|
|
|
结果: 找到相关主题 5141 个
-
PMOS管-5.3A-30V KIA9435A参数资料 原厂现货直销-KIA MOS管
PMOS管-5.3A-30V KIA9435A产品特征1、RDS(on)=50mΩ(typ)@VGS=-10V2、超高密度电池设计3、绿色产品PMOS管-5.3A-30V KIA9435A产品应用笔记本电脑，便携式设备和电池供电系统的电源管理www.kiaic.com/article/detail/3398.html 2022-03-11
-
LC并联谐振电路及串联谐振电路应用分析-KIA MOS管
根据电路中电感器L和电容器C的连接方式不同，共有两种基本的LC谐振电路：LC并联谐振电路和LC串联谐振电路。在放大器电路和其它形式的信号处理电路中，大量使用LC并联谐振电路和LC串联谐振电路。www.kiaic.com/article/detail/3397.html 2022-03-11
-
什么是LC串联谐振和并联谐振电路？详解-KIA MOS管
具有L，C元素的电路由于其频率特性（如频率Vs电流，电压和阻抗）而具有特殊的特性。这些特性在特定频率下可能具有明显的最小值或最大值。这些电路的应用主要涉及发射机，无线电接收机和电视接收机。www.kiaic.com/article/detail/3396.html 2022-03-11
-
【电路分享】LC并联谐振回路原理图-KIA MOS管
选频即从输入信号中选择出有用频率分量而抑制掉无用频率分量或噪声。在通信电子电路中，LC并联谐振回路作为选频网络而使用是最普遍的，它广泛地应用于高频小信号放大器、丙类高频功率放大器、混频器等电路中。www.kiaic.com/article/detail/3395.html 2022-03-10
-
并联谐振电路特点和应用图文详解-KIA MOS管
在电感和电容并联的电路中，当电容的大小恰恰使电路中的电压与电流同相位，即电源电能全部为电阻消耗，成为电阻电路时，叫作并联谐振。并联谐振是一种完全的补偿，电源无需提供无功功率，只提供电阻所需要的有功功率。谐振时，电路的总电流最小，而支路的电流往...www.kiaic.com/article/detail/3394.html 2022-03-10
-
【图文分享】串联谐振电路的特性及应用-KIA MOS管
在电阻、电感及电容所组成的串联电路内，当容抗XC与感抗XL相等时，即XC=XL，电路中的电压U与电流I的相位相同，电路呈现纯电阻性，这种现象叫串联谐振。当电路发生串联谐振时电路中总阻抗最小，电流将达到最大值。www.kiaic.com/article/detail/3393.html 2022-03-10
-
关于电路去耦的详细分析-KIA MOS管
诸如放大器和转换器等模拟集成电路具有至少两个或两个以上电源引脚。对于单电源器件，其中一个引脚通常连接到地。如ADC和DAC等混合信号器件可以具有模拟和数字电源电压以及I/O电压。像FPGA这样的数字IC还可以具有多个电源电压，例如内核电压、存储器电压和I/O电...www.kiaic.com/article/detail/3163.html 2022-03-09
-
PMOS过压保护电路原理图及分析-KIA MOS管
VB:蓄电池电压电源V18_PTB5: MCU IO口，发出高电平使VB_PMOS电压输出有效，TTL电平 VB_PMOS：经过PMOS保护电压输出VB_P_PROT：经二极管反向保护的PMOS输出电压www.kiaic.com/article/detail/3149.html 2022-03-09
-
IGBT尖峰电压吸收电路图文详解-KIA MOS管
关断IGBT时由于电感中储存有能量，集电极-发射极间会发生浪涌电压。缓冲电路可以抑制施加在IGBT上的过电压和关断损耗的增加。这是由于缓冲电容器可以分担关断时的一部分能量。务必妥当处理电容器所吸收的能量。www.kiaic.com/article/detail/3112.html 2022-03-09
-
MOSFET开关使用共源共栅拓扑消除米勒效应详解-KIA MOS管
如图1所示将两个三极管串联（如级联型三极管或共源共栅拓扑）可能会降低从输入到输出的总电容。鉴于上管排电压固定，上三极管的阴极电压通过下三极管控制。当开发出带有内部帘栅的四极管后，这种内部电容及其相关效应会降低，从而可以构建可以在数百兆赫下运行...www.kiaic.com/article/detail/3392.html 2022-03-09
-
详解SiC MOSFET如何降低电磁干扰和开关损耗-KIA MOS管
寄生电感是SiC MOSFET的VDS峰值和振铃的主要成因。从关闭波形（图1）中看，栅源电压（VGS）从18V至0V。关闭时的漏极电流（ID）为50A，VDS为800V。SiC MOSFET的高开关速度会导致高VDS峰值和长振铃期。www.kiaic.com/article/detail/3391.html 2022-03-09
-
【电子分享】设计准确的直流电源图解-KIA MOS管
电池测试、电化学阻抗谱和半导体测试等测试和测量应用需要准确的电流和电压输出直流电源。在环境温度变化为±5°C时，设备的电流和电压控制精度需要优于满量程的±0.02%。精度在很大程度上取决于电流感应电阻器和放大器的温漂。www.kiaic.com/article/detail/3390.html 2022-03-09
-
-4.1A-30V PMOS管 KIA3407规格参数 原厂价优 免费送样-KIA MOS管
-4.1A-30V PMOS管 KIA3407产品介绍KIA3407采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（开）、低栅极。这款产品作负载开关或在脉宽调制应用中使用。KIA3407是一款标准产品、不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。www.kiaic.com/article/detail/3389.html 2022-03-08
-
【图文】MOSFET和运算放大器构建的电流负载设计-KIA MOS管
测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建一个简单而准确的电流负载，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/3388.html 2022-03-08