|
|
|
结果: 找到相关主题 5114 个
-
寄生电容详解,寄生电容怎么消除-KIA MOS管
寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。www.kiaic.com/article/detail/4515.html 2023-10-08
-
svt035r5nd参数,035r5nd代换,100A 30V场效应管-KIA MOS管
KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252，能够匹配代换svt035r5nd和nce03h11k型号参数场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4514.html 2023-09-27
-
晶闸管详解,晶闸管的工作原理,晶闸管结构-KIA MOS管
可控硅（SCR）又称晶闸管，是一种大功率电器元件。由电源、晶闸管的阳极和阴极、白炽灯组成晶闸管主电路;由电源、开关S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路(触发电路)。晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。www.kiaic.com/article/detail/4513.html 2023-09-27
-
米勒效应,mos管的米勒效应图文分析-KIA MOS管
当使用高频信号传输时，米勒效应可能会导致输出信号的失真，而且各向同性的元件（比如二极管、晶体管等）产生的电容不可避免地引入了米勒效应，从而提高了误差和噪声，甚至还会导致系统的不稳定。www.kiaic.com/article/detail/4512.html 2023-09-27
-
NCE0115K中文资料,nce0115k参数,nce0115k代换6610A-KIA MOS管
6610A采用KIA先进的平面条纹TRENCH技术生产。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。KNX6610A漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V，能够完美代换nce...www.kiaic.com/article/detail/4511.html 2023-09-26
-
电子整流器详解,电子整流器怎么看型号-KIA MOS管
电子整流器是集强电( 220伏市电 、弱电( 微电子学技术及电真空 、光学技术为一体的高科技产品。电子整流器是将交流电转换为直流电的一种装置，广泛应用于各种电力、电子设备中。www.kiaic.com/article/detail/4510.html 2023-09-26
-
光伏并网逆变器是什么？光伏并网逆变器工作原理-KIA MOS管
光伏并网逆变器是光伏发电系统中的重要组成部分，主要应用在太阳能光伏发电领域的专用逆变电源，光伏发电系统主要是直流系统，即将太阳电池发出的电能给蓄电池充电，而蓄电池直接给负载供电；www.kiaic.com/article/detail/4509.html 2023-09-26
-
crss052n08n参数,52n08n代换,保护板专用-KIA MOS管
KIA半导体KCX3008A型号场效应管能够完美匹配crss052n08n型号参数场效应管。KCX3008A漏源击穿电压85V, 漏极电流最大值为120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用先进的SGT技术，开关速度快，高效能低损耗；适用于锂电池保护板（13-16串）。www.kiaic.com/article/detail/4508.html 2023-09-25
-
或非门详解,或非门的逻辑表达式-KIA MOS管
或非是逻辑或加逻辑非得到的结果。或非是一种具有函数完备性的运算，因此其他任何逻辑函数都能用或非门实现。相比之下，逻辑或运算器是一种单调的运算器，其只能将低电平变为高电平，但不能将高电平变为低电平。www.kiaic.com/article/detail/4507.html 2023-09-25
-
led驱动芯片介绍,led驱动芯片方案-KIA MOS管
LED驱动芯片是电路板上的一种小型集成电路，是一种能够控制LED电流和亮度的集成电路，主要作用是将电源提供的直流电转化为LED所需要的恒定电流或者电压。www.kiaic.com/article/detail/4506.html 2023-09-25
-
NCE01P18参数及代换,nce01p18引脚,7910A-KIA MOS管
KIA半导体这款KPD7910A型号场效应管能够完美匹配NCE01P18型号参数?场效应管。7910A?为低压大电流功率场效应管，-28A ,-100V, RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，开关速度快。?广泛应用于电机控制与驱动、电池管理、不间断电源中，高效质优。www.kiaic.com/article/detail/4505.html 2023-09-22
-
vdd详解,vdd在电路中代表什么？-KIA MOS管
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。vdd在电路中代表什么？vdd在电路中代表电源电压;www.kiaic.com/article/detail/4504.html 2023-09-22
-
碳化硅管,碳化硅器件,碳化硅半导体-KIA MOS管
碳化硅管是一种特殊的管道材料，广泛应用于多个领域。碳化硅管具有强度高、硬度高、耐磨性好、耐高温、耐腐蚀、抗热抗震性好、导热系数大以及抗氧化性好等优越性能。长度标准可根据实际需求定做。www.kiaic.com/article/detail/4503.html 2023-09-22
-
3n150场效应管参数,3n150代换,2SK2225参数代换-KIA MOS管
MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。42150A型号产品可完美代换3N150、2SK2225使用，42150A交货周期短，价格优惠，优质原...www.kiaic.com/article/detail/4502.html 2023-09-21