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MOS管电压控制电流-MOS管可控双导游电特性及FET压控制器件等详解-KIA MOS管
目前，曾经适用化的全控型晶体管大致有这么几大类：BJT、FET、IGBT,GTO(Gatc Turn-Off Thyristor，可关断晶闸管）、1GCT (Integrated Gatc-Com-mutated Thyristor，集成门极单向晶闸管)。IGBT、GTO、IGCT -般只用于电流开关放大，即大功带领域，而不会用于小信...www.kiaic.com/article/detail/1000.html 2018-07-19
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MOS管-MOS管短路保护电路以及短路保护电路原理图汇总-KIA MOS管
流电源电压正常时，继电器吸合，接通负载（Rfz）回路。当负载发生短路故障时，KA两端电压迅速下降，KA释放，切断负载回路。同时，发光二极管VL点亮，指示电路发生短路。本文汇总了几种常见MOS管短路保护电路。www.kiaic.com/article/detail/999.html 2018-07-19
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MOS管，CMOS-MOS管CMOS集成电路、工作原理解析以及简单比较-KIA MOS管
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。...www.kiaic.com/article/detail/997.html 2018-07-19
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N沟道MOS管工作原理等详解-N沟道MOS管30V选型、参数及封装大全-KIA MOS管
场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子是必须需求加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状况，加...www.kiaic.com/article/detail/995.html 2018-07-18
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超结MOS管，MOS管-MOS管与超结MOS管的区别及超结MOS管应用领域介绍-KIA MOS管
我们公司设计的超结MOS管是用先进的耐压原理和有话的设计结构，全新600V-900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性。满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOS管的需求。我们公司超结MOS管的主要特点是:1：更耐压伟系统...www.kiaic.com/article/detail/994.html 2018-07-18
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IGBT，MOS管-讨论IGBT和MOS管的区别-KIA MOS管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件...www.kiaic.com/article/detail/993.html 2018-07-17
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P沟道MOS管-P沟道MOS管型号、参数及工作原理-KIA MOS管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。改动...www.kiaic.com/article/detail/992.html 2018-07-17
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MOS管三个引脚实物图-MOS管三个引脚如何区分-KIA MOS管
MOS管引脚图、MOS管引脚区分、栅极G的测定：用万用表R&TImes;100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。漏极D、源极S及类型判定：用万用表R&TImes;10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约0.2&TIm...www.kiaic.com/article/detail/990.html 2018-07-16
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电阻-电阻的作用和工作原理等介绍-KIA MOS管
电阻是描述导体导电性能的物理量，用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的电流I的比值来定义，即R=U/I。所以，当导体两端的电压一定时，电阻愈大，通过的电流就愈小; 反之，电阻愈小，通过的电流就愈大。因此，电阻的大小可以用来衡量导体对电流阻碍作用的...www.kiaic.com/article/detail/989.html 2018-07-13
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不间断电源-UPS基本知识及使用时注意事项介绍-KIA MOS管
UPS（Uninterruptible Power System/Uninterruptible Power Supply），即不间断电源，是将蓄电池（多为铅酸免维护蓄电池）与主机相连接，通过主机逆变器等模块电路将直流电转换成市电的系统设备。主要用于给单台计算机、计算机网络系统或其它电力电子设备如电磁...www.kiaic.com/article/detail/987.html 2018-07-13
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mos管开启电压与mos管导通条件及过程、电压参数详解-KIA MOS管
mos管开启条件 mos管vgs电压，开启电压(YGS（th））也称为“栅极阈值电压”，这个数值的选择在这里主要与用作比拟器的运放有火。VMOS不像BJT，栅极相关于源极需求有一定的电压才干开通，这个电压的最低值（通常是一个范围）称为开启电压，饱和导通电压普通为开...www.kiaic.com/article/detail/985.html 2018-07-13
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场管自激逆变器电路图-场管自激逆变器电路图自制设计-KIA MOS管
逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成交流电（一般为220v50HZ正弦或方波）。通俗的讲，逆变器是一种将直流电（DC）转化为交流电（AC）的装置。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、VCD、电脑...www.kiaic.com/article/detail/984.html 2018-07-12
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200V大功率MOS管型号-MOS 管参数手册及电路特征等文章
MOS管功率放具有鼓励功率小，输出功率大，输出漏极电流具有负温度系数，安全可靠，且有工作频率高，偏置简略等长处。这里有MOS管的主要参数大全及KIA200V大功率MOS管型号的选型，还对MOS管的开关开关、电路特征等进行了简单的讲述。www.kiaic.com/article/detail/980.html 2018-07-12
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MOS管GS击穿及电阻作用分析-MOS管被击穿原因及解决方案-KIA MOS管
mos管击穿原因、mos管被击穿、mos管击穿电压一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。MOS管GS击穿?JFET管和MOS管一样，有很高的输入...www.kiaic.com/article/detail/979.html 2018-07-12