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MOS管原厂KNX4760A 600V8A 专业制造 现货直销-KIA MOS管
MOS管原厂KNX4760A 600V8A-产品特征专业平面新技术RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V低栅极电荷使开关损耗最小化快恢复体二极管www.kiaic.com/article/detail/2893.html 2021-06-30
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NMOS高端驱动自举电路图文分享-KIA MOS管
（1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举...www.kiaic.com/article/detail/2892.html 2021-06-30
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PMOS、NMOS高侧和低侧驱动对比分析-KIA MOS管
功率MOS管作为常用的半导体开关，其驱动方式有什么特点呢？首先，我们认为MOS管是电压控制型器件，其正常工作时是不需要电流的（开或关的稳态条件下），只要有维持电压，MOS管即可保持开启或关闭状态。www.kiaic.com/article/detail/2891.html 2021-06-30
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PNP和NPN三极管的开关电路分析-KIA MOS管
三极管，全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。www.kiaic.com/article/detail/2890.html 2021-06-29
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三极管用于开关的注意事项详解-KIA MOS管
图1的左边NPN管，蜂鸣器接在三极管的集电极，驱动信号是常见的3.3V或5VTTL，高电平导通，电阻按照经验法可以取4.7K。如左电路开通时假设为高电平5V，基极电流Ib=(5V-0.7V)/4.7K=0.9mA，可以使三极管完全饱和，但如果是右边电路用的是PNP管，蜂鸣器同样接在三极...www.kiaic.com/article/detail/2889.html 2021-06-29
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PMOS用于电源开关应用分析-KIA MOS管
PMOS 和 NMOS 哪个更适合用于电源开关这种场合？大部分都是从工艺，导通电阻 Rds 来解释，但随着半导体工艺的进步，现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了，从 SOT-23 的封装来看，两者的大小也是差不多的。个人觉得，PMOS 用于电源开关更多是为了方便控制。...www.kiaic.com/article/detail/2888.html 2021-06-29
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MOS管600V7A KNX4660A原厂现货 免费送样-KIA MOS管
MOS管600V7A KNX4660A-产品概述KNX4660A沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高压而设计的。高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源，开关电源等。功率因数校正，基于半桥拓扑的电子灯镇流www.kiaic.com/article/detail/2887.html 2021-06-28
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KNH8150A 500V30A 原厂及PDF文件资料-价格优势 货源稳定-KIA MOS管
MOS管8150产品特征-KNH8150A：1、高级平面加工 2、RDS(ON),类型:150mΩ@VGS=10V 3、低门电荷减小开关损耗 4、坚固的多晶硅闸板结构www.kiaic.com/article/detail/1176.html 2021-06-28
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CMOS集成电压比较器设计分析-KIA MOS管
电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路，其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号)，并以输出比较得到的二进制信号。其在A／D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。www.kiaic.com/article/detail/2886.html 2021-06-28
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FQA24N50替代KNX7650A MOS管500V25A 原厂现货直销-KIA MOS管
FQA24N50替代KNX7650A MOS管?，KIA半导体主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。...www.kiaic.com/article/detail/2884.html 2021-06-25
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功率半导体器件分类及应用-KIA MOS管
电力电子技术的核心是电能的变换和控制,常见的有直流转交流(逆变)、交流转直流 (整流)、变频、变相等。在工程中拓展开来，变得五花八门,应用领域非常之广。但是,千变万化离不开其核心一一功率电子器件。www.kiaic.com/article/detail/2883.html 2021-06-25
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igbt特性分析|igbt开关特性详解-KIA MOS管
（1）转移特性用来描述IGBT集电极电流iC与栅一射电压UGE之间的关系，如图图1(a)所示。 它与功率MOSFET的转移特性类似。开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅一射电压。www.kiaic.com/article/detail/2882.html 2021-06-25
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MOS管40V190A KIA2404A场效应管 专业制造商 -KIA MOS管
1、KIA2404A产品特征RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V超高密度电池设计超低电阻100%雪崩测试无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）www.kiaic.com/article/detail/2775.html 2021-06-24
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MOS管500V24A规格书 KIA24N50H原厂现货 价格优势-KIA MOS管
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进技术是特别定制，以最小化通态电阻，并提供优越的开关。其性能好，能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这种功率MOSFET非常适合于高效率开关电源。www.kiaic.com/article/detail/2881.html 2021-06-24