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【开关电源设计】如何为电源选择合适的工作频率？-KIA MOS管
为电源选择最佳的工作频率是一个复杂的权衡过程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常来说，低频率设计往往是最为高效的，但是其尺寸最大且成本也最高。虽然调高频率可以缩小尺寸并降低成本，但会增加电路损耗。www.kiaic.com/article/detail/3426.html 2022-03-25
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【分享】功率MOSFET的几种电流感知方法-KIA MOS管
SPIC集控制逻辑、保护电路、功率器件于一体，如图1所示，在很多领域如电机驱动器，电子镇流器，DC－DC转换器，功率因数校正器，开关电源等都有应用，并体现出了明显的优势。www.kiaic.com/article/detail/3425.html 2022-03-24
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双极性电源如何提供电流？原理分析-KIA MOS管
双极性电源提供电流的工作原理是怎么样的呢？下图的波形显示了双极性电源电路的工作状态。在 VIN 端施加输入电压时，如果输入降至 12 V 以下，升压转换器会将其输出 VINTER 调节至 12 V。www.kiaic.com/article/detail/3424.html 2022-03-24
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关于MOSFET这些一定要知道【图文分享】-KIA MOS管
我们通常选MOS管会希望其有如下的参数：1、耐压足够高，避免DS的击穿。 2、导通电流足够大，保证功率的输出足够。3、体积小发热低，避免过热损坏器件。4、开关速度要快，因为要经过可变电阻区，所以要尽快， 避免过多的发热损耗。www.kiaic.com/article/detail/3423.html 2022-03-24
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3A MOS管|KNL42150A参数资料，原厂直销-KIA MOS管
3A MOS管KNL42150A资料：1.产品特点，高速开关，RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V，全隔离塑料包装。2.应用，交换应用。www.kiaic.com/article/detail/2631.html 2022-03-23
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分析高速MOSFET中误启动的发生机制-KIA MOS管
误启动是因MOSFET的各栅极电容（CGD,CGS）和RG引起的现象，在串联2个MOSFET的桥式电路中，当位于开关侧的MOSFET导通（Turn-on）时，在原本为OFF状态的续流侧MOSFET发生了不应发生的导通，导致直通电流流过，损耗增大。www.kiaic.com/article/detail/3421.html 2022-03-23
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MOSFET双脉冲测试分析MOSFET反向恢复特性-KIA MOS管
为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。www.kiaic.com/article/detail/3420.html 2022-03-23
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N沟道mos管 KIA2302 3A20V资料 SOT-23 原厂价优-KIA MOS管
N沟道mos管 KIA2302 3A20V特性VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0AVDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0Awww.kiaic.com/article/detail/3419.html 2022-03-22
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电源电路分析-过压保护电路设计-KIA MOS管
电源防护中的过压保护简单的保护，我们一般加个TVS之类的，当外部有瞬间高能量冲击时候它能够把这股能量抑制下来，虽然功率高，上千W都可以，但是维持抑制的时间很短很短，万一器件损坏或者长时间工作电压高于正常工作电压的时候，就力不从心了。www.kiaic.com/article/detail/3418.html 2022-03-22
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【分享】在模拟版图设计中堆叠MOSFET-KIA MOS管
在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串联来创建长沟道的器件。这些串联连接的器件通常被称为堆叠MOSFET或堆叠器件。www.kiaic.com/article/detail/3417.html 2022-03-22
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详细分析理解运算放大器输入失调电压-KIA MOS管
输入失调电压Vos(Voltage - Input Offset)，指的是为使运算放大器输出端为0V所需加于两输入端间之补偿电压。理想之运算放大器其Vos应该为0V。www.kiaic.com/article/detail/3416.html 2022-03-21
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【好文分享】如何防止MOSFET寄生导通？-KIA MOS管
功率MOSFET发生寄生导通（不希望发生的事件）的机率比我们的预计更高，造成的损失也更大。寄生导通通常会损坏MOSFET，且之后很难查出故障的根源。寄生导通机制取决于漏源和栅源电压间的电容分压比例 。www.kiaic.com/article/detail/3415.html 2022-03-21
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围绕二象限驱动器电路设计的PWM放大器电路-KIA MOS管
在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基极发射极结产生反向偏置，并使电流通过R11流向Q4的基极。流经Q4的电流驱动Q3和Q2，且该电流取决于PWM的水平。www.kiaic.com/article/detail/3414.html 2022-03-21
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【图文详解】如何处理MOSFET非线性电容-KIA MOS管
与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些电容并不是一件直截了当的工作，在此过程中需要它们中的某些被短路或开路（left floating）。www.kiaic.com/article/detail/3413.html 2022-03-18