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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5126 个

  • 高压脉冲电源：高压MOS管/IGBT短路保护电路-KIA MOS管

    电路中存在短路时，流过MOS管电流值大，S极电阻两端产生压降后，致三极管由截止进入导通，此时驱动电阻有压降，MOS管进入放大区，高电压不过MOS管进行强行电流放电，芯片不会局部过热，短时间内保护电路检测到短路存在，并关闭锁定驱动电压输出。

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    www.kiaic.com/article/detail/4317.html         2023-06-26

  • 【电路解析】H桥与自举电路图文分享-KIA MOS管

    无论mos管源级Vs如何变化，我们通过自举电路，将栅极Ho处电压，根据源级Vs电压进去抬高，抬高的电压，就是自举电容上的电压，这样就能一直满足Vgs>Vmos的导通电压条件，使nmos一直在导通状态。

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    www.kiaic.com/article/detail/4316.html         2023-06-26

  • 电源开关优质MOS管KNX2706A 150A 60V原厂送样-KIA MOS管

    KNX2706A 150A 60V应用PWM应用电源管理负载开关

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    www.kiaic.com/article/detail/4315.html         2023-06-25

  • 双路电源供电电路图及原理分析-KIA MOS管

    控制板采用+5V供电，而外围器件除了需要+5V(Vcc)电源外，还需要另外一路正的或负的稳压电源供电，比如用一个-10V电源(VEE)为液晶显示器提供驱动显示对比度调节电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/4314.html         2023-06-25

  • PMOS、NMOS-全桥变换器原理详解-KIA MOS管

    当S=0时，P型沟道MOS管PM1和N型沟道MOS管NM2导通，P型沟道MOS管PM2和N型沟道MOS管NM1截止，形成第一方向的隔离传输：在变压器原边，电流从输入电源正端VIN经过PM1后从变压器原边绕组NP的同名端流入，异名端流出，并经过NM2后流到输入电源GND；

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    www.kiaic.com/article/detail/4313.html         2023-06-25

  • PN结的击穿特性、伏安特性及电容效应-KIA MOS管

    这里介绍的两种击穿都是因为反向电流“过大”而击穿的，分别是“齐纳击穿”和“雪崩击穿”。

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    www.kiaic.com/article/detail/4312.html         2023-06-21

  • PN结的导电性-PN结单向导电性分析-KIA MOS管

    PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN结截止。这就是PN结的单向导电性。

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    www.kiaic.com/article/detail/4311.html         2023-06-21

  • MOS管在光伏储能逆变中的应用|MOS管型号-KIA MOS管

    MOS在逆变器应用主要为前级升压和后级逆变两部分。前级升压将电池电压升至高压，后级逆变将高压逆变成交流电。

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    www.kiaic.com/article/detail/4310.html         2023-06-21

  • 逆变电源热销MOS管KIA20N40H 20A 400V优质国产直销-KIA MOS管

    KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能和换向模式。这些器件非常适用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校正。

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    www.kiaic.com/article/detail/4309.html         2023-06-20

  • 【半导体光刻工艺】在晶圆上绘制电路-KIA MOS管

    光刻步骤类似于图案绘制的过程。而半导体的生产制造，可以理解为是重复的堆叠和切割。利用光刻工艺，在想要切割的位置绘制图案。

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    www.kiaic.com/article/detail/4308.html         2023-06-20

  • 【半导体资讯】IGBT的激光退火工艺-KIA MOS管

    IGBT背面工艺首先是基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理，然后对减薄硅片进行背面离子注入，如N型掺杂P离子、P型掺杂B离子。

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    www.kiaic.com/article/detail/4307.html         2023-06-20

  • MOSFET-衬底偏压技术图文详解-KIA MOS管

    当Vg从0V开始上升的时候，p衬底中的多子空穴会被赶离栅区从而留下负电荷（空穴无法移动，实际上是电子的移动，电子从衬底被抽取上来，与p型半导体中的受主杂质例如硼结合，使得共价键饱和，既没有可移动的电子，也没有可移动的空穴）；

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    www.kiaic.com/article/detail/4306.html         2023-06-19

  • MOS管-衬底偏置效应图文详解分享-KIA MOS管

    衬底偏置效应，就是当衬底（body/substrate）和源（source）之间的电势差Vbs不为零的时候，所产生的一些效应的统称。

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    www.kiaic.com/article/detail/4305.html         2023-06-19

  • MOSFET器件-亚阈值摆幅（STS)详解-KIA MOS管

    亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，它代表源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，又称为S因子，S越小意味着开启关断速率ON/OFF越快。

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    www.kiaic.com/article/detail/4304.html         2023-06-19

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