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在图2-31(a)中,s表示Source,源极;D表示Drain,漏极;G表示Gate,栅极。在漏极和源极之间加上一个正向电压后,N型半导体中的多数载流子(电子)便能够导电了。这种导电沟道是N型的场效应管,称为N沟道结型场效应管。
www.kiaic.com/article/detail/321.html 2018-03-28
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N沟道加强型MOSFET的沟道构成及符号如图2-35所示,其中图2-35 (a)所示是在一块杂质浓度较低的P型半导体衬底上制造两个高浓度的N型区,并分别将它们作为源极s和漏极D,然后在衬底的外表制造一层Si02绝缘层,并在上面引出一个电极作为栅极G。图2-35(b)所示是其在...
www.kiaic.com/article/detail/322.html 2018-03-28
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结型场效应管的引脚辨认办法如图4-38昕示,将万用表置丁。RX 1k”挡,用两表笔分别丈量每两个引脚间的正、反向电阻。当某两个引脚间的正、反向电阻相等,均为数千欧时,则这两个引脚为漏极D和源极S(可互换).余下的一个引脚即为栅极G。
www.kiaic.com/article/detail/323.html 2018-03-28
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1 工业领域:步进马达驱动,电钻工具,工业开关电源2 新能源领域:光伏逆变,充电桩,无人机3 交通领域:车载逆变器,汽车HID安定器,电动自动车4 绿色照明领域:CCFL节能灯。 LED照明电源,金卤灯镇流器
www.kiaic.com/article/detail/326.html 2018-03-28
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(1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。(2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。
www.kiaic.com/article/detail/336.html 2018-03-28
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www.kiaic.com/article/detail/337.html 2018-03-28
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国内碳化硅二极管生产家公司向以质量、廉价、供应碳化硅二极管 KIA08060V1 KIA10060V1 KIA10120V1 KIA15170V1 KIA20060V1 KIA20065V1等等 碳化硅二极管供应商 质量保证 原装现货 原厂碳化硅二极管厂家(KIA可易亚)
www.kiaic.com/article/detail/761.html 2018-03-28
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国内生产家KIA MOS管,公司向以质量、廉价、供应mos管 KIA3401 KIA75NF75 KIA2808A KIA3510A 等等 MOS管 质量保证 原装现货 原厂mos管厂家(可易亚),专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的...
www.kiaic.com/article/detail/760.html 2018-03-28
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MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管,属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因而具有很高的输入电阻(最高可达10l5Ω)。它分为N沟道管和P沟道管,如图2-54所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一同。
www.kiaic.com/article/detail/338.html 2018-03-27
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如图2-55所示,万用表置于R Xl00挡,将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,此时万用表指示出漏、源极间的电阻值,然后用手指触摸G极,人体的感应电压便加到栅极上,由于管子的放大作用,此时表针应有较大的偏转。表针摆动的幅度愈大,则标明管子的放大才能愈强...
www.kiaic.com/article/detail/339.html 2018-03-27
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MOSFET构造,从纵剖面来看,栅极(栅区)、源极(源区)、漏极(漏区)大致排列在同不断线上,这样的构造被称为横向沟道(Ltcral Channel)构造。同时,栅极,精确一点说是“栅区”与漏区、源区的分界面大致也是平面状的,这种栅极构造称为平面栅极(Planar Gate)...
www.kiaic.com/article/detail/341.html 2018-03-27
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功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC/DC变换器、DC/DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。
www.kiaic.com/article/detail/342.html 2018-03-27
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在常态下,MOSFET中并没有导电通道,在有了偏置电压时,在电场的作用下,源极(区)与栅极(区)之间就会形成导电通道,并且随着偏置电压的增加而加宽,导电能力增加直到最大(饱和导通)。这种MOSFET称为增强型MOS管(Enhancement-Mode MOSFET),这是目前为止应...
www.kiaic.com/article/detail/343.html 2018-03-27
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?耗尽型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)与增强型MOSFET有着同样的栅极结构,所不同是,在常态下,它内部的(导电)沟道是天生的。换言之,常态下的耗尽型MOSFET是导通的,这一点与JFET相同,所不同的是二者的栅极结构。
www.kiaic.com/article/detail/344.html 2018-03-27