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二极管负钳位器电路比较分析-KIA MOS管
钳位电路简介1、功能：将输入信号上移或下移，并不改变输入信号的波形。2、基本元件：二极管D、电容器C及电阻器R（直流电池VR）。3、类别：负钳位器与正钳位器。www.kiaic.com/article/detail/3208.html 2021-11-30
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KNE4603A2MOS管 7A30V资料 双N管 SOP8 原厂直销-KIA MOS管
KNE4603A2MOS管 7A30V概述KNE4603A2是高密度沟槽双N沟道MOSFET，KNE4603A2为同步buck变换器应用中提供了极好的RDSON和栅极电荷。本产品KNE4603A2符合RoHs和绿色产品要求。www.kiaic.com/article/detail/3207.html 2021-11-29
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电源和电机驱动应用中的MOS冗余驱动-KIA MOS管
电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构如图1所示，通过MCU的 PWM模块调整占空比，控制功率MOS的通断，达到相应的功能。www.kiaic.com/article/detail/3206.html 2021-11-29
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电感的频率特性以及等效电路讲解-KIA MOS管
首先，电感（线圈）具有以下基本特性，被称为“电感的感性电抗”(1) 直流基本上直接流过(2) 对于交流，起到类似电阻的作用(3) 频率越高越难通过www.kiaic.com/article/detail/3205.html 2021-11-29
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MOS管-5A-30V KPE4403A2参数 原厂免费送样-KIA MOS管
MOS管-5A-30V KPE4403A2产品概述该KPE4403A2是高密度沟槽双P沟道MOSFET，提供了优异的性能。大多数同步降压转换器应用中的RDSON和栅极充电。KNE4403A2符合环保和绿色产品要求。www.kiaic.com/article/detail/3204.html 2021-11-26
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MOS管半桥电路-关键参数计算方法-KIA MOS管
MOS管选型需要满足几个要求：1.足够的漏-源电压 VDS2.足够的漏极电流 ID3.快速开关的能力和开通、关断延时4.低的导通电阻Rds(on)www.kiaic.com/article/detail/3203.html 2021-11-26
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MOS集成逻辑门电路|图文并茂-KIA MOS管
(1)nmos反相器设电压vdd = 10v，开启电压vt1 = vt2 = 2v1、a输入高电平vih = 8vt1、t2均导通，输出为低电平vol ≈0.3v2、a输入低电平v il = 0.3v时，t1截止t2导通，电路输出高电平voh = vdd - vt2 = 8v。www.kiaic.com/article/detail/3201.html 2021-11-26
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比较-半导体制冷和压缩机制冷哪个好？-KIA MOS管
半导体制冷器是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，又称热电制冷器。用导体连接两块不同的金属，接通直流电，则一个接点处温度降低，另一个接点处温度升高。若将电源反接，则接点处的温度相反变化。www.kiaic.com/article/detail/3200.html 2021-11-25
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MOSFET和IGBT的工作区命名详解-KIA MOS管
①正向阻断区（也称为截止区，夹断区）：当栅极电压Vgs＜Vgs(th)时，MOSFET沟道被夹断，漏极电流Id=0，管子不工作。www.kiaic.com/article/detail/3199.html 2021-11-25
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LED驱动电源的拓扑结构分析-KIA MOS管
采用AC-DC电源的LED照明应用中，电源转换的构建模块包括二极管、开关(FET)、电感及电容及电阻等分立元件用于执行各自功能，而脉宽调制(PWM)稳压器用于控制电源转换。www.kiaic.com/article/detail/3198.html 2021-11-25
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开关电源关于并联均流知识详解-KIA MOS管
常用几种均流技术的工作原理1、改变单元输出内阻法(斜率控制法、电压下垂式、输出特性斜率控制式)实现方式：·UO固定，改变斜率·斜率固定，改变输出电压www.kiaic.com/article/detail/3197.html 2021-11-24
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实用的电容降压LED驱动电路讲解分析-KIA MOS管
图一为一个实际的采用电容降压的LED驱动电路﹕请注意，大部分应用电路中没有连接压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管，建议连接上，因压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管能在电压突变瞬间(如雷电﹑大用电设备起动等 )有效地将突变电流泄放，从而保护二级关和其它晶体管，它...www.kiaic.com/article/detail/3196.html 2021-11-24
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步进电机H桥驱动电路设计分析-KIA MOS管
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电...www.kiaic.com/article/detail/3195.html 2021-11-24
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MOS管饱和区沟道夹断了为什么还有电流？-KIA MOS管
MOS管就像开关。栅极(G)决定源极(S)到漏极(D)是通还是不通。以NMOS为例，图1中绿色代表（N型）富电子区域，黄色代表（P型）富空穴区域。P型和N型交界处会有一层耗尽层分隔（也叫空间电荷区，如图中白色分界所示）。www.kiaic.com/article/detail/3194.html 2021-11-23