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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5377 个

  • 保护板mos管,85v120a场效应管,3008mos管,KCB3008A参数-KIA MOS管

    锂电池保护板专用MOS管KCB3008A漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够高...

    59 次查看 保护板mos管 85v120a场效应管 3008mos管 KCB3008A参数-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/5600.html         2025-04-07

  • 短沟道效应对阈值电压的影响,mosfet短沟道效应​-KIA MOS管

    随着MOSFET尺寸的缩小，特别是沟道长度的缩短，短沟道效应变得显著。这种效应包括直接隧穿、热载流子注入等，它们会改变沟道中的电荷分布和电场分布，进而影响阈值电压。短沟道效应通常导致阈值电压的降低和亚阈值摆幅的增大。

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    www.kiaic.com/article/detail/5601.html         2025-04-07

  • 逆变器工作原理,电路图,原理图详解-KIA MOS管

    逆变器的工作原理步骤：1. 直流电源输入： 接收来自太阳能电池板或蓄电池的直流电。2. 电流转换： 内部电子开关快速切换电流方向，形成与交流电类似的波形。3. 交流电输出： 转换后的交流电输送至电器或电网，为生活和生产提供动力。

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    www.kiaic.com/article/detail/5602.html         2025-04-07

  • 高频电路mos,2908场效应管,KNP2908D参数引脚图-KIA MOS管

    KNP2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低电流以减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载；无铅设备，绿色环保；产品采用专有的新型技术，具有更高的功...

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    www.kiaic.com/article/detail/5570.html         2025-03-24

  • 高频电路与低频电路的区别-KIA MOS管

    低频电路：通常工作在几十赫兹到几千赫兹的频率范围内，最多可以达到20kHz。高频电路：工作频率在几千赫兹到几兆赫兹甚至更高，通常达到GHz级别。

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    www.kiaic.com/article/detail/5572.html         2025-03-21

  • 反激电源工作原理,原理图详解-KIA MOS管

    当PMOS管导通时，高频变压器原边（Np）的上端是正电压，下端是负电压。副边（Ns）则是上端负电压，下端正电压。这时候，整流二极管是截止的，负载所需的能量由输出滤波电容C提供。

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    www.kiaic.com/article/detail/5571.html         2025-03-21

  • 线性电源和开关电源区别、优缺点详解-KIA MOS管

    线性电源是市电经过一个工频变压器降压成低压交流电之后，通过整流和滤波形成直流电，最后通过稳压电路输出稳定的低压直流电。电路中调整元件工作在线性状态。开关电源是输入端直接将交流电整流变成直流电，再在高频震荡电路的作用下，用开关管控制电流的通断，...

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    www.kiaic.com/article/detail/5569.html         2025-03-20

  • 功率因数校正电路原理,作用,pfc电路mos管-KIA MOS管

    有源PFC的基本原理是在开关电源的整流电路和滤波电容之间增加一个DC-DC的斩波电路，如下图（附加开关电源），对于供电线路来说该整流电路输出没有直接接滤波电容，所以其对于供电线路来说呈现的是纯阻性的负载，其电压和电流波形同相、相位相同。

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    www.kiaic.com/article/detail/5568.html         2025-03-20

  • bldc mos,电机驱动器mos,​25a500v,KNH7650A场效应管参数-KIA MOS管

    KNH7650A场效应管漏源电压500V，漏极电流25A，采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；低导通电阻RDS(开启) 170mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少开关损耗；性能优越、高效稳定，广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高效...

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    www.kiaic.com/article/detail/5567.html         2025-03-19

  • 等效电路图的画法,图文详解-KIA MOS管

    先找并联、再找串联，相互并联的两个电阻可以去掉其中一个作为一个”外挂“并在另一个旁边，相互串联的两个电阻直接看成一个电阻，如下图；

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    www.kiaic.com/article/detail/5566.html         2025-03-19

  • 热阻的三种计算公式,热阻的计算公式详解-KIA MOS管

    热阻的计算公式：R = ΔT / P，其中：R 代表热阻，单位是℃/W（或者开尔文每瓦特 K/W）。ΔT 是温度差，表示物体两端的温差，单位是℃。P 是功率，表示施加于物体的热功率，单位是W。

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    www.kiaic.com/article/detail/5565.html         2025-03-19

  • 大功率升压电路原理图,大功率电路设计-KIA MOS管

    反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻。如果考虑一个通用的IRF9540 p沟道MOSFET，内阻是0.22R或220ms，但如果考虑它的互补n沟道的IRF540，内阻是0.077R或77ms，比p沟道小3倍。

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    www.kiaic.com/article/detail/5563.html         2025-03-18

  • 直流升压电路,dcdc升压电路分享-KIA MOS管

    电路中VT1与VT2组成互补多谐振荡器，它的振荡频率约为2kHz。T是升压变压器，初级就是互补多谐振荡器的负载，次级为升压绕组，输出一个较高的脉冲电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/5562.html         2025-03-18

  • 单相半桥逆变电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    通过控制两个全控型开关器件的通断，实现直流到交流的转换。当其中一个开关闭合时，直流电源的正极连接到交流负载上，同时负载上出现正向电压；当该开关断开时，负载上出现反向电压。两个开关交替工作，使得负载上的电流和电压形成类似正弦波的波形。

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    www.kiaic.com/article/detail/5560.html         2025-03-17

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