60r090,38a600v超结,KLF60R090B场效应管参数-KIA MOS管
38a600v,60r090场效应管参数引脚图
KLF60R090B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流38A，是采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，高效低耗；极低导通电阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg=52nC，减少开关损耗；具有高耐用性、超快开关速度以及100%雪崩测试、改进的dv/dt性能，稳定可靠；封装形式：TO-220F，散热出色、适用于高耐压场景。
38a600v,60r090场效应管参数
漏源电压：600V
漏极电流：38A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：96A
雪崩能量单脉冲：199MJ
总功耗：43W
总栅极电荷：50nC
阈值电压：2.5-4.5V
输入电容：2280PF
反向传输电容：60PF
开通延迟时间：18nS
关断延迟时间：88nS
上升时间：12ns
下降时间：13ns
38a600v,60r090场效应管规格书
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