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详细单电源运放的偏置方法-KIA MOS管
单电源运放按照输出摆幅分为2类，单电源运放不仅可以单电源供电，而且也可以双电源供电。如果采用双电源供电，单电源运放就失去了他的优势，从而与普通的双电源运放在使用上没有太大的区别。因此本文只讨论单电源运放的单电源供电工作方式。www.kiaic.com/article/detail/3688.html 2022-08-01
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图文详解放大器输出阻抗的参数计算与仿真-KIA MOS管
这种计算输出阻抗的误差主要在1MHz处对，开环增益的估计读数误差。它容易受到对数坐标系、曲线粗细等因素的影响。所以，使用LTspice仿真进一步验证开环输出阻抗的计算结果。www.kiaic.com/article/detail/3687.html 2022-07-29
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【电子精选】放大器开环增益参数仿真图文-KIA MOS管
开环增益（Open-Loop Gain，AVO或Avol），是指不具负反馈情况下（开环状态），放大器的输出电压改变量与两个输入端之间电压改变量之比。常以dB为单位。www.kiaic.com/article/detail/3686.html 2022-07-29
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【技术好文】SOA曲线的画法及计算详解-KIA MOS管
SOA曲线画法如下：1）先画Idm=25A横线（电流限制）；一般Idm定义等于Id的4倍，有少数公司定义3倍，有少数公司的某些产品定义6倍。www.kiaic.com/article/detail/3685.html 2022-07-29
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【技术好文】运放电路的几个电路设计细节-KIA MOS管
阅读一个集成运放数据手册的时候，会发现集成运放的内部其实是一个多级的放大器，因此，不可避免的对系统引入了极点使得电路需要进行相位补偿。通常采用超前补偿、滞后补偿和滞后-超前补偿。www.kiaic.com/article/detail/3684.html 2022-07-28
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运放失调电压与开环增益的关系分析-KIA MOS管
在图 1a 所示最简单的 G=1 电路中，输出电压是运算放大器的失调电压。失调电压被建模为与一个输入端串联的DC电压。在单位增益中，G=1 时，失调电压直接传递至输出。在右侧高增益电路中，输出电压为1000?Vos.www.kiaic.com/article/detail/3683.html 2022-07-28
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计算运放电路的输出失调详细方法-KIA MOS管
理想运放的传递函数由等式y = A（V+ - V-）描述，其中y是输出，A是增益，A→∞，V+和V-分别是运放正、负输入端的电压。假设实际运放输入/输出传输特性为y = A（V+ - V- + e），其中e是理想运放的差分输入误差，可以计算出失调量。www.kiaic.com/article/detail/3682.html 2022-07-28
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折叠式共源共栅结构/折叠式共源共栅放大器-KIA MOS管
共源共栅级由共源级实现电压到电流的转换，然后电流信号加到共栅级的源端。因此，构成共源共栅级时共源管和共栅管类型可以不同。如图3.0.2.1，M1是输入器件：PMOS；M2是共源共栅器件：NMOS；I1为直流偏置电流源。www.kiaic.com/article/detail/3681.html 2022-07-27
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3.7V锂电池充电方法、过程（四个阶段）-KIA MOS管
锂电池充电器的基本要求是特定的充电电流和充电电压，从而保证电池安全充电。增加其它充电辅助功能是为了改善电池寿命，简化充电器的操作，其中包括给过放电的电池使用涓流充电、电池电压检测、输入电流限制、充电完成后关断充电器、电池部分放电后自动启动充电...www.kiaic.com/article/detail/3680.html 2022-07-27
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【经典电路】3.7V锂电池充电电路图-KIA MOS管
原理：采用恒定电压给电池充电，确保不会过充。输入直流电压高于所充电池电压3伏即可。R1、Q1、W1、TL431组成精密可调稳压电路，Q2、W2、R2构成可调恒流电路，Q3、R3、R4、R5、LED为充电指示电路。www.kiaic.com/article/detail/3679.html 2022-07-27
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STFW3N150 STFW3N150管脚功能 引脚图 产品分析-KIA MOS管
选择一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果，下面详细介绍STFW3N150代替型号KNL42150A 150...www.kiaic.com/article/detail/1069.html 2022-07-26
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CMOS集成电路电压摆幅、电压余度概念-KIA MOS管
电压余度（Voltage headroom）是电路内部消耗掉的电压降，不能被转化为output voltage swing 的部分，通常这部分电压降是用来维持working transistors，让他们处于saturation region。In saturation region, Vgs-Vth(overdrive voltage) < Vds，每个working...www.kiaic.com/article/detail/3678.html 2022-07-26
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场效应管在电路中低压、宽电压、双电压应用-KIA MOS管
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的场效应管就存在一定的风险。www.kiaic.com/article/detail/3677.html 2022-07-26
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共栅级与共源级MOS管放大器小信号增益对比-KIA MOS管
左图中是直接耦合的共栅级，V b接固定电位，以电阻R D为负载。右图为小信号等效电路（做图水平拙劣），栅极接地，漏端输出。该图的输出电阻（V i n = 0时两压控电流源都为零）很显然为 r 0，负载电阻为 R D 。www.kiaic.com/article/detail/3676.html 2022-07-26