-
普遍来说,最高效的方式开始都是恒流充电(充电速度较快),然后是恒压充电(充电速度下来了,因为电池本身的电压上去了),最后是涓流充电(在充满电后,补偿因自放电而造成的容量损失)。
www.kiaic.com/article/detail/4295.html 2023-06-14
-
KNH8150A 30A 500V产品特征先进的平面加工技术RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V低栅极电荷使开关损耗最小化坚固的多晶硅栅极工艺
www.kiaic.com/article/detail/4294.html 2023-06-13
-
1.如果使用过温保护功能R3为悬空(不焊接)状态。同时需要把RNTC以及R4焊接上。2.如果不使用过温保护,R3接入1k左右电阻,同时RNTC、R4为悬空状态。
www.kiaic.com/article/detail/4293.html 2023-06-13
-
U相N下管:mcu的5v管脚控制导通,0控制关断。U相N上管:在U相下管导通的时候,U相对应的自举电路电容是在充电的,此时UGH的控制脚UH为1,将UGH拉在GND上,保证上管关断。
www.kiaic.com/article/detail/4292.html 2023-06-13
-
当VCC有效时,PMOS的体二极管率先导通,随后S极的电压由先前的0V变成了(VCC-0.7),此时Vgs = 0 -(VCC-0.7)= -VCC+0.7。
www.kiaic.com/article/detail/4291.html 2023-06-12
-
当KEY输出为低电平时,Q1的栅源电压Vgs=0,Q1不导通。因为Q1不导通,所以Q2的栅源之间电压相等,所以Q2也不导通,所示VOUT没有输出。
www.kiaic.com/article/detail/4290.html 2023-06-12
-
背靠背MOS驱动,S极背靠背,可以看到它是外置MOS,可以根据需求选择MOS,提高系统的带载能力。
www.kiaic.com/article/detail/4289.html 2023-06-12
-
KIA16N50 功率MOSFET是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可以最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适用于基于半桥拓扑的高效开关电源、有源功率因数校正。
www.kiaic.com/article/detail/4288.html 2023-06-09
-
KIA13N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET设计用于高电压、诸如高效率开关模式电源的高速功率开关应用,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子灯镇流器。
www.kiaic.com/article/detail/4285.html 2023-06-09
-
如果需要电池和USB电源切换,只需将USB电源放在上面,锂电放在下面。反正无论怎么更改,上面的电压始终要高于下面的。
www.kiaic.com/article/detail/4287.html 2023-06-09
-
小型产品上经常要用到电池供电,这样就需要给电池充电。下面是一个1S电池3.7V的充电和供电方案。
www.kiaic.com/article/detail/4286.html 2023-06-09
-
交流电与电池构成的双电源供电体系,进行电源切换的最简单的方法就是利用两个肖特基二极管隔离两种电源,如图1所示。这种电路要求交流适配器的输出电压必须高于电池DC/DC变换的输出电压。
www.kiaic.com/article/detail/4284.html 2023-06-08
-
A端输出低电平时(0V),MOS管导通,B端输出是低电平(0V)A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)
www.kiaic.com/article/detail/4283.html 2023-06-08
-
KIA半导体研发的KIA1404B采用TO-220的封装形式,具有低电荷、低反向传输电容开关速度快,内阻低,耐冲击特性好等特点,可以有效提高逆变器的转换效率、安全性能、物理性能、带负载适应性和稳定性。
www.kiaic.com/article/detail/4282.html 2023-06-07