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2408A场效应管 190a 80v 参数引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2408A：漏源击穿电压80V，漏极电流最大值为190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，高效稳定。广泛应用于无刷电机、不间断电源等产品。www.kiaic.com/article/detail/4487.html 2023-09-14
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继电器电路图大全,原理图,接线图详解-KIA MOS管
继电器是控制电路中常用的一种元件，利用电磁感应原理，控制某一回路的接通或断开，实现用小电流控制大电流，从而减小控制开关触点的电流负荷，保护开关触点不被烧蚀。电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、回位弹簧、触点等组成。www.kiaic.com/article/detail/4486.html 2023-09-14
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一看就懂,手机充电器电路图及原理讲解-KIA MOS管
该电路属于自励、反激式、变压器耦合型、PWM开关电源；电源变换过程：交流（AC，输入市电）→直流（DC）→交流（AC，高频）→直流（DC，输出）；电路由整流、振荡、稳压、保护四大系统组成。www.kiaic.com/article/detail/4485.html 2023-09-14
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HY3210场效应管代换2910A HY3210参数 引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2910A漏源击穿电压100V，漏极电流最大值为130A；低内阻：5Ω，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4484.html 2023-09-13
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沟道长度调制效应公式,特性曲线-KIA MOS管
以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至Vgd=VT时，由于栅漏之间电压差降低，漏端附近反型层消失，称为沟道夹断。www.kiaic.com/article/detail/4483.html 2023-09-13
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二极管类型及符号大全,含义图文详解-KIA MOS管
二极管是用半导体材料制成的一种电子器件，由PN结、外部引线、管壳封装而成，文字符号为VD。www.kiaic.com/article/detail/4482.html 2023-09-13
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3406场效应管参数引脚图 60V80A场效应管-KIA MOS管
MOS管KCX3406A：漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。www.kiaic.com/article/detail/4481.html 2023-09-12
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二极管正负极判断,识别图分享-KIA MOS管
二极管（ Diode），二极管是由半导体材料（硅、硒、锗等）制成的。二极管的正、负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。二极管是一种具有两个电极的装置，电流只能从阳极向阴极方向移动。www.kiaic.com/article/detail/4480.html 2023-09-12
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镇流器原理,作用,电子镇流器电路图-KIA MOS管
镇流器（ballast resistor）是日光灯上起限流作用和产生瞬间高压的设备，是一种限制通过电气负载的电流的装置，用于限制电路中的电流量。www.kiaic.com/article/detail/4479.html 2023-09-12
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5N50参数及代换,5N50场效应管引脚图-KIA MOS管
高压MOS管KIA5N50H最高承受电压可达500V，漏极电流最大值为5A；低内阻：1.25Ω，能够承受高电流，使得电器的效率更高，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，节能环保。适用于各种高功率应用场合，如无刷电机、安定器等。封装形式：TO-252；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4478.html 2023-09-11
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boost升压电路原理,boost电路如何实现升压-KIA MOS管
boost升压电路是基本斩波电路之一，是一种输出电压大于等于输入电压的单管非隔离直流变换电路。主要应用于直流电动机传动、单相功率因数校正（PFC）电路及其他交直流电源中。www.kiaic.com/article/detail/4477.html 2023-09-11
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续流二极管工作原理,作用介绍图文-KIA MOS管
续流二极管（flyback diode），与普通二极管不同的是，在正向工作状态下，它可充当一个低电阻和高速电路；而在反向截止状态下，它则表现出较高的电压耐受能力。www.kiaic.com/article/detail/4476.html 2023-09-11
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大功率MOS管7880A 27A 800V场效应管27n80-KIA MOS管
大功率高压MOS管KNK7880A：漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于无刷电机驱动、电焊机、电源分流器、电箱等产品。封装形式：TO-264；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4475.html 2023-09-08
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s9014,s9014参数管脚图，资料手册-KIA MOS管
s9014是一种常见的三极管，是低功耗低噪声晶体管，为NPN极性，集电极稳定工作在4.5~18V之间，在其直流电流下，其最大收益率可以达到200。s9014参数还具有响应速度快、电阻低、温度稳定等特点。www.kiaic.com/article/detail/4474.html 2023-09-08