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设计准确的直流电源【图文详解】-KIA MOS管
电池测试、电化学阻抗谱和半导体测试等测试和测量应用需要准确的电流和电压输出直流电源。在环境温度变化为±5°C时，设备的电流和电压控制精度需要优于满量程的±0.02%。精度在很大程度上取决于电流感应电阻器和放大器的温漂。www.kiaic.com/article/detail/3278.html 2021-12-31
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H桥电路驱动有刷直流电机方案解析-KIA MOS管
有刷直流电机是一种直流电机，有刷电机的定子上安装有固定的主磁极和电刷，转子上安装有电枢绕组和换向器。直流电源的电能通过电刷和换向器进入电枢绕组，产生电枢电流，电枢电流产生的磁场与主磁场相互作用产生电磁转矩，使电机旋转带动负载。www.kiaic.com/article/detail/3277.html 2021-12-31
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有刷直流电机的结构及短路制动详细分析-KIA MOS管
下面是经常在模型中使用的有刷直流电机的外观，以及普通的两极（2个磁体）三槽（3个线圈）型电机的分解示意图。也许很多人都有拆卸电机、拿出磁铁的经验。可以看到有刷直流电机的永磁体是固定的，有刷直流电机的线圈可以绕内部中心旋转。固定侧称为“定子”，旋...www.kiaic.com/article/detail/3276.html 2021-12-30
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什么是栅极－源极电压产生的浪涌？详解-KIA MOS管
右侧的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步升压（Boost）电路。在该电路中，高边（以下称“HS”）SiC MOSFET与低边（以下称“LS”）SiC MOSFET的开关同步进行开关。当LS导通时，HS关断，而当LS关断时，HS导通，这样交替导通和关断。www.kiaic.com/article/detail/3275.html 2021-12-30
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步进电机：双极连接和单极连接图文分析-KIA MOS管
双极连接的方法如图所示，采用电流在一个绕组中双向流动的驱动方式（双极驱动）。这种方式电机的结构比较简单，端子数也较少，但由于必须控制一个端子的极性，因此驱动电路较为复杂。不过，这种电机的绕组利用率好，并且可以进行精细的控制，因此可以获得很高的...www.kiaic.com/article/detail/3274.html 2021-12-30
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如何解决直流有刷电机的噪声来源？-KIA MOS管
电机作为许多产品的重要组成部分，例如扫地机，吸尘器，电子门锁，汽车上的雨刮、空调压缩机以及其他各种电动类产品等，电机电磁辐射问题也关乎产品的电磁辐射能否达标，常见的电机可分为有刷电机和无刷电机，本文将主要围绕直流有刷电机的噪声来源进行分析并提...www.kiaic.com/article/detail/3273.html 2021-12-29
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【详解】有刷电机驱动器的功耗计算方法-KIA MOS管
“IC电路电流×电源电压”虽然不错，但“流过电机的电流×电源电压”中却含有电机的功耗，因此，正确的做法是应先求出电机驱动器IC的输出功耗，再加上IC电路的功耗。www.kiaic.com/article/detail/3272.html 2021-12-29
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仿真分析SiC MOSFET单管的并联均流特性-KIA MOS管
如图1所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并联的主回路和驱动回路，并设置相关杂散参数，环境温度为室温。外部主回路：直流源800Vdc、母线电容Capacitor（含寄生参数）、母线电容与半桥电路之间的杂散电感Ldc_P和Ldc_N、双脉冲电感Ls_DPTwww.kiaic.com/article/detail/3271.html 2021-12-29
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MOSFET导通状态漏源电阻图文解析-KIA MOS管
MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。www.kiaic.com/article/detail/3270.html 2021-12-28
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一文看懂MOSFET数据表--开关参数-KIA MOS管
图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷和反向恢复电荷，这代表了一个事物的两个方面。在左侧，Qrr在360A/µs时测得的值为85nC，在右边，2000A/µs时测得的值为146nC。www.kiaic.com/article/detail/3269.html 2021-12-28
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MOSFET雪崩击穿额定值理论分析-KIA MOS管
所有半导体器件都具有一定的最大反向电压额定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此阈值的操作将导致反向偏置 pn 结中的高电场。由于碰撞电离，高电场会产生电子-空穴对，这些电子-空穴对会产生倍增效应，从而导致电流增加。流过器件的反向电流会导致高功耗、相...www.kiaic.com/article/detail/3267.html 2021-12-28
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具有迟滞功能的欠压和过压闭锁电路-KIA MOS管
如果电源电压上升缓慢并且有噪声，或者如果电源本身具有电阻（如电池中的电阻），导致电压随负载电流下降，那么当比较器输入超过其UVLO阈值时，比较器的输出将在高电平和低电平之间反复切换。www.kiaic.com/article/detail/3266.html 2021-12-27
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关于无刷直流电机加速设计周期方法分析-KIA MOS管
无需编程的电机驱动器包括内置的控制换向算法，因此无需进行电机控制软件的开发、维护和认证。这些电机驱动器通常从电机获取反馈（例如霍尔信号或电机相位电压和电流信号），实时计算复杂的控制方程以确定下一个电机驱动状态，并为栅极驱动器或金属氧化物半导体...www.kiaic.com/article/detail/3265.html 2021-12-27
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【图解】使用运算放大器和MOSFET构建电流负载-KIA MOS管
测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建一个简单而准确的电流负载，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/3264.html 2021-12-27