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MOS管开关驱动电路图-MOS管开关驱动电路设计及原理详解-KIA MOS管
MOS管开关电路图设计，MOS管开关驱动电路图，在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允...www.kiaic.com/article/detail/978.html 2018-07-11
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快恢复二极管和TVS管-快恢复二极管和TVS管的区别、选型及特点介绍-KIA MOS管
快恢复二极管和tvs管不可以是两个完全不同性质的元件，绝对不可以互换。TVS是瞬间过压保护元件，无法承受工频电流，只能用在瞬间过压保护电路中。快恢复二极管用在高频等电路整流滤波的地方，压降小，速度快，发热量也小，比如开关电源电路中等。瞬态电压抑制器...www.kiaic.com/article/detail/977.html 2018-07-11
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N沟道MOS管开关电路-N沟道开关电路损失及发现问题详解-KIA MOS管
场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道MOS管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。按资料可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，而且大多选用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗...www.kiaic.com/article/detail/975.html 2018-07-10
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什么是CMOS传输门-详解CMOS传输门的工作原理、逻辑功能及应用等知识-KIA MOS管
CMOS传输门（Transmission Gate）是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路。CMOS传输门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成，其具有很低的导通电阻（几百欧）和很高的截止电阻（大于10^9欧）。所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。...www.kiaic.com/article/detail/973.html 2018-07-09
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TO-220mos引脚顺序 TO-220封装尺寸 TO-220系列区别 KIA MOS管
to220封装引脚 、to-220的封装 、to220有什么用、TO-220全包（即塑封)和半包（即铁封）产品可以满足大功率二极管、三极管、MOS管和小规模IC的使用需求，采用带散热片的设计，增加了期间的散热通道，均衡了电路的热特性。其中全包产品可以实现散热片和外部的电器...
www.kiaic.com/article/detail/964.html 2018-07-09
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P沟道MOS管开关电路及工作原理作用-PMOS管作为开关的条件-KIA MOS管
PMOS管经典开关电路，P沟道mos管电路图，下图是两种P沟道MOS管开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为P沟道MOS管开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。www.kiaic.com/article/detail/971.html 2018-07-09
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MOS管开关损耗-MOS管开关损耗的原因分析及减少损耗的方法介绍-KIA MOS管
为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET开关损耗的来源及介绍了减少损耗的方法，进而为缓启动电路设计优化，减...www.kiaic.com/article/detail/970.html 2018-07-09
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解析P沟MOS管工作原理、特性和P沟道MOS管开关电路详解-KIA MOS管
p沟道mos管工作原理 p沟道mos管符号 p沟道mos管电路图、P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它...www.kiaic.com/article/detail/968.html 2018-07-06
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双场效应管振荡电路图-(两种双场效应管振荡电路图分析)-KIA MOS管
双场效应管振荡电路图，场效应管电路图，各种双场效应管振荡电路图晶体管振荡线路，都可以用场效应管构成，可以根据振荡原理导出用场效应管参数表示的振荡条www.kiaic.com/article/detail/967.html 2018-07-06
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pwm驱动mos管开关电路设计-pwm驱动mos管电路原理分析-KIA MOS管
pwm控制mos芯片、pwm控制mos开关、1.用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3，gate电压的峰值限制4，输入和输出的电流限制5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。www.kiaic.com/article/detail/962.html 2018-07-04
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2300mos供应商 KIA2300 mos管价格 6A/20V PDF文件资料-KIA mos管
KIA2300 N沟道 MOSFET 6.0A /20V SOT-23封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心，...www.kiaic.com/article/detail/777.html 2018-06-25
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3506Amos原厂 3506A mos管价格 70A/60V PDF文件资料-KIA mos管
KIA3506A N沟道 MOSFET 70A /60V TO-252、220封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中...www.kiaic.com/article/detail/778.html 2018-06-25
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2306mos原厂供应商 KIA2306 3.5A/30Vmos管 PDF文件资料-KIA mos管
KIA2306A N沟道 MOSFET 3.5A /30V SOT-23封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发中心，...www.kiaic.com/article/detail/779.html 2018-06-25
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快速恢复整流二极管特征 整流二极管尖峰抑制10种方法 KIA MOS管
是用于高耐压、高电流的二极管，但按照其特性、特征、制造工艺可进行以下分类。此时，对二极管基本的应用条件而言，特性和性能已优化。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅...www.kiaic.com/article/detail/780.html 2018-06-25