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pc电源,pd电源,9A 900V场效应管,KNX4890A参数引脚图-KIA MOS管
pc电源,pd电源MOS管KNX4890A采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，RDS（ON）=1.2Ω（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管特性，是一款高效优质的大功率场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4756.html 2024-01-29
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反向击穿电压是什么,二极管反向击穿电压-KIA MOS管
当pn结反向偏置时，耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此，由于量子隧穿效应，电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。www.kiaic.com/article/detail/4755.html 2024-01-29
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ht7550,ht7550参数引脚图,ht7550-1中文资料-KIA MOS管
输出类型：固定 最大输入电压：24V 输出电流：100mA 输出电压（最小值/固定值）：5Vwww.kiaic.com/article/detail/4754.html 2024-01-29
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78l08三端稳压管,78l08参数引脚图,100mA SOT-89-KIA MOS管
KIA78L08是单片固定电压调节器集成电路。它适用于需要高达100mA供电电流的应用。KIA78l08三端稳压管其特点是输出电流高达100mA，无需外部零件，内置热过载停机保护和短路电流限制功能。其封装采用SOT89封装。www.kiaic.com/article/detail/4753.html 2024-01-26
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锂电池保护板组成,工作原理,原理图分享-KIA MOS管
一般的锂电池保护板由控制IC、MOS管、电阻电容、保险丝FUSE等组成。其中控制IC，在一切正常的情况下控制MOS开关导通，使电芯与外电路沟通，而当电芯电压或回路电流超过规定值时，它立刻控制MOS开关关断，保护电芯的安全。www.kiaic.com/article/detail/4752.html 2024-01-26
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MOS管为什么会被静电击穿,原因及解决-KIA MOS管
反向击穿（Reverse Bias Breakdown）：当在MOS管的栅极和源/漏极之间施加反向电压时，电场强度可能足够大，使氧化层内的电子能够穿越氧化层，形成导通通道，导致漏电流增加。www.kiaic.com/article/detail/4751.html 2024-01-26
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PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B场效应管中文资料-KIA MOS管
PD电源热销MOS管KNX3403B是一种N沟道增强型功率Mosfet场效应晶体管，使用KIA的LVMosfet技术生产。KNX3403B经过改进的工艺和单元结构经过特别定制，漏源击穿电压30V，漏极电流85A，RDS（打开）典型值=4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，可最大限度地减少导通电阻，提供...www.kiaic.com/article/detail/4750.html 2024-01-25
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cmos电平，cmos电平与ttl电平转换-KIA MOS管
CMOS电平是在CMOS逻辑电路中用来表示逻辑状态的一种电压水平。CMOS电路利用NMOS和PMOS这两种互补类型的半导体材料来实现逻辑功能。1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。www.kiaic.com/article/detail/4749.html 2024-01-25
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x电容和y电容详解,x电容和y电容的作用,区别-KIA MOS管
X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常采取金属化薄膜电容器，电容容量是uF级。X电容多数是方型，也就是类似于盒子的形状，在它的表面一般都标有安全认证标志、耐压字样(一般有AC300V或AC275V)、依靠标准等信息。www.kiaic.com/article/detail/4748.html 2024-01-25
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MOS管23a 1200v,KNK74120A场效应管,逆变器专用-KIA MOS管
KNK74120A场效应管采用高级平面工艺，漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗以及加固多晶硅栅极结构，KNK74120A场效应管封装形式：TO-264。www.kiaic.com/article/detail/4747.html 2024-01-24
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新型锂电池5分钟内完成充电-KIA MOS管
美国康奈尔大学科学家研制出一款新型锂电池，可在5分钟内完成充电，速度快于市场上其他同类电池，且历经数千次充放电循环后仍能保持性能稳定，有望缓解电动车驾驶员的“里程焦虑”。www.kiaic.com/article/detail/4746.html 2024-01-24
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开关电源分析,电路组成,工作原理图文-KIA MOS管
开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。www.kiaic.com/article/detail/4745.html 2024-01-24
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电源模块选型1200v,KNX42120A场效应管参数-KIA MOS管
电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3A的特点，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；还具有低栅极电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，可以有效地减少开关损耗，快速恢复体二极管，使其具备更高的性能，...www.kiaic.com/article/detail/4744.html 2024-01-23
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mos管的gidl效应,MOSFET泄漏电流详解-KIA MOS管
MOS管的GIDL效应是指在栅极电压较高的情况下，绝缘层下的沟道区域会发生漏电现象的现象。这种现象是由于高电场导致绝缘层中的电子发生穿隧效应，从而形成漏电流。GIDL效应会导致器件的功耗增加、性能下降，并可能引起电流漂移现象。www.kiaic.com/article/detail/4743.html 2024-01-23