/3286.html 2022-01-06
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MOS管60V150A KIA2806A原厂现货 免费送样-KIA MOS管
RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V100%雪崩测试可靠、坚固耐用无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）www.kiaic.com/article/detail/3285.html 2022-01-05
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关于模拟电路之钳位电路设计分析-KIA MOS管
钳位器（clamper）可以将输入波形整体上移或下移，“clamper”在 英语中的原意是“夹具”的意思，很形象地说明了它可以把波形任意钳夹在某个电平处。www.kiaic.com/article/detail/3284.html 2022-01-05
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SiC MOSFET的桥臂串扰抑制方法图解-KIA MOS管
近年来，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点，已成为高频、高温、高功率密度电力电子变换器的理想选择。然而随着SiC MOSFET开关速度加快，桥式电路受寄生参数影响加剧，串扰现象...www.kiaic.com/article/detail/3283.html 2022-01-05
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常见MOS管封装形式对应的电流电压及散热效果介绍-KIA MOS管
①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92；②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3；www.kiaic.com/article/detail/3282.html 2022-01-04
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超结结构高压功率MOSFET寄生电容形成详解-KIA MOS管
超结结构的功率MOSFET在VDS电压上升、横向电场建立产生耗尽层（空间电荷区）过程中，N型漂移层两侧的空间电荷区边界会向中心移动，如图2所示，随着VDS电压的升高，两侧空间电荷区边界会接触碰到一起，然后向再下继续移动。www.kiaic.com/article/detail/3281.html 2022-01-04
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【图文】有刷直流电机PWM驱动：H桥恒流驱动-KIA MOS管
这是有刷直流电机PWM的H桥恒流驱动电路示例。这是普通的驱动器电路，可以使用内置的比较器进行电机电流的ON/OFF控制，即PWM控制。www.kiaic.com/article/detail/3280.html 2022-01-04
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受800V架构影响|电动车市场对SiC晶圆需求暴增-KIA MOS管
电动车市场对6英寸SiC晶圆需求暴增随着新能源汽车的发展和普及，很多车主的续航焦虑逐步攀升，厂商也在进行着技术革新，旨在延长续航里程及缩短充电时间，整车平台高压化趋势明显。www.kiaic.com/article/detail/3279.html 2021-12-31