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ttl与cmos的区别,ttl与cmos的优缺点-KIA MOS管
TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。www.kiaic.com/article/detail/4679.html 2023-12-22
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irf740场效应管参数代换,irf740引脚图,KNX6140A-KIA MOS管
KNX6140A场效应管采用专有平面新技术，漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换irf740型号使用，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗。www.kiaic.com/article/detail/4678.html 2023-12-21
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单向可控硅详解,符号,工作原理,作用-KIA MOS管
单向可控硅?由四层半导体材料组成，四层材料由P型半导体和N型半导体交替组成，它们的接触面构成了三个PN结。故单向可控硅也被称为四层器件。www.kiaic.com/article/detail/4677.html 2023-12-21
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几款直流稳压电路图分享【简单好用】-KIA MOS管
对于低直流输出电压（高达 50V），可以单独使用齐纳二极管，也可以使用齐纳二极管和晶体管。这种电源称为晶体管电源。晶体管电源只能提供较低的稳定电压，因为 VCE 的安全值约为 50 V，如果将其增加到该值以上，则可能会发生结击穿。www.kiaic.com/article/detail/4676.html 2023-12-21
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IRF640场效应管参数,代换,KIA6720N中文资料-KIA MOS管
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换IRF640型号使用，封装形式：TO-220，低热阻和低成本，便于安装和使用。www.kiaic.com/article/detail/4675.html 2023-12-20
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稳压二极管正负极辨认,快速判断正负极-KIA MOS管
稳压二极管的封装上通常会标有正负极的标记。常见的标记方式包括一个带箭头的“+”符号，表示正极，而没有箭头的一侧则是负极。有时，也会在正极旁边标上具体的电压值。www.kiaic.com/article/detail/4674.html 2023-12-20
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逻辑门符号，逻辑门电路【详细图文】-KIA MOS管
逻辑门又称“数字逻辑电路基本单元”。执行“或”、“与”、“非”、“或非”、“与非”等逻辑运算的电路。任何复杂的逻辑电路都可由这些逻辑门组成。www.kiaic.com/article/detail/4673.html 2023-12-20
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irf630场效应管参数,irf630参数及代换,irf630引脚图-KIA MOS管
KIA4820N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；KIA4820N可以代换irf630型号使用，封装形式：TO-220、TO-252便于安装和使用，高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4672.html 2023-12-20
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三极管集电极，集电极开路图文详解-KIA MOS管
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。三极管中，从三个区引出相应的电极，分别为基极b，发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN...www.kiaic.com/article/detail/4671.html 2023-12-19
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单片机种类有哪些？单片机选型分享-KIA MOS管
单片机（Microcontroller Unit，MCU），一个集成在一块芯片上的完整计算机系统。在单个芯片上集成了处理器、存储器、输入输出接口和时钟等部件的计算机系统，具有体积小、功耗低、成本低等优点。www.kiaic.com/article/detail/4670.html 2023-12-19
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AOD4454参数,aod4454参数及代换,KNX7115A-KIA MOS管
KNX7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能够代换aod4454型号，在LED驱动等领域热销，封装形式：TO-252、TO-251。www.kiaic.com/article/detail/4669.html 2023-12-18
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pnp放大区,饱和区,截止区条件-KIA MOS管
电流关系:IE=IC+IB当VE>VB>VC时,即发射极正偏,集电极反偏,三极管处于放大状态;www.kiaic.com/article/detail/4668.html 2023-12-18
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NPN放大截止饱和条件图文详解-KIA MOS管
电流关系：IE=IC+IB当VC＞VB＞VE时，即发射极正偏，集电极反偏，三极管处于放大状态；www.kiaic.com/article/detail/4667.html 2023-12-18
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AON6450参数代换,引脚图,KIA4810A中文资料-KIA MOS管
KIA4810A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KIA4810A场效应管100V 9A能够代换AON6450型号，这种通用技术非常适合无线充、无人机方案应用，SOP-8封装高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4666.html 2023-12-15