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放大电路分析：三极管动态分析详解-KIA MOS管
三极管动态分析在三极管放大电路中有输入信号时的工作状态称为动态。www.kiaic.com/article/detail/2907.html 2021-07-07
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三极管的微变等效电路图文分析详解-KIA MOS管
电路分析：三极管的微变等效电路将非线性器件线性化在小信号变化量的条件下，用线性电路来描述三极管非线性特性，称为微变等效电路。www.kiaic.com/article/detail/2906.html 2021-07-07
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场效应管的微变等效电路分析-KIA MOS管
得到了晶体管的h参数后，就可以画出晶体管的线性等效电路，图z0214是晶体管的h参数等效电路。www.kiaic.com/article/detail/2905.html 2021-07-06
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电路结构-半桥全桥反激推挽拓扑详解-KIA MOS管
1. 单端正激式单端:通过一只开关器件单向驱动脉冲变压器.正激:脉冲变压器的原/付边相位关系，确保在开关管导通，驱动脉冲变压器原边时，变压器付边同时对负载供电。www.kiaic.com/article/detail/2904.html 2021-07-06
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二极管整流电路原理图文分析-KIA MOS管
图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电。www.kiaic.com/article/detail/2903.html 2021-07-06
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650V4A MOS管KNF4365A资料 原厂现货 优质品牌-KIA MOS管
KNF4365A-特征RDS(on) typ. =2Ω@VGS = 10 V ，ID=2A快速切换100%雪崩试验改进dv/dt 能力www.kiaic.com/article/detail/2902.html 2021-07-05
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半导体的导电原理详细解析-KIA MOS管
不含杂质的半导体称为本征半导体。半导体硅和锗的最外层电子有四个，故而称它为四价元素，每一个外层电子称为价电子。为了处于稳定状态，单晶硅和单晶锗中的每个原子的四个价电子都要和相邻原子的价电子配对，形成所谓的共价键，如图所示。www.kiaic.com/article/detail/2901.html 2021-07-05
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N-P沟道MOS管工作示意图分享-KIA MOS管
1. Vcc电压 由G脚流向S脚 打开阀门2. HD电压 由D脚流向S脚 到地形成环路www.kiaic.com/article/detail/2900.html 2021-07-05
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大功率MOS管650V12A KIA12N65H 原厂现货 免费送样-KIA MOS管
大功率MOS管650V12A KIA12N65H-描述KIA12N65H N沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速功率开关，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器等。www.kiaic.com/article/detail/2899.html 2021-07-02
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电子元器件-电感器的特性、功能解析-KIA MOS管
电感（一类电子元器件）一般指电感器电感器（Inductor）是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。电感器的结构类似于变压器，但只有一个绕组。电感器具有一定的电感，它只阻碍电流的变化。www.kiaic.com/article/detail/2898.html 2021-07-02
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逆变器工作原理详解|好文必看-KIA MOS管
输入部分有3个信号，12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB电压由主板上的MCU提供，其值为0或3V，当ENB=0时，Inverter不工作，而ENB=3V时，Inverter处于正常工作状态；www.kiaic.com/article/detail/2897.html 2021-07-02
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600V9.5A MOS管KIA10N60H 产品资料 原厂好价-KIA MOS管
600V9.5A MOS管KIA10N60H-描述KIA10N6OHN沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速功率开关如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥到全桥的电子灯镇流器等。www.kiaic.com/article/detail/2896.html 2021-07-01
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P-NMOS管H桥原理图文详解-KIA MOS管
所谓的 H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的 H 桥电路，它由 2 个 P型场效应管 Q1、Q2 与 2 个 N 型场效应管 Q3、Q3 组成，所以它叫 P-NMOS 管 H 桥。www.kiaic.com/article/detail/2895.html 2021-07-01
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栅极电阻选取方法及作用、注意事项-KIA MOS管
栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定，一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。IGBT栅极驱动功率 P＝FUQ，其中：F 为工作频率；U 为驱动输出电压的峰峰值；Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。www.kiaic.com/article/detail/2894.html 2021-07-01