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MOS的6大失效原因 ，以及解决方案答案
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响器件...www.kiaic.com/article/detail/241.html 2018-03-29
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LED电源发热烧坏MOS管五大技术点分析
本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会惹起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的耗费，简单的计算公式为I=cvf（思索充电的电阻效益，理论I=2cvf，其中c为...www.kiaic.com/article/detail/242.html 2018-03-29
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三端稳压器-三端稳压器7805参数-三端稳压器基础知识-KIA MOS管
7805N沟道MOSFET 1.5A/30VTO-220封装，三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列，三端IC是指这种稳压用的集成电路，只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子像是普通的三极管，TO-220的标准封装。...www.kiaic.com/article/detail/763.html 2018-03-29
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mos管参考选型表
mos管参考选型表www.kiaic.com/article/detail/244.html 2018-03-28
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超结MOSFET和Sic二极管 提高变换效率的技术趋势
超级结MOSFET和SiC二极管的不断发展给设计人员在优化成本敏感的功率变换应用的性能和效率带来了更多的自由。电源设计要求效率增益及更多其他要求为了继续提高如PFC和开关电源等功率变换系统的工作效率，超级结MOSFET和宽禁带的sic二极管已成为具有节能意识的设...www.kiaic.com/article/detail/246.html 2018-03-28
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怎样读懂MOS管的参数，参数详解
1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流...www.kiaic.com/article/detail/247.html 2018-03-28
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MOS管当开关管是如何实用
OS管是电压驱动，按理说只需栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但假如请求开关频率较高时，栅对地或VCC能够看做是一个电容，关于一个电容来说，串的电阻越大，栅极到达导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻...www.kiaic.com/article/detail/249.html 2018-03-28
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mos管mos管mos基础知识
1.MOS管驱动MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用于需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动电路，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求：1. 低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于
www.kiaic.com/article/detail/264.html 2018-03-28
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mos管的用途｜mos管的作用| mos管的原理
mos管的用途｜mos管的作用| mos管的原理
www.kiaic.com/article/detail/265.html 2018-03-28
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测试mos管和场效应管时的注意事项
测试mos管和场效应管时的注意事项
www.kiaic.com/article/detail/277.html 2018-03-28
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功率MOSFET:
功率MOSFET:
www.kiaic.com/article/detail/281.html 2018-03-28
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MOS存储器结构
MOS存储器结构
www.kiaic.com/article/detail/282.html 2018-03-28
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电子成材器件以及如何让电阻集成的原因
为了构成集成电路电阻，可以淀积一层具有阻值的薄膜在硅衬底上，然后运用图形曝光技术和刻蚀定出其图样，也可以在生长于硅衬底上的热氧化层上开窗，然后写入（或是涣散）相反导电型杂质到晶片内，图14.3闪现运用后者方法构成的两个电阻的顶视图和截面图，一个是...www.kiaic.com/article/detail/296.html 2018-03-28
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MOS管选型要求？PMOS与NMOS的栅极解决方法
在CMOS中，阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷，如需高温工艺（超越1 050℃）及长扩散时间（超越8h）来到达所需2μm~31'm的深度，在这个工艺中，外表的掺杂浓度是最高的，掺杂浓度随着深度递加，为了...www.kiaic.com/article/detail/297.html 2018-03-28