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结果: 找到相关主题 5477 个
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开关电路及原理详解
开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。 IC根据输出电压和电流时刻调整着⑥脚锯形波占空比的大小，从而不乱了整机的输出电流和电压。从R3测得的电流峰值信号介入当前工作周波的...www.kiaic.com/article/detail/178.html 2018-03-29
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基准电压的电源
因为NMOS耗尽管的阈值电压为负值，并且具有负温度系数，因此由式(1)可知，耗尽管电流随温度上升而变大。同时将该输出接到基准电源第二级电路中M2管的栅极，减弱了该点随电源电压的变化，从而有效地进步了基准输出真个电源按捺特性。 (1)温度系数。该电流就是通...www.kiaic.com/article/detail/179.html 2018-03-29
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关于LED开关损耗与功率MOS 管
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为12...www.kiaic.com/article/detail/181.html 2018-03-29
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常用电感-解析电感的基础知识介绍-KIA MOS管
(1)通过调节线圈巾磁芯或铜芯的相对位置改变线电感量；(2)通过滑动在线圈触点~f位置来改变线圈匝数，从而改变电感量；(3)将两个串联线圈的相位置进行均匀改变以实现互感量的改变，从使线圈的总电}值随着变化。www.kiaic.com/article/detail/183.html 2018-03-29
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体二极管的 N 型 MOSFET
MOSFET管的内部构造中，漏源极之间存在一个固有的寄生二极管，如图9.18所示。体二极管的极性能够阻止反向电压经过MOS阻T管，其正向电流接受才能和反向额定电压与MOS目T管的标称值分歧。它的反向恢复时间比普通的交流电源整流二极管短，比快’恢复型二极管的长。...www.kiaic.com/article/detail/189.html 2018-03-29
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设计电源双极型晶体管
在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的反动，而且大大地促进了电子工业的展开。由于MOSFET管具有更快的开关速度，电源开关频率可以做得更高，可以从50kHz进步到200kHz以致400kHz。同时也使得开关电源的体积变得更小，由此产生了大量运用小型电源的...www.kiaic.com/article/detail/190.html 2018-03-29
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MOS场效晶体管-功率场效晶体管结构与工作原理-KIA MOS管
功率场效应晶体管（P-MOSFET）简称功率MOSFET，是使用大都载流子导电的半导体器材，且导通时只要一种极性的载流子参加导电，是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较，功率 MOSFET 只靠单一载流子导电 ，不存在存储效应 ，因而其关断进程十...www.kiaic.com/article/detail/206.html 2018-03-29
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晶体管的驱动 MOSFET 管
如上所述 ，栅极驱动电路必须能输出电流 ，即成为 “ 源”。同时，为了提供栅极反向电 压，驱动电路必须能从栅极抽取电流 ，即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驱动电路，不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “...www.kiaic.com/article/detail/211.html 2018-03-29
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线性电源的主要性能
开关电源发生过电压、过电流短路时，保护电路使开关电源停止工作以保护负载和电源本身。线性电源一般是将输出电压取样后与参考电压起送入比较电压放大器，此电压放大器的输出作为电压调整管的输入，用以控制调整管使其结电压随输入的变化而变化，从而调整其输出...www.kiaic.com/article/detail/214.html 2018-03-29
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MOSFET栅极电压
MOSFET没有存储时间 ，只存一个关断延迟时间 。关断延迟时间是栅极电压从最高电压（约为OV ） 下降到电压 Vd1 图 9.3 b所需的时间 。在这个时间段内漏极电流保持不变 ，当栅极电压下降到 Vd1 时，MOS管开始关断 。所以漏极电流F降时间是栅极电压从 Vd1下降到阔...www.kiaic.com/article/detail/218.html 2018-03-29
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单片开关电源的基本原理
单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单、所用元件少，输出与输人间有电气隔离，能方便地实现多路输出，开关管驱动简单，所以该电源便采用了单端反激式拓扑结构。由图1-13可知，高频变压器初级绕组NP的极性与次级绕组反馈...www.kiaic.com/article/detail/220.html 2018-03-29
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双极型晶体管半导体
晶体管（是转换电阻transfer rcsistor的缩写）是一个多重结的半导体器件，通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益．双极型晶体管，或称双极型结晶体管，是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有...www.kiaic.com/article/detail/225.html 2018-03-29
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驱动双极型晶体管的电路
它们大多应用于低功 率场合 ，这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 ：①用最少的元器件获得反向基极电压和反向基极电流，或者在关断和导通的过相巾将基极和发射极短路：②在主电路电流最大的时候，正向基极电流足够驱动卢值小的晶体管 ，同时不会在主电路电...www.kiaic.com/article/detail/212.html 2018-03-29
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双极型晶体管的直流增益曲线
MOSFET 管还有N个方法 ，就是设它的最大结点温度一一比如说可以将其设为 100℃。然后假设一个合理的较低的 MOSFET 管结点到外壳的温升 （ 这样就小需里太低的外 壳散热温度 ，因为器件外壳温度比结点温低的越多 ，需要的散热器越大） 。www.kiaic.com/article/detail/217.html 2018-03-29